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title: "華創證券：國產整機與核心子系統加速突破 光刻機國產替代迎來奇點時刻"
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locale: "zh-HK"
url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/261160801.md"
description: "華創證券發佈研報指出，國產光刻機在政策、需求與驗證的推動下，預計將進入商業化加速階段。光刻機是半導體設備中最複雜、價值最高的環節，2024 年中國將成為全球最大光刻機採購市場。建議關注具備核心能力的本土廠商如茂萊光學和匯成真空。光刻機市場份額預計將達到 24%。"
datetime: "2025-10-15T01:44:05.000Z"
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# 華創證券：國產整機與核心子系統加速突破 光刻機國產替代迎來奇點時刻

智通財經 APP 獲悉，華創證券發佈研報稱，光刻機是半導體設備中最複雜、價值量最高的環節，也是國產化進程中亟待攻克的高地。2024 年中國已成為全球最大光刻機採購市場，貢獻 ASML 營收 41%。未來在政策、需求與驗證三重驅動下，國產光刻機有望進入商業化加速階段。國產整機與核心子系統加速突破，進入從驗證向量產轉化的關鍵階段，建議關注具備核心環節能力的本土廠商茂萊光學 (688502.SH)、匯成真空 (301392.SZ) 等。

## 華創證券主要觀點如下：

**光刻機是半導體設備中最複雜、價值量最高的環節，也是國產化進程中亟待攻克的高地**

光刻作為晶圓製造的核心工序，承擔電路圖形轉移的關鍵使命，單機價值量居半導體設備首位。根據觀研天下數據中心，2024 年光刻機以約 24% 的市場份額在半導體設備中佔比最高。

光刻機演進遵循瑞利判據 (CD=k·λ/NA)，通過光源波長縮短、數值孔徑提升及工藝因子優化，延續摩爾定律推動工藝節點突破。1) 汞燈到 DUV 再到 EUV，波長逐步縮短;2) 浸沒式技術突破折射率瓶頸，使 NA 提升至 1.35;3) 工藝因子優化，離軸照明、OPC、相移掩模、多重曝光等系統性優化手段擴展工藝窗口;4) 曝光方式由接觸式演進至步進掃描投影，確立現代主流架構。

光源系統、光學系統與工作台系統三大核心子系統構成，分別承載能量供給、圖形成像與精準對位三大關鍵功能。光源系統通過不斷縮短波長以提升分辨率，演進路徑從汞燈、KrF、ArF 擴展至 EUV 激光等離子體光源;光學系統作為成像核心，DUV 時代以高 NA 折射透鏡為主，EUV 時代則轉向多層反射鏡體系以適應光源波長極限，架構顯著改變;而工作台系統則承擔晶圓高速移動與高精度對準，在浸沒式與 EUV 設備中演進至雙工件台和磁懸浮結構，支撐高通量與納米級精度協同。三大系統協同推進光刻精度提升、良率改善與產能釋放，共同構築整機壁壘。

**他山之石可以攻玉，覆盤光刻機產業五十年龍頭更替史**

美系廠商憑藉半導體發源地優勢率先起步，日系企業依託精密光學與政策扶持在 DUV 時代登頂;ASML 則通過三次代際躍升實現跨越反超：2000 年 TWINSCAN 雙工件台提升產能效率，2004 年浸沒式 ArF 突破光學極限，2007 年市佔率超越尼康。此後，依託 EUV 光源獨家攻關與客户聯合投資，ASML 於 2017 年實現量產交付，奠定先進製程核心地位。與此同時，公司併購 Cymer、HMI、Berliner Glas 並深度綁定蔡司，形成覆蓋光源、光學、檢測的閉環壁壘。全球格局上，2024 年 ASML/Canon/Nikon 市佔率分別為 61.2%/34.1%/4.7%，Canon 與 Nikon 聚焦 KrF 與 i-line 等成熟機型，而 ASML 在 ArFi 浸沒式與 EUV 領域高度壟斷。未來，隨着 ASMLHigh-NA 逐步量產，高端市場 “一超” 格局有望進一步穩固。

**需求、政策與外部環境共振，國產替代迎來追趕窗口期**

2024 年中國已成為全球最大光刻機採購市場，貢獻 ASML 營收 41%。當前中國光刻機高端機型依賴進口，在美日荷聯合封鎖風險下，國產化進度勢在必得。政策端 “02 專項” 體系化佈局曝光光學、雙工件台、浸液系統等核心環節，推動國產技術快速迭代，上海微電子、華卓精科等已在 90nm ArF 機型與雙工件台實現突破。未來在政策、需求與驗證三重驅動下，國產光刻機有望進入商業化加速階段。

**風險提示：**技術驗證進度不及預期、下游擴產需求不及預期、原材料成本波動風險、競爭格局演變風險。

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