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title: "TechInsights：2027 年底 DRAM 預計將邁入個位數納米技術節點"
description: "TechInsights 預計到 2027 年底，DRAM 將邁入個位數納米技術節點，主要產品包括 D1a 和 D1b。2025 年第一季度，SK 海力士將推出 D1c 產品，預計 D1c 將在 2026 年和 2027 年主導市場。未來 AI 和數據中心對內存容量的需求將增加，需開發更高密度的 3D DRAM 架構。"
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url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/228644054.md"
published_at: "2025-02-18T06:44:03.000Z"
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# TechInsights：2027 年底 DRAM 預計將邁入個位數納米技術節點

> TechInsights 預計到 2027 年底，DRAM 將邁入個位數納米技術節點，主要產品包括 D1a 和 D1b。2025 年第一季度，SK 海力士將推出 D1c 產品，預計 D1c 將在 2026 年和 2027 年主導市場。未來 AI 和數據中心對內存容量的需求將增加，需開發更高密度的 3D DRAM 架構。

智通財經 APP 獲悉，TechInsights 平台上最新發布了 T1-2025 DRAM 視頻簡報。該視頻簡報提供了 DRAM 技術的詳細信息、路線圖更新、趨勢、比較以及前景展望。D1a 和 D1b 是市場上的主流產品。到 2027 年底，TechInsights 預計 DRAM 將邁入個位數納米技術節點，如 D0a，隨後將是 0b 和 0c 世代。

2025 年第一季度，市場上將首次推出 D1c 的一小部分產品，首先由 SK 海力士推出。D1c 世代將在 2026 年和 2027 年佔據主導地位，包括 HBM4 DRAM 應用。從市場角度看，HBM 產品，尤其是 HBM3 和 HBM3E，性能卓越但目前價格高昂，而傳統產品如 LPDDR5 和 DDR5 器件則價格較低且性能相對較弱。

未來 AI 和數據中心將需要更高的單個裸晶的內存容量，例如 32 Gb、48 Gb 或 64 Gb 芯片，但目前市場上主流仍是 16 Gb 裸晶。在更高密度的 DRAM 芯片中，應開發 3D DRAM 架構，如 4F2 垂直溝道晶體管 (VCT) 單元、IGZO DRAM 單元或 3D 堆疊 DRAM 單元，並在 10 納米以下級別節點（個位數節點）實現產品化，尤其是三星、SK 海力士和美光等主要廠商，作為下一代 DRAM 縮放的候選方案。

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