安森美半導體與英諾賽科攜手合作，加速全球氮化鎵功率器件的生產
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安森美半導體（ON Semiconductor Corporation，簡稱 onsemi）與英諾賽科（Innoscience）簽署了一份諒解備忘錄，以擴大氮化鎵（GaN）功率器件的生產。此次合作旨在利用 onsemi 的系統集成專業知識和英諾賽科的氮化鎵晶圓製造能力，加速在各個市場推出節能解決方案，目標是在 2030 年前實現 29 億美元的市場機會
安森美半導體公司（onsemi）已宣佈與英諾賽科簽署諒解備忘錄，以探索擴大氮化鎵（GaN）功率器件的生產。此次合作旨在將 onsemi 在系統集成、驅動器和封裝方面的專業知識與英諾賽科的大規模 GaN 晶圓製造能力相結合。預計這一合作將加速全球能源高效 GaN 功率解決方案的推廣，目標市場包括工業、汽車、電信基礎設施、消費電子和人工智能數據中心。雙方的共同努力旨在提供具有成本效益、更小且更高效的功率器件，並擴大 GaN 製造規模，以滿足到 2030 年預計達到 29 億美元的市場機會。免責聲明：本新聞簡報由公共技術公司（PUBT）使用生成性人工智能創建。儘管 PUBT 努力提供準確和及時的信息，但此 AI 生成的內容僅供參考，不應被解讀為財務、投資或法律建議。安森美半導體公司通過 GlobeNewswire（參考 ID：GNW9595363-en）於 2025 年 12 月 02 日發佈了用於生成本新聞簡報的原始內容，並對此信息的準確性承擔全部責任。© 版權 2025 - 公共技術公司（PUBT）
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