--- title: "三星晶圓代工廠將採用三井化學公司的 EUV 光罩護膜" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/229663899.md" description: "2 月 26 日消息，據報道，由於芯片製造商希望提高超精細加工的生產率，三星電子的代工業務將從三井化學購買價值數十億韓元的 EUV 光罩護膜。經過最終測試後，三星將在其韓國華城園區 S3 工廠的 3 納米晶圓代工生產線上採用 EUV 光罩護膜進行量產。" datetime: "2025-02-26T01:17:12.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/229663899.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/229663899.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/229663899.md) --- # 三星晶圓代工廠將採用三井化學公司的 EUV 光罩護膜 2 月 26 日消息，據報道，由於芯片製造商希望提高超精細加工的生產率，三星電子的代工業務將從三井化學購買價值數十億韓元的 EUV 光罩護膜。經過最終測試後，三星將在其韓國華城園區 S3 工廠的 3 納米晶圓代工生產線上採用 EUV 光罩護膜進行量產。 ### 相關股票 - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) ## 相關資訊與研究 - [Base Die 變更大！三星 HBM5 首導入 HPB 散熱技術，對決 SK 海力士 iHBM 架構](https://longbridge.com/zh-HK/news/288649393.md) - [Barclays 上調 SK 海力士及三星電子目標價，記憶體供應緊張局面料持續](https://longbridge.com/zh-HK/news/288432162.md) - [三星 COMPUTEX 大秀新品！首公開 HBM5 關鍵 HPB 架構、HBM4E 晶圓](https://longbridge.com/zh-HK/news/288428491.md) - [三星首創 900 層 V-NAND「空中對接」記憶體戰爭變天了](https://longbridge.com/zh-HK/news/288519438.md) - [Q1 全球 NAND 快閃記憶體營收年增 3.5 倍，三星續領跑](https://longbridge.com/zh-HK/news/288533709.md)