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title: "存儲芯片，正式漲價"
type: "News"
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description: "今日，存儲芯片正式開始漲價，結束了長達多半年的低迷。NAND 存儲大廠閃迪宣佈自 4 月 1 日起漲價超 10%，美光也將提高新訂單價格約 11%。SK 海力士、三星等也將同步上調價格。由於減產措施的實施，NAND 芯片價格出現反彈，預計 2025 年第二季價格將止跌回穩。"
datetime: "2025-04-01T12:21:32.000Z"
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# 存儲芯片，正式漲價

今日，存儲芯片正式開始漲價浪潮。

自此，存儲市場長達多半年的低迷態勢，終於迎來轉折。

存儲芯片的兩大主力產品 NAND 與 DRAM，在新一季度的市場表現也各不相同。

##  **01** **NAND，開始漲價**

打響漲價第一槍的是 NAND 存儲大廠閃迪，其表示**將於****4 月 1 日開始實施漲價，漲幅將超 10%**，該舉措適用於所有面向渠道和消費類產品。

緊接着美光也告知將針對新訂單提高價格，平均漲幅約 11%。3 月 25 日，**美光直接發佈漲價函，預計****此次漲價幅度將在 10%~15%。**

之後，SK 海力士、三星相繼宣佈將於**4 月同步上調 NAND 閃存價格**。

根據渠道反饋，國產存儲公司的零售品牌致態宣佈，**將於 4 月起上調提貨價格，漲幅可能超過 10%。**

一系列消息接踵而至，在業內引起軒然大波。

新一季度，NAND 芯片價格出現反彈，這主要**歸功於各大 NAND 龍頭果斷且迅速地調整減產措施。**

隨着 2024 年 NAND 產品價格走勢疲軟，為提早應對市場供過於求問題，美光、三星、SK 海力士、鎧俠等原廠陸續從 2024 年第 4 季重啓減產措施，藉此阻止 NAND 價格的下跌趨勢。

今年 1 月，美光新加坡 NAND 廠突發斷電，導致 NAND 供貨吃緊。羣聯科技執行長潘健成亦透露，雖從 2024 年 12 月已向美光下單採購，但近期卻意外發生交貨不足的問題。三星電子和 SK 海力士兩大韓廠的減產措施也在持續發酵，其中三星在 3 月的交貨量僅有原先訂單的 20-25%。

其實，早在上個月，現貨市場的動向就透出了一些不尋常的信號。

CFM 的報價顯示，小容量的 eMMC 以及一些 SSD 產品的價格已悄然上升，個別渠道也開始了漲價的試探性動作。

TrendForce 近日發佈報告稱，**預計 2025 年第二季 NAND Flash 價格將止跌回穩****，環比增加 0-5%**。其中 Client SSD 合約價將季增 3%-8%；Enterprise SSD 合約價將持平第一季；eMMC 合約價將與上季持平。NAND Flash Wafer 合約價將季增 10%-15%。

疊加上述存儲龍頭的最新漲價動作，市場上已經有人嗅到這一商機，開始囤積 SSD 了，盼着在 NAND 價格飆升之際大賺一筆。

##  **02** **DRAM，跌幅收斂**

再看 DRAM 市場在今年第二季度的價格走向。

先説結論**，**儘管 DRAM 市場還沒有明確的漲價聲音傳出，但可以確定的是，**第二季度 DRAM 市場價格跌幅將同步收斂。**一般型 DRAM 價格跌幅將收斂至季減 0%-5%，若納入 HBM 計算，受惠於 HBM3e 12hi 逐漸放量，預計均價為季增 3%-8%。

具體數據方面：

**在 PC DRAM 領域，**DDR4 價格走勢偏弱，環比下降 3%-8%；DDR5 價格環比基本持平。

**在****Server DRAM****領域，**DDR4 跌幅低於市場預期，環比下降 3%-8%；DDR5 價格也環比基本持平。

**在****Mobile DRAM****領域，**LPDDR4X 跌幅將收斂至季減 0%-5%；LPDDR5X 價格將季增 0%-5%。

**在****Graphics DRAM****領域**，GDDR6 跌勢將收斂至 3%-8%；GDDR7 價格將持平上季或緩跌，約下降 0%-5%。

**在****Consumer DRAM****領域**，DDR3 合約價環比持平，DDR4 合約價季增 0%-5%。

綜合來看，DRAM 的價格還未來到正向增長區間。DRR5 的合約價格大約是從今年 2 月起持續上漲，LPDDR5X 的價格也相對穩健，但 DDR4、DDR3、GDDR6 等產品還在給存儲市場 “拖後腿”。

