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title: "英諾賽科為 800 VDC 電源架構提供全 GaN 電源解決方案，賦能新一代 AI Factories"
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description: "英諾賽科宣佈與 NVIDIA 合作，支持 800 VDC 電源架構，旨在提升人工智能數據中心的效率和功率密度。該架構將電壓從 48V 提升至 800V，顯著降低能耗和二氧化碳排放。英諾賽科的第三代氮化鎵技術在功率密度和效率方面具有優勢，能夠滿足 800 VDC 的高要求，推動 AI 集羣的升級。"
datetime: "2025-10-13T22:32:04.000Z"
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# 英諾賽科為 800 VDC 電源架構提供全 GaN 電源解決方案，賦能新一代 AI Factories

智通財經 APP 訊，英諾賽科 (02577) 發佈公告，NVIDIA 將支持 800 VDC 電源架構。800 VDC 機架電源架構為人工智能數據中心帶來突破性進展，可實現更高效率、更高功率密度，同時降低能耗需求並減少二氧化碳排放。如同電動汽車行業從 400V 向 800V 的升級，機架電壓從 48V 提升到 800V 可使電流降低 16 倍，從而大幅減少 I²R 損耗並最大限度降低對銅材的需求。英諾賽科正與 NVIDIA 合作，攜手支持 800 VDC 電源架構，為新一代 GPU 路線圖的擴展提供保障。

基於 48V 電壓的傳統人工智能系統正面臨嚴峻的挑戰—-效率低下、銅耗過高，超過 45% 的總功耗耗費在散熱上。未來的人工智能集羣 (如搭載超過 500 塊 GPU 的機架) 若沿用舊式 PSU 電源設計，將無空間容納計算單元。800 VDC 架構正是支持系統從千瓦級躍升至兆瓦級的解決方案。

除了向 800V 機架電源過渡外，該架構還要求在 800V 到 1V 的電壓轉換中實現超高功率密度和超高效率。只有氮化鎵功率器件 (GaN) 能夠同時滿足這些嚴苛要求。

為滿足 800 VDC 的功率密度要求，電源開關頻率必須提升至近 1MHz，以縮小磁性元件和電容器的尺寸。現有機架式電源的典型開關頻率最高可達 300kHz，如果提升至 1MHz 可使磁芯尺寸縮減約 50%。

英諾賽科第三代氮化鎵技術具備決定性優勢：

• 在 800V 輸入側，英諾賽科氮化鎵 (GaN) 與碳化硅 (SiC) 相比在每個開關半週期內可降低 80% 的驅動損耗和 50% 的開關損耗，從而實現整體功耗降低 10%。

• 在 54V 輸出端，僅需 16 顆英諾賽科氮化鎵器件即可實現與 32 顆硅 MOSFET 相同的導通損耗，不僅將功率密度提升一倍，還使驅動損耗降低 90%。

• 與現有機架架構中的硅 MOSFET 相比，800 VDC 的低壓電源轉換階段採用氮化鎵材料可將開關損耗降低 70%，並在相同體積內實現功率輸出提升 40%，大幅提升功率密度。

• 基於氮化鎵的低壓功率級可擴展以支持更高功率的 GPU 型號，其動態響應得到提升，同時降低了電路板上的電容成本。

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作為業內唯一的全棧氮化鎵供應商及領先的氮化鎵 IDM 企業，英諾賽科是唯一實現 1200V 至 15V 氮化鎵量產的公司，可提供從 800V 到 1V 的全鏈路解決方案。這使英諾賽科成為唯一有能力為所有轉換階段提供全 GaN 功率解決方案的供應商，從容應對未來架構為滿足更高功率需求的演變。

英諾賽科氮化鎵在可靠性方面同樣處於領先地位。其第三代器件已通過嚴苛的加速應力測試，包括加長的 2000 小時動態 HTOL 測試、高温 (175°C) 驗證及大樣本失效驗證。自主開發的在線動態電阻監測與長期板級應力測試確保其數據中心級產品的高性能工作壽命超過 20 年。

作為全球領先的氮化鎵 IDM 企業，英諾賽科第三代氮化鎵器件具備卓越的快速開關特性、高效率、高功率密度及優異可靠性。通過整合 800 VDC 電源架構與英諾賽科氮化鎵技術，人工智能數據中心將實現從千瓦級機架到兆瓦級機架的飛躍，開啓更高效、更高性能、更可靠且更環保的人工智能加速計算新時代。

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