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title: "信越化學將開發用於 300 毫米氮化鎵（GaN）的 QST 基板"
description: "新日本化學公司已經研發出一種面向增強氮化鎵外延生長的 300 毫米 QST 襯底，並最近提供了樣品。這種襯底解決了氮化鎵器件製造商對更大襯底的關鍵需求，以降低成本並避免翹曲。這種 300 毫米 QST 襯底與現有硅線兼容，可實現高質量的厚氮化鎵生長。新日本化學公司正在擴大其 QST 襯底生產，並在 2024 年的 SEMICON TAIWAN 展會上展示了這一新進展。這一進步可能會顯著推動氮化鎵器"
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published_at: "2024-09-09T10:49:58.000Z"
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# 信越化學將開發用於 300 毫米氮化鎵（GaN）的 QST 基板

> 新日本化學公司已經研發出一種面向增強氮化鎵外延生長的 300 毫米 QST 襯底，並最近提供了樣品。這種襯底解決了氮化鎵器件製造商對更大襯底的關鍵需求，以降低成本並避免翹曲。這種 300 毫米 QST 襯底與現有硅線兼容，可實現高質量的厚氮化鎵生長。新日本化學公司正在擴大其 QST 襯底生產，並在 2024 年的 SEMICON TAIWAN 展會上展示了這一新進展。這一進步可能會顯著推動氮化鎵器件在各種應用中的採用

新聞: 供應商

總部位於東京的信越化學株式會社已經研發出了一款 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板，並最近開始提供樣品。

由美國加利福尼亞州聖克拉拉的 Qromis 公司開發的 QST（Qromis 基板技術）專門用於 GaN 外延生長，並於 2019 年授權給了信越化學。信越化學此後已經銷售了 150 毫米（6 英寸）和 200 毫米（8 英寸）的 QST 基板以及相應直徑的 GaN-on-QST 外延基板。與此同時，為了滿足客户需求，該公司致力於進一步增加直徑，並研發了 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板。

儘管 GaN 器件製造商可以利用現有的硅生產線進行 GaN 生長，但由於缺乏適合 GaN 生長的大直徑基板，他們無法從材料直徑的增加中受益，信越化學指出。據稱，新的 300 毫米 QST 基板可以實現 GaN 外延生長而不會出現翹曲或裂縫（這在硅基板上是無法實現的），從而顯著降低器件成本。除了正在進行的 150 毫米和 200 毫米 QST 基板設施的增強外，信越化學還在着手大規模生產 300 毫米 QST 基板。

由於 QST 基板與 GaN 具有相同的熱膨脹係數，可以約束 SEMI 標準厚度的 QST 基板上 GaN 外延層的翹曲和裂縫。這種基板材料可以實現大直徑高質量和厚度的 GaN 外延生長。信越化學表示，許多客户正在評估 QST 基板和 GaN-on-QST 外延基板用於功率器件、高頻器件和 LED。儘管商業環境具有挑戰性，但客户已經進入開發階段，以應對近期對包括數據中心電源在內的功率器件日益增加的興趣。

該公司認為，將 300 毫米 QST 基板加入 150 毫米和 200 毫米產品線可以顯著加速 GaN 器件的推廣。

信越化學在 2024 年 9 月 4 日至 6 日於台灣台北舉辦的 SEMICON TAIWAN 2024 展會上展示了 300 毫米 QST 基板。

OKI 在信越的 QST 基板上開發了 GaN 剝離/鍵合技術

信越化學推出用於 GaN 功率器件生長的 QST 基板

信越化學獲得 Qromis 的 GaN 基板技術許可

信越化學 GaN-on-Si

www.semicontaiwan.org

www.shinetsu.co.jp

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