--- title: "三星、SK 海力士財報同日對決，雙雙衝刺史上最好業績，HBM4 之爭全面升級" description: "三星與 SK 海力士將在 1 月 29 日同日發佈財報。三星因傳統 DRAM 價格反彈，Q4 營業利潤預計激增 208%，有望首次突破 20 萬億韓元，迅速縮小與 SK 海力士的利潤差距。雙方正激烈角逐，力爭在 2026 年達到業績巔峯，鉅額資本支出與下一代 HBM4 芯片的供應爭奪將成為焦點，直接影響未來市場格局。" type: "news" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/273365811.md" published_at: "2026-01-22T11:37:39.000Z" --- # 三星、SK 海力士財報同日對決，雙雙衝刺史上最好業績，HBM4 之爭全面升級 > 三星與 SK 海力士將在 1 月 29 日同日發佈財報。三星因傳統 DRAM 價格反彈，Q4 營業利潤預計激增 208%，有望首次突破 20 萬億韓元，迅速縮小與 SK 海力士的利潤差距。雙方正激烈角逐，力爭在 2026 年達到業績巔峯，鉅額資本支出與下一代 HBM4 芯片的供應爭奪將成為焦點，直接影響未來市場格局。 在全球存儲芯片市場因供需緊張和需求強勁而迎來價格飆升之際，三星電子與 SK 海力士即將於 1 月 29 日同日發佈 2025 年第四季度財報。這將是兩大巨頭首次在同一天公佈業績，不僅標誌着存儲行業的週期性復甦進入關鍵階段，更因雙方在利潤表現、未來資本開支及下一代高帶寬內存（HBM）技術上的激烈博弈而備受投資者關注。 最新的業績前瞻顯示，三星電子有望交出一份歷史性的季度答卷，其第四季度營收預計突破 90 萬億韓元，營業利潤同比激增 208%，或成為首家單季營業利潤突破 20 萬億韓元的韓國企業。這一強勁表現主要得益於其存儲半導體業務的迅猛反彈，不僅大幅縮小了與 SK 海力士的盈利差距，更有望在隨後的季度實現反超。與此同時，儘管 SK 海力士因高度依賴 HBM 而受制於傳統 DRAM 價格上漲帶來的紅利有限，但市場仍預計其季度營業利潤將達到至少 18 萬億韓元。 此次財報發佈的另一大看點在於兩家公司對 2026 年業績峯值的展望及資本支出計劃。隨着內存供應緊張局面預計將持續至 2027 年，分**析師普遍預測兩大巨頭將在 2026 年雙雙邁入 “100 萬億韓元營業利潤俱樂部”。**此外，兩家公司在下一代 HBM4 芯片供應上的競爭態勢也將成為焦點，尤其是雙方已向英偉達交付付費最終樣品，這直接關係到未來高利潤市場的份額分配。 投資者正密切留意此次財報電話會議中關於產能擴張和技術路線圖的信號**。市場普遍預期，三星將大幅增加在存儲領域的投資以提升 HBM 產量及推進得克薩斯州 Taylor 工廠建設，而 SK 海力士的資本支出預計將在 2026 年突破 30 萬億韓元，重點投向 M15X 晶圓廠及龍仁半導體集羣。** ## **利潤差距顯著收窄** 隨着商品 DRAM 價格自 2025 年下半年起反彈，以及主流 DRAM 出貨量的增加，三星電子的存儲部門盈利能力正在快速恢復。據 ZDNet 引用的預測數據，三星電子存儲半導體業務的營業利潤預計將在 17 萬億韓元的高位區間。如果整體財報預測成真，三星將不僅創下營收同比增長 22.7% 的佳績，更有望成為韓國曆史上首個單季營業利潤達到 20 萬億韓元（約合 138.2 億美元）的企業。 相比之下，SK 海力士雖然最初預計營業利潤在 16 至 17 萬億韓元之間，但據 ZDNet 引用的行業消息，其第四季度營業利潤現已被上調至至少 18 萬億韓元。然而，分析指出，由於 SK 海力士的業務結構更側重於 HBM，這在一定程度上限制了其從近期傳統 DRAM 價格飆升中獲取的收益幅度。 **市場普遍預期這一追趕態勢將在 2026 年第一季度發生逆轉。**根據 ZDNet 的報道，**隨着商品 DRAM 價格預計再次大幅上漲，三星存儲部門的營業利潤有望在該季度超越 SK 海力士。**TrendForce 的數據顯示，2026 年第一季度主流 DRAM 的平均售價預計將環比跳漲 55% 至 60%。 ## 2026 年或迎業績巔峯 在內存供應緊張預計將延續至 2027 年的背景下，兩家韓國存儲巨頭正蓄勢待發，準備在 2026 年迎來業績巔峯。據媒體報道，**分析師預測 SK 海力士在 2026 年的銷售額將超過 165 萬億韓元，營業利潤突破 100 萬億韓元。**與此同時，麥格理和 KB 證券的投行報告指出**，三星電子 2026 年的營業利潤也可能達到約 150 萬億韓元，這意味着兩家公司都將穩固地邁入 “100 萬億韓元營業利潤俱樂部”。** 為了支撐這一增長預期，鉅額資本支出計劃已在醖釀之中。儘管官方尚未發佈詳細計劃，但據 The Bell 此前報道，SK 海力士的資本支出在 2024 年達到 10 萬億韓元的高位區間，2025 年增至 20 萬億韓元的中段區間，並預計在 2026 年超過 30 萬億韓元。媒體稱，該公司已將數百億韓元投入清州 M15X 晶圓廠和龍仁集羣項目。 三星方面同樣計劃激進擴張。媒體報道稱，三星計劃在 2025 年 DS 部門支出 40.9 萬億韓元的基礎上，於 2026 年大幅增加存儲領域的投資。