近日有研究機構對 8 家相關企業進行採訪後發現，很多觀點認為 “對賣家來説，沒有能夠替代中國的市場，再加上受到低價的中國產品影響，價格正在下降”。**關於接下來的 DRAM 價格，企業認為可能要到下半年才會上漲的觀點居多。**

##  **03** **HBM，市場暴漲 880%**

近日，SK 海力士表示未來 AI 內存的需求前景光明。

預計今年 HBM 在 SK 海力士 DRAM 總銷售額中的佔比將超過 50%。SK 海力士 CEO 兼總裁

郭魯正表示：“大型科技公司正在擴大投資，以確保在人工智能市場的領導地位。由於圖形處理單元 (GPU) 和定製芯片 (ASIC) 的增加，我們預計 HBM 的需求將出現爆炸式增長。” 他補充道，“**今年的 HBM 市場預計將比 2023 年增長 8.8 倍以上，另一種 AI 存儲器企業固態硬盤 (SSD) 市場預計也將增長 3.5 倍”。**此外，對於 ‘DeepSeek 衝擊’，他持樂觀態度，並表示，如果各種 AI 生態系統被激活，將有助於在中長期內增加（對 HBM 的）需求”。

為了繼續引領 AI 市場，SK 海力士還將繼續準備 CXL 等下一代技術和產品。郭魯正表示：“除了 HBM 以外，我們還準備了 CXL、LPCAMM2、SOCAMM 等多種解決方案，從而不僅僅作為 AI 內存供應商，還能提供綜合解決方案。”

##  **04** **國產存儲廠商，蓄勢待發**

如果説，以前的存儲市場主要被國際廠商所包攬，如今國產廠商的強勢出擊，硬生生把這一格局，撕開一道大口子。

在三星和 SK 海力士對華出口的存儲產品組合中，三星主要向中國供應 LPDDR、NAND Flash、圖像傳感器和顯示驅動器 IC 等。SK 海力士則專注於 DRAM 和 NAND 產品的生產和銷售。

從去年開始，隨着國產廠商競爭加劇，DDR3 和 DDR4 內存收益下滑，三星、SK 海力士、美光便在中國大陸的這一市場中逐漸淡出。

預計從今年夏季開始，由於這些主要廠商的退出，市場上 DDR3 和 DDR4 的供應將顯著減少。而這些需求的承接方，正是大批國產存儲芯片公司。

因此，在存儲市場復甦之際，國產廠商有望迎來新的機遇。

從國內市場來看，國產 NAND 產品近期漲價基本已成事實。

近日，一家國內存儲模組廠商負責人表示，今年所有存儲芯片原廠的價格都在漲。幾家存儲芯片原廠的報價，在同一時期內都會比較接近，差異不會很大。其中，“小**容量 NAND 是這一輪漲價裏最先有反應的品類，也是最早反彈的品種**”。

目前存儲芯片製造商轉向大容量 NAND 生產，小容量 eMMC 等產品製造轉由模組廠商承擔，受原廠晶圓定價影響。比如**佰維存儲、江波龍**等模組廠商均基於原廠 NAND 推出 eMMC 產品。

因此，**在小容量市場復甦之際，這兩家公司將同步受益。**

**佰維存儲**在接受 23 家機構調研時表示，在嵌入式存儲領域，公司 BGASSD 已通過 Google 准入供應商名單認證；在 PC 存儲領域，公司 SSD 產品目前已經進入聯想、宏碁、惠普、同方等國內外知名 PC 廠商，此前佰維存儲就表示，其旗下 SP406/416 系列企業級 PCIe4.0 SSD、SS621 系列企業級 SATA SSD，與聯想服務器完成兼容性測試並獲認證，強化企業級市場佈局。

技術研發層面，3 月初，佰維存儲宣佈，其自研的 eMMC 主控芯片 SP1800 已完成批量驗證支持 QLC 顆粒並針對智能穿戴設備優化功耗，同時具備端到端數據保護能力，適用於車規級應用場景。

