<p>新聞：微電子</p>
<p>KnowMade 表示，全球知識產權動態突顯出 2025 年第三季度氮化鎵（GaN）創新活動的激增</p>
<p>KnowMade 發佈了其《2025 年第三季度 GaN 專利監測報告》，該報告突出了 2025 年第三季度氮化鎵（GaN）創新趨勢、不斷變化的競爭知識產權格局以及塑造未來電力和射頻電子技術的技術進步。</p>
<p>2025 年第三季度的專利格局確認了 GaN 工業擴張的加速。在這一季度，發佈了 599 個新的專利族，保持了高創新速度。值得注意的是，這些專利中有 70% 來自中國企業，顯示出中國在 GaN 發展方面的持續推動。</p>
<p>基於應用的詳細分類揭示了電力電子領域的強勁勢頭：</p>
<ul>
<li>376 個新的專利族針對電力應用，顯著超過射頻技術；</li>
<li>107 個專利族專注於射頻應用；</li>
<li>超過 110 個專利族涉及多個應用領域，反映出 GaN 材料和器件的廣泛相關性。</li>
</ul>
<p>這一持續的知識產權流動展示了全球對 GaN 技術的強烈興趣，涵蓋了能源效率、快速充電系統、電動汽車（EV）動力系統、電信基礎設施和高頻組件，這些都是 2025 年第三季度 GaN 創新的核心驅動因素。</p>
<h2>新進入者加入 GaN 知識產權格局</h2>
<p>2025 年第三季度，許多知識產權新進入者首次申請與 GaN 電子相關的專利，其中大多數是中國公司。幾家值得注意的非中國新進入者也做出了重要貢獻：</p>
<ul>
<li>法國的 Alpsemi 披露了一種高電壓高電子遷移率晶體管（HEMT）外延結構，專用於先進的電力轉換；</li>
<li>韓國的 SK Foundry 推出了一種 GaN 晶體管結構，旨在減輕電流崩潰，提高器件可靠性；</li>
<li>美國的 Atomera 推出了一種超晶格結構，能夠增強 GaN-on-silicon 外延中的應力和應變控制，同時促進與生長基底的自我分離——這是一個關鍵的製造優勢。</li>
</ul>
<h2>突破性的協作創新</h2>
<p>2025 年第三季度 GaN 創新的一個亮點是加州大學、馬里蘭大學、弗吉尼亞大學和美國海軍之間的顯著學術 - 軍事合作。合作伙伴引入了碳化物 ‘聲子橋層’，旨在減少集成鑽石散熱器與鋁鎵氮（AlGaN）HEMT 之間的熱邊界阻力。這一發展可能會在 GaN 器件的熱管理方面帶來顯著改善。</p>
<h2>加強已建立企業的知識產權地位</h2>
<p>確認 GaN 生態系統的競爭整合，2025 年第三季度還記錄了 426 個首次獲得授權的專利族，包括：</p>
<ul>
<li>超過 230 個新授權的專利族涉及電力應用，而射頻應用為 90 個；</li>
<li>大約 100 個新授權的專利族涵蓋多應用發明。</li>
</ul>
<p>在電力 GaN 市場參與者中，英飛凌在本季度的 GaN 知識產權表現中脱穎而出，獲得了 15 個新授權的專利族，遠超 Innoscience（7 個）和羅姆（3 個）。英飛凌的新授權專利涵蓋 GaN 晶體管、製造方法、低電感封裝、電力集成電路和基於 DC/DC 轉換器的系統。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Image2-3.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="825" height="469" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Image2-3.jpg"/></p>
<p>主要代工廠也加強了其知識產權地位：UMC 獲得了八個授權專利；台積電和格芯各自通過增加三個授權專利族來增強其知識產權組合。</p>
<p>這種競爭動態強調了一個快速成熟的行業，其中集成器件製造商（IDMs）和代工廠都在基礎 GaN 技術上進行大量投資，KnowMade 總結道。</p>
<p>更多參與者展示了針對電力和射頻 GaN 技術的共同知識產權戰略</p>
<p>垂直 GaN 電力器件的知識產權競爭狀態</p>
<p>GaN 電力器件</p>
<p>www.knowmade.com</p>

ATOM

格芯

<p>KnowMade 的 2025 年第三季度氮化鎵專利監測報告顯示，氮化鎵技術的創新顯著，共發佈了 599 個新的專利家族，其中 70% 來自中國。關鍵領域包括電力電子和射頻應用。Alpsemi、SK Foundry 和 Atomera 的顯著貢獻突顯了全球的關注。美國的學術與軍事合作在熱管理方面取得了突破。英飛凌在新授予的專利中處於領先地位，主要的代工廠如聯電、台積電和格芯也在加強其知識產權地位，這表明氮化鎵行業正在成熟</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞：微電子</p>
</div><p>Global IP dynamics highlight surging GaN innovation activity in Q3/2025, says KnowMade</p>
<div class="lb-trans"><p>KnowMade 表示，全球知識產權動態突顯出 2025 年第三季度氮化鎵（GaN）創新活動的激增</p>
</div><p>KnowMade has released its ‘Q3 2025 GaN Patent Monitor’, which highlights major gallium nitride (GaN) innovation trends in third-quarter 2025, the evolving competitive IP landscape, and the technological advances shaping future power and RF electronics.</p>
<div class="lb-trans"><p>KnowMade 發佈了其《2025 年第三季度 GaN 專利監測報告》，該報告突出了 2025 年第三季度氮化鎵（GaN）創新趨勢、不斷變化的競爭知識產權格局以及塑造未來電力和射頻電子技術的技術進步。</p>
</div><p>The Q3/2025 patent landscape confirms GaN’s accelerating industrial expansion. During the quarter, 599 new patent families were published, maintaining a high innovation pace. Notably, 70% of these originated from Chinese players, demonstrating China’s continued drive to lead GaN development.</p>
