--- title: "華為最新的手機搭載了中國目前最先進的工藝節點，儘管使用了被列入黑名單的芯片製造商——華為麒麟 9030 移動 SoC 採用中芯國際的 N+3 工藝製造，但仍無法與 5nm 節點相媲美" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/269613244.md" description: "華為的麒麟 9030 系統芯片，應用於 Mate 80 系列智能手機，基於中芯國際的 N+3 工藝，這是一種先進但不屬於 5nm 級別的技術。儘管其核心數量比前代產品更多，但面臨產量挑戰，並不是一次真正的代際飛躍。中芯國際的 N+3 是其 7nm 級技術的延伸，缺乏台積電和三星 5nm 工藝的縮放能力" datetime: "2025-12-12T16:24:42.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/269613244.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/269613244.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/269613244.md) --- # 華為最新的手機搭載了中國目前最先進的工藝節點，儘管使用了被列入黑名單的芯片製造商——華為麒麟 9030 移動 SoC 採用中芯國際的 N+3 工藝製造，但仍無法與 5nm 節點相媲美 _當您通過我們文章中的鏈接購買時，Future 及其合作伙伴可能會獲得佣金。_ 來源：中芯國際 TechInsights 是一家受人尊敬的微電子研究公司，已對華為最新的海思 Kirin 9030 處理器進行了研究，發現其採用了他們所稱的 N+3 製造技術，這是中國半導體制造國際公司（SMIC）所能提供的最先進的製造工藝。儘管 TechInsights 聲稱 SMIC 的 N+3 是朝向 5nm 的一步，但它落後於領先芯片製造商的 5nm 級製造技術。 華為的海思 Kirin 9030 和 Kirin 9030 Pro 是該公司最新的系統級芯片（SoC），為 Mate 80 系列智能手機提供動力。標準版 reportedly 擁有 12 個核心，而 Pro 版則擁有 14 個核心，因此這兩款 SoC 在核心數量上超越了華為 2020 年的八核 Kirin 9000（由台積電使用其 5nm 級工藝技術製造），這表明該公司找到了一種方法，可以在不顯著增加功耗的情況下擠入更多核心，這顯然暗示了新的製造工藝。 實際上，TechInsights 的結構和尺寸分析確認 Kirin 9030 是使用 SMIC 的 N+3 製造技術製造的。然而，正如 SemiAnalysis 所估計的那樣，SMIC 的 N+3 並不是一個 5nm 級的製造工藝，正如人們可能認為的那樣，而是介於 7nm 和 5nm 之間，因此並不是一個真正的代際飛躍。這仍然意味着 SMIC 已經成功地將其最先進的製造技術推進到 N+1（第一代 7nm 級）和 N+2（第二代 7nm 級）之後，使用的是 2022 年前購買的設備以及一些國內工具。 "Kirin 9030 是使用 SMIC 的 N+3 工藝製造的，這是其之前 7nm（N+2）節點的擴展，" TechInsights 的分析師 Rajesh Krishnamurthy 寫道。"然而，從絕對值來看，N+3 仍然遠遠低於行業的 5nm 工藝，來自台積電和三星。雖然 SMIC 在基於 DUV 的圖案化和 DTCO 技術方面進行了顯著創新，但該工藝預計將面臨重大的良率挑戰，特別是由於使用 DUV 多圖案化的金屬間距的激進縮放。" TechInsights 的結論並沒有透露太多，但至少措辭明確表明 N+3 並不是一個真正的代際飛躍，而是 SMIC 現有 7nm 級技術的增量擴展。通過稱其為 N+2 的 “擴展”，分析師們暗示前端縮放基本上已經耗盡：鰭間距（FP）、接觸聚合物間距（CPP）和基本晶體管幾何形狀沒有發生實質性變化。相反，SMIC 通過 DUV 驅動的 DTCO 和後端（BEOL）技巧提取剩餘的增益（該公司已經使用這些方法使其 N+1 成為 7nm 級節點的可行替代品），而不是通過與台積電或三星的 5nm 級工藝相當的乾淨節點過渡。 最重要的技術警告是關注使用 DUV 多圖案化的激進縮放金屬間距，因為多圖案化是風險集中之處。使用 DUV 縮放 BEOL 需要多個圖案化步驟，這些步驟必須非常精確地對齊，每一步都會增加線條粗糙度（通過錯位）和缺陷風險。與 FEOL 不同，FEOL 的性能逐漸下降，BEOL 的良率一旦超過疊加和變異預算就可能突然崩潰，這必須是 TechInsights 明確標記良率挑戰而不是原始縮放限制的原因。 總體而言，N+3 表明 SMIC 仍然可以在沒有 EUV 的情況下提高密度，但僅在快速上升的成本和下降的良率餘地下。這種設計決策使得該工藝更接近於 7nm/6nm 級節點，而不是 5nm 級節點。此外，這表明 SMIC 未來的進展將更依賴於通過 DTCO（這並不是無限的，可以這麼説）、創新的高密度庫和保守的時鐘，而不是進一步的光刻縮小，因為看起來該代工廠在 FEOL 層面只能做到這些。當然，先進的封裝仍然是 SMIC 未來擴展的最可行路徑，但這對於移動和其他低功耗設備並不真正適用。 Google 優選來源 _在 Google 新聞上關注_ _Tom's Hardware_ _，或_ _將我們添加為優選來源_ _，以便在您的信息流中獲取我們的最新新聞、分析和評論。_ ### 相關股票 - [HUAWEI.NA](https://longbridge.com/zh-HK/quote/HUAWEI.NA.md) ## 相關資訊與研究 - [HUAWEI Pura 90 系列傳 4 月 18 日亮相，不過真正的發佈日是…](https://longbridge.com/zh-HK/news/282263389.md) - [跑者終極進化：HUAWEI Watch GT Runner 2 評測，挑戰專業運動手錶新高度](https://longbridge.com/zh-HK/news/282123797.md) - [【AI】華為雲擬 6 月發布 AI 全系產品，涵蓋 AI 雲基礎設施、自研「龍蝦」等](https://longbridge.com/zh-HK/news/282144676.md) - [《華為動向》華為 Pura X Max 今日開啟預訂，為行業首款橫向闊折疊手機](https://longbridge.com/zh-HK/news/282483401.md) - [輕巧時尚＋工藝感！S.T. Dupont 用精品配件獻給每位獨特女性](https://longbridge.com/zh-HK/news/282528135.md)