據悉，2024 年，佰維存儲智能穿戴存儲業務收入同比大幅增長，2025 年將深化與 Meta 等客户在 AI 眼鏡領域的合作。

**江波龍**近日正式向香港聯交所遞交了發行境外上市外資股（H 股），並在香港聯交所主板掛牌上市的申請。目前，江波龍在產品佈局上持續發力，其首顆 32Gbit 2D MLC NAND 完成流片驗證，覆蓋 SLC/MLC 多容量產品，適用於網絡通信、安防監控等領域。該公司目前擁有嵌入式存儲、固態硬盤、移動存儲和內存條四大產品線，經營三個主要品牌，分別是 FORESEE、Zilia、雷克沙。

其次，目前國內多家芯片廠商佈局 NAND 存儲芯片。包括**兆易創新、東芯股份、江波龍**等。不過，兆易創新、東芯股份 NAND 產品均為 2D SLC NAND。而本輪 NAND 漲價主要以 3D NAND 產品為主，而 2D NAND 今年價格始終平穩，未見明顯價格拐點。

DRAM 方面，**北京君正**於投資者互動平台表示，公司正在積極推進 DRAM 產品的更新迭代，採用 20nm 工藝的新產品預計將在 2025 年推出樣品，後續還將陸續推出更新工藝的 DRAM 產品。此外，北京君正還計劃在 20nm 工藝產品之後，繼續推進更先進工藝的 DRAM 產品研發。

##  **05** **存儲龍頭，期待回春**

在剛剛過去的第一季度，存儲巨頭們過的可並不算如意。

**美光：存儲業務****營收****狂跌 20%**

近日，美光發佈了截至 2025 年 2 月 27 日的 2025 財年第二財季財報，儘管在這一季度中美光實現營收 80.5 億美元，同比增長 38%。但單拎出來其存儲業務部門（SBU）看，可以發現美光也面臨着存儲市場逆風的壓力。

財報顯示，美光 SBU 營收 14 億美元，環比下降 20%。

**三星、SK 海力士：對華出口暴跌**

2024 年，韓國芯片出口總額高達 1330 億美元，其中近四成來自中國訂單。

去年，三星和 SK 海力士這兩家公司依託中國《推動大規模設備更新和消費品以舊換新行動方案》相關舉措，在華銷售額實現大幅增長。

三星電子 3 月 12 日公佈的業務報告顯示，公司去年對華出口額同比增加 53.9%，為 64.9275 萬億韓元，超過對美出口額 61.3533 萬億韓元。在公司對華出口額中，芯片銷售佔絕大部分。另據三星電子審計報告數據，公司在中國西安的 NAND 工廠（銷售額 11.1802 萬億韓元，營業利潤 1.1954 萬億韓元）和上海的半導體銷售分公司（銷售額 30.0684 萬億韓元）去年銷售額也大幅提升。

SK 海力士同樣在中國市場取得了穩健增長。其無錫 DRAM 工廠去年不僅成功扭虧為盈，營業利潤達到 5985 億韓元，銷售額也同比增長 64.3%，淨利潤同比大增 65.4%。SK 海力士在中國的銷售額為 5.6 萬億韓元，較前年有所增加。

暴漲之後，在 2025 年開年，形勢急轉直下。

最新數據顯示，今年一月，韓國對華芯片出口暴跌 22.5%，2 月跌幅擴大至驚人的 31.8%。行業預測，3 月跌幅可能突破 30%，芯片出口量或將創十年新低。

"**以前是訂單接到手軟，現在倉庫堆滿芯片賣不出去。**"韓國半導體行業人士近日感嘆，這個曾憑藉存儲芯片傲視全球的產業，正經歷着前所未有的寒冬。

三星、美光、SK 海力士等廠商此前已經退出 SLC NAND Flash 市場。出於成本效率因素考慮，市場預計後續海外存儲原廠可能逐漸退出 MLC NAND Flash 市場。隨着國際巨頭的逐漸淡出，國產存儲公司的發揮空間便更大了。

隨着三大存儲龍頭逐步轉向附加值更高的 HBM、DDR5 等領域。上個月，SK 海力士宣佈推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產品 12 層（12Hi）HBM4 內存，並在全球率先向主要客户出樣了 12Hi HBM4。

AI 大模型訓練催生海量算力需求，HBM 在 DRAM 市場的佔比已近 30%，預計到 2026 年 HBM4 將推動定製化需求爆發。英偉達、AMD 的新品發佈週期，與三星、SK 海力士的技術迭代形成共振，在此背景下，國際存儲龍頭便可在存儲市場的復甦浪潮中享受更為豐厚的紅利。

本文作者：豐寧，來源：半導體產業縱橫，原文標題：《存儲芯片，正式漲價》

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