<div class="lb-trans"><p>2025 年第三季度的專利格局確認了 GaN 工業擴張的加速。在這一季度，發佈了 599 個新的專利族，保持了高創新速度。值得注意的是，這些專利中有 70% 來自中國企業，顯示出中國在 GaN 發展方面的持續推動。</p>
</div><p>A detailed application-based breakdown reveals strong momentum in power electronics:</p>
<div class="lb-trans"><p>基於應用的詳細分類揭示了電力電子領域的強勁勢頭：</p>
</div><ul>
<li>376 new patent families targeted power applications, significantly outpacing RF technologies;</li>
<li>107 patent families focused on RF applications;</li>
<li>over 110 patent families addressed multiple application fields, reflecting the transversal relevance of GaN materials and devices.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>376 個新的專利族針對電力應用，顯著超過射頻技術；</li>
<li>107 個專利族專注於射頻應用；</li>
<li>超過 110 個專利族涉及多個應用領域，反映出 GaN 材料和器件的廣泛相關性。</li>
</ul>
</div><p>This sustained IP flow illustrates the robust global interest in GaN technologies across energy efficiency, fast-charging systems, electric vehicle (EV) powertrains, telecom infrastructure, and high-frequency components, all central drivers of Q3/2025 GaN innovation.</p>
<div class="lb-trans"><p>這一持續的知識產權流動展示了全球對 GaN 技術的強烈興趣，涵蓋了能源效率、快速充電系統、電動汽車（EV）動力系統、電信基礎設施和高頻組件，這些都是 2025 年第三季度 GaN 創新的核心驅動因素。</p>
</div><h2>Newcomers joining GaN IP landscape</h2>
<div class="lb-trans"><h2>新進入者加入 GaN 知識產權格局</h2>
</div><p>Q3/2025 saw a high number of IP newcomers filing their first GaN-electronics-related patents, most of them being Chinese companies. Several notable non-Chinese new entrants introduced meaningful contributions:</p>
<div class="lb-trans"><p>2025 年第三季度，許多知識產權新進入者首次申請與 GaN 電子相關的專利，其中大多數是中國公司。幾家值得注意的非中國新進入者也做出了重要貢獻：</p>
</div><ul>
<li>Alpsemi (in France) disclosed a high-voltage high-electron-mobility transistor (HEMT) epitaxial structure dedicated to advanced power conversion;</li>
<li>Soth Korea-based SK Foundry introduced a GaN transistor structure designed to mitigate current collapse, improving device reliability;</li>
<li>Atomera (in USA) unveiled a superlattice structure enabling enhanced stress and strain control in GaN-on-silicon epitaxy while facilitating self-separation from the growth substrate — a key manufacturing advantage.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>法國的 Alpsemi 披露了一種高電壓高電子遷移率晶體管（HEMT）外延結構，專用於先進的電力轉換；</li>
<li>韓國的 SK Foundry 推出了一種 GaN 晶體管結構，旨在減輕電流崩潰，提高器件可靠性；</li>
<li>美國的 Atomera 推出了一種超晶格結構，能夠增強 GaN-on-silicon 外延中的應力和應變控制，同時促進與生長基底的自我分離——這是一個關鍵的製造優勢。</li>
</ul>
</div><h2>Breakthrough collaborative innovation</h2>
<div class="lb-trans"><h2>突破性的協作創新</h2>
