<p>新聞：微電子</p>
<p>美國國際貿易委員會初步裁定 Innoscience 侵犯 Infineon 專利</p>
<p>在一項初步裁定中，美國國際貿易委員會（ITC）發現中國 Innoscience（蘇州）科技控股有限公司侵犯了德國慕尼黑的 Infineon Technologies AG 擁有的一項專利（US 9,899,481），該專利涉及氮化鎵（GaN）技術。Innoscience 在 8 英寸硅晶圓上製造氮化鎵功率芯片。此外，ITC 確認 Infineon 在 ITC 程序中主張的兩項專利（US 9,899,481 和 9,070,755）在法律上有效。</p>
<p>此案的核心是 Innoscience 未經授權使用 Infineon 的專利 GaN 技術。委員會的最終裁定預計將在 2026 年 4 月 2 日發佈。如果這一初步決定得到確認，將導致 Innoscience 涉嫌侵權產品禁止進口到美國。</p>
<p>“這一裁決再次證明了 Infineon 知識產權的強大，並確認我們致力於積極捍衞我們的專利組合，確保市場公平競爭，” Infineon GaN 系統業務線高級副總裁兼負責人 Johannes Schoiswohl 表示。“我們將繼續致力於推動創新和推進半導體技術，以應對全球最緊迫的挑戰，從脱碳到數字化轉型。”</p>
<p>在德國的平行爭議中，德國專利局最近確認了一項 Infineon 專利的有效性，並以稍微修改的形式維持該專利。Infineon 在慕尼黑地區法院主張該專利（DE102017100947）被侵犯。早在 8 月，慕尼黑地區法院 I（Landgericht München I）就發現 Innoscience 侵犯了另一項 Infineon 專利（DE102014113465）。</p>
<p>慕尼黑地區法院在針對 Innoscience 的專利侵權案中裁定支持 Infineon</p>
<p>Innoscience 在中國對 Infineon 提起訴訟</p>
<p>Infineon 在針對 Innoscience 的侵權訴訟中增加三項專利</p>
<p>Innoscience 駁斥 Infineon 關於專利侵權的美國訴訟</p>
<p>Infineon 在美國對 Innoscience 提起訴訟</p>
<p>GaN-on-SiInfineon</p>
<p>www.infineon.com</p>
<p>www.innoscience.com</p>

英諾賽科

<p>美國國際貿易委員會（ITC）初步裁定英諾賽科侵犯了英飛凌與氮化鎵技術相關的專利（美國專利號 9,899,481）。英飛凌主張的兩個專利均被認為有效。最終裁決預計將在 2026 年 4 月作出，這可能導致英諾賽科產品在美國的進口禁令。英飛凌強調其致力於捍衞專利和促進創新。與此同時，德國也正在進行平行法律行動，英飛凌獲得了有利的裁決</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：微電子</p>
</div><p>US ITC preliminary determination finds violation of Infineon patent by Innoscience</p>
<div class="lb-trans"><p>美國國際貿易委員會初步裁定 Innoscience 侵犯 Infineon 專利</p>
</div><p>In a preliminary determination, the US International Trade Commission (ITC) has found violation of one patent (US 9,899,481) owned by Infineon Technologies AG of Munich, Germany concerning gallium nitride (GaN) technology by China-based Innoscience (Suzhou) Technology Holding Co Ltd, which manufactures GaN-on-silicon power chips on 8” silicon wafers. In addition, the ITC confirmed that both patents asserted by Infineon in the proceedings before the ITC (US 9,899,481 and 9,070,755) are legally valid.</p>
<div class="lb-trans"><p>在一項初步裁定中，美國國際貿易委員會（ITC）發現中國 Innoscience（蘇州）科技控股有限公司侵犯了德國慕尼黑的 Infineon Technologies AG 擁有的一項專利（US 9,899,481），該專利涉及氮化鎵（GaN）技術。Innoscience 在 8 英寸硅晶圓上製造氮化鎵功率芯片。此外，ITC 確認 Infineon 在 ITC 程序中主張的兩項專利（US 9,899,481 和 9,070,755）在法律上有效。</p>
</div><p>The case centers on the unauthorized use of Infineon’s patented GaN technologies by Innoscience. The Commission’s final determination is expected to be issued on 2 April 2026. If this preliminary decision is confirmed, then it will lead to an import ban of Innoscience’s allegedly infringing products into the USA.</p>
<div class="lb-trans"><p>此案的核心是 Innoscience 未經授權使用 Infineon 的專利 GaN 技術。委員會的最終裁定預計將在 2026 年 4 月 2 日發佈。如果這一初步決定得到確認，將導致 Innoscience 涉嫌侵權產品禁止進口到美國。</p>
</div><p>“This ruling is another testament to the strength of Infineon’s intellectual property and confirms our commitment to vigorously defend our patent portfolio against infringements and ensuring fair competition in the market,” says Johannes Schoiswohl, senior VP &amp; head of Infineon’s GaN Systems business line. “We remain dedicated to fostering innovation and advancing semiconductor technology to address the world's most pressing challenges, from decarbonization to digital transformation.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“這一裁決再次證明了 Infineon 知識產權的強大，並確認我們致力於積極捍衞我們的專利組合，確保市場公平競爭，” Infineon GaN 系統業務線高級副總裁兼負責人 Johannes Schoiswohl 表示。“我們將繼續致力於推動創新和推進半導體技術，以應對全球最緊迫的挑戰，從脱碳到數字化轉型。”</p>
</div><p>In a parallel dispute in Germany, the German patent office recently confirmed the validity of an Infineon patent and upheld it in slightly amended form. Infineon is asserting infringement of this patent (DE102017100947) in the Munich District Court. Already in August, the Munich District Court I (Landgericht München I) found infringement by Innoscience of another Infineon patent (DE102014113465).</p>
<div class="lb-trans"><p>在德國的平行爭議中，德國專利局最近確認了一項 Infineon 專利的有效性，並以稍微修改的形式維持該專利。Infineon 在慕尼黑地區法院主張該專利（DE102017100947）被侵犯。早在 8 月，慕尼黑地區法院 I（Landgericht München I）就發現 Innoscience 侵犯了另一項 Infineon 專利（DE102014113465）。</p>
</div><p>Munich District Court rules in favor of Infineon in patent-infringement case against Innoscience</p>
<div class="lb-trans"><p>慕尼黑地區法院在針對 Innoscience 的專利侵權案中裁定支持 Infineon</p>
</div><p>Innoscience files lawsuits against Infineon in China</p>
<div class="lb-trans"><p>Innoscience 在中國對 Infineon 提起訴訟</p>
</div><p>Infineon adds three patents to infringement lawsuit against Innoscience</p>
<div class="lb-trans"><p>Infineon 在針對 Innoscience 的侵權訴訟中增加三項專利</p>
</div><p>Innoscience refutes Infineon’s US lawsuit alleging patent infringement</p>
<div class="lb-trans"><p>Innoscience 駁斥 Infineon 關於專利侵權的美國訴訟</p>
</div><p>Infineon files lawsuit in USA against Innoscience</p>
<div class="lb-trans"><p>Infineon 在美國對 Innoscience 提起訴訟</p>
</div><p>GaN-on-SiInfineon</p>
<div class="lb-trans"><p>GaN-on-SiInfineon</p>
</div><p>www.infineon.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.infineon.com</p>
</div><p>www.innoscience.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.innoscience.com</p>
</div>

美國國際貿易委員會初步裁定英諾賽科侵犯了英飛凌的專利