其關鍵優先事項包括提升 HBM 產量、擴建平澤 DS 基地以及推進得克薩斯州 Taylor 晶圓廠的建設。 ## **HBM4 技術競賽白熱化** 除了財務數據，兩大巨頭在 HBM4 領域的爭奪戰也在升温。TrendForce 指出，英偉達在 2025 年第三季度修改了其 Rubin 平台的 HBM4 規格，將單引腳速度要求提高至 11 Gbps 以上，這迫使三大 HBM 供應商必須修改設計。 據 SeDaily 報道，三星和 SK 海力士已於 2025 年底開始向英偉達交付付費的 HBM4 最終樣品。行業預計，**具體的供應量和定價將在 2026 年第一季度鎖定**，TrendForce 補充稱，最終結果將在本季度中後期合同正式敲定後明朗化。 在這場技術競賽中，三星試圖通過採用 1Cnm 工藝製造 HBM4，並利用先進的內部代工技術生產基礎裸片來挑戰 SK 海力士，這有望提供更高的傳輸速度。儘管如此，TrendForce 指出，SK 海力士已經獲得相關合同，並預計在 2026 年仍將保持在 HBM 總供應量中的主導份額。 ### Related Stocks - [PSI.US - 動態半導體 ETF - Invesco](https://longbridge.com/zh-HK/quote/PSI.US.md) - [SMSN.UK - Samsung Electronics Co., Ltd. Sponsored GDR](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMSN.UK.md) - [SSNGY.US - 三星電子](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) - [SMH.US - 半導體 ETF - VanEck Vectors](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [SOXL.US - 半導體 3 倍做多 - Direxion](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [FTXL.US - 納斯達克半導體 ETF - First Trust](https://longbridge.com/zh-HK/quote/FTXL.US.md) - [07709.HK - 南方兩倍做多海力士](https://longbridge.com/zh-HK/quote/07709.HK.md) ## Related News & Research | Title | Description | URL | |-------|-------------|-----| | 字節跳動自研 AI 晶片，三星談代工今年目標 10 萬顆 | 字節跳動正在研發自有 AI 晶片，並與三星電子洽談代工，以確保處理器供應穩定。由於美國出口管制，字節跳動啟動了代號為「SeedChip」的晶片計劃，旨在保障 AI 算力供應。預計在今年 3 月底前取得首枚樣品，並計劃今年生產至少 10 萬枚 | [Link](https://longbridge.com/zh-HK/news/275713889.md) | | 三星高管：內存需求將持續到 2027 年，HBM4 客户反饋 “非常滿意” | 三星電子芯片部門首席技術官表示，受人工智能推動的強勁需求影響，公司預計內存芯片的強勁需求將在今年持續並延續至明年。他特別指出，客户對三星下一代高帶寬內存芯片 HBM4 的反饋” 非常滿意”。此前有報道稱，三星電子將在農曆新年假期後率先啓動全 | [Link](https://longbridge.com/zh-HK/news/275547909.md) | | 關鍵事實：三星開始生產 HBM4 芯片；2025 年財務數據已發佈 | 三星電子已開始大規模生產其用於人工智能的 HBM4 芯片，速度達到 11.7 Gbps。分析師預計將有 30%-40% 的價格溢價，推動第一季度營業利潤達到 44 萬億韓元。2026 年 2 月 12 日，三星電子有限公司發佈了 2025 | [Link](https://longbridge.com/zh-HK/news/275875242.md) | | 三星聲稱其 HBM4 速度提升 46%，目標是搶佔 SK 海力士的市場份額 | 三星電子已開始大規模生產其 HBM4 芯片，速度比行業標準快 46%。這一戰略舉措旨在挑戰 SK 海力士的市場主導地位，特別是在對人工智能應用至關重要的高帶寬內存領域。三星的 HBM4 芯片實現了 11.7 Gbps 的傳輸速度，潛在優化可 | [Link](https://longbridge.com/zh-HK/news/275767180.md) | | 三星電子首席技術官表示，客户對 HBM4 的反饋非常滿意 | 三星電子首席技術官：客户對 HBM4 的反饋非常滿意 | [Link](https://longbridge.com/zh-HK/news/275528981.md) | --- > **免責聲明**：本文內容僅供參考，不構成任何投資建議。