</div><p>A highlight of Q3/2025 GaN innovation is a prominent US-based academic–military collaboration between the University of California, University of Maryland, University of Virginia, and the US Navy. The partners introduced carbide ‘phonon bridge layers’, engineered to reduce thermal boundary resistance between an integrated diamond heat spreader and an aluminium gallium nitride (AlGaN) HEMT. This development could unlock dramatic improvements in GaN device thermal management.</p>
<div class="lb-trans"><p>2025 年第三季度 GaN 創新的一個亮點是加州大學、馬里蘭大學、弗吉尼亞大學和美國海軍之間的顯著學術 - 軍事合作。合作伙伴引入了碳化物 ‘聲子橋層’，旨在減少集成鑽石散熱器與鋁鎵氮（AlGaN）HEMT 之間的熱邊界阻力。這一發展可能會在 GaN 器件的熱管理方面帶來顯著改善。</p>
</div><h2>Strengthening IP positions among established players</h2>
<div class="lb-trans"><h2>加強已建立企業的知識產權地位</h2>
</div><p>Confirming the competitive consolidation of the GaN ecosystem, Q3/2025 also recorded 426 patent families being granted for the first time, including:</p>
<div class="lb-trans"><p>確認 GaN 生態系統的競爭整合，2025 年第三季度還記錄了 426 個首次獲得授權的專利族，包括：</p>
</div><ul>
<li>over 230 newly granted families concerned power applications, versus 90 for RF;</li>
<li>about 100 newly granted families covered multi-application inventions.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>超過 230 個新授權的專利族涉及電力應用，而射頻應用為 90 個；</li>
<li>大約 100 個新授權的專利族涵蓋多應用發明。</li>
</ul>
</div><p>Among the power GaN market players, Infineon stands out as the quarter’s strongest GaN IP performer, securing 15 newly granted patent families, well ahead of Innoscience (7) and Rohm (3). Infineon’s newly granted patents span GaN transistors, manufacturing methods, low-inductance packaging, power ICs, and DC/DC converter-based systems.</p>
<div class="lb-trans"><p>在電力 GaN 市場參與者中，英飛凌在本季度的 GaN 知識產權表現中脱穎而出，獲得了 15 個新授權的專利族，遠超 Innoscience（7 個）和羅姆（3 個）。英飛凌的新授權專利涵蓋 GaN 晶體管、製造方法、低電感封裝、電力集成電路和基於 DC/DC 轉換器的系統。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Image2-3.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2025/dec/Image2-3.jpg"/></p>
<p>Major foundries also reinforced their IP position: UMC obtained eight granted patents; TSMC and GlobalFoundries each strengthened their IP portfolios with three additional granted patent families.</p>
<div class="lb-trans"><p>主要代工廠也加強了其知識產權地位：UMC 獲得了八個授權專利；台積電和格芯各自通過增加三個授權專利族來增強其知識產權組合。</p>
</div><p>This competitive dynamic underscores a rapidly maturing industry in which both integrated device manufacturers (IDMs) and foundries are investing heavily in foundational GaN technologies, concludes KnowMade.</p>
<div class="lb-trans"><p>這種競爭動態強調了一個快速成熟的行業，其中集成器件製造商（IDMs）和代工廠都在基礎 GaN 技術上進行大量投資，KnowMade 總結道。</p>
</div><p>More players exhibiting a common IP strategy for power and RF GaN technologies</p>
<div class="lb-trans"><p>更多參與者展示了針對電力和射頻 GaN 技術的共同知識產權戰略</p>
</div><p>Status of the IP competition for vertical GaN power devices</p>
<div class="lb-trans"><p>垂直 GaN 電力器件的知識產權競爭狀態</p>
</div><p>GaN power devices</p>
<div class="lb-trans"><p>GaN 電力器件</p>
</div><p>www.knowmade.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.knowmade.com</p>
</div>

KnowMade 表示，全球知識產權動態顯示 2025 年第三季度氮化鎵（GaN）創新活動顯著增加