--- title: "英特爾，“重返” DRAM？" description: "英特爾與桑迪亞國家實驗室在內存技術領域取得重大進展，成功將 DRAM 研發成果轉化為新型內存技術，旨在解決內存帶寬與延遲問題。這引發了英特爾可能重返 DRAM 市場的猜測。英特爾曾在 70 年代主導 DRAM 市場，但因競爭加劇於 1985 年退出。當前 DRAM 行業因 AI 需求上漲，英特爾的動向引發關注。" type: "news" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/273851864.md" published_at: "2026-01-27T14:18:39.000Z" --- # 英特爾，“重返” DRAM？ > 英特爾與桑迪亞國家實驗室在內存技術領域取得重大進展，成功將 DRAM 研發成果轉化為新型內存技術，旨在解決內存帶寬與延遲問題。這引發了英特爾可能重返 DRAM 市場的猜測。英特爾曾在 70 年代主導 DRAM 市場，但因競爭加劇於 1985 年退出。當前 DRAM 行業因 AI 需求上漲，英特爾的動向引發關注。 近日，研究機構桑迪亞國家實驗室（Sandia National Laboratories）的一則報道引發了行業熱議。 報道指出，該實驗室與英特爾在內存技術領域取得了重大進展，其共同開展的 “先進內存技術”（AMT）項目成功將 DRAM 相關研發成果轉化為新型內存技術，旨在解決美國國家核安全管理局（NNSA）關鍵任務中的內存帶寬與延遲難題。 這一消息讓 “英特爾是否會重返 DRAM 賽道” 的猜想浮出水面。 雖然這則新聞並未明確宣告英特爾將大規模重返獨立 DRAM 製造市場，但其中釋放的信號卻值得玩味。尤其是結合英特爾的歷史積澱，且當前 DRAM 行業正處於 AI 超級週期帶動的上漲通道之中，這一動向更顯微妙。 這個曾經的存儲霸主，“重返” 的可能性正變得愈發值得探討。 ## 存儲巨頭的浮沉 英特爾與 DRAM 的淵源可以追溯到行業起步之初。 1970 年，英特爾推出 1103 芯片，這是全球首款商業成功的 DRAM 產品，憑藉在價格、密度和邏輯兼容性上對磁芯存儲器的全面超越，迅速改寫了存儲行業的格局。 英特爾在上世紀 70 年代一度佔據全球 DRAM 市場 90% 的份額，成為了無可爭議的行業龍頭。 當時，1103 芯片不僅贏得了 HP、DEC、霍尼韋爾等主流計算機廠商的青睞，更確立了 DRAM 的發展模式，為後續技術演進奠定了基礎。 然而，DRAM 行業的週期性與市場競爭的殘酷性，讓英特爾的霸主地位未能延續。80 年代，日本廠商借助政府支持、卓越製造良率和激進定價策略崛起，NEC、東芝等企業迅速搶佔市場份額，1987 年全球十大 DRAM 供應商中有七家來自日本，英特爾因成本劣勢陷入鉅額虧損，最終在 1985 年宣佈退出 DRAM 業務，轉向 CPU 領域。這一決策被《經濟學人》稱為 “半導體史上最重大的戰略轉向”。 此後數十年，全球 DRAM 格局歷經韓國廠商崛起、行業整合，最終形成了三星、SK 海力士、美光三大巨頭壟斷 95% 以上市場份額的寡頭格局。 眾所周知，存儲行業具有強週期性特徵，通常每 4-5 年經歷一輪劇烈的供需波動。在經歷 2021 年末至 2023 年的超級週期性低迷後，生成式 AI 的爆發徹底改變了需求格局。 如今，DRAM 行業正迎來新一輪結構性機遇。AI 工作負載對內存帶寬和容量的極致需求，推動數據中心 HBM 和 DRAM 需求爆炸式增長，存儲行業正迎來前所未有的超級週期。 據 TrendForce 集邦諮詢預測，2026 年一季度，受原廠產能向 Server、HBM 應用轉移影響，一般型 DRAM 合約價將季增 55-60%，Server DRAM 價格季增逾 60%，整個市場呈現供不應求的繁榮態勢。市場研究顯示，2025 年 DRAM 行業營收將恢復至千億美元級別，2029 年有望達到 1500 億美元，數據中心和汽車應用將成為核心驅動力，複合年增長率分別高達 25% 和 38%。 在這樣的行業風口，以及英特爾正面臨的 CPU 市場受擠壓、代工業務虧損、AI 芯片滯後的多重壓力之下，尋找新的增長曲線或許成為其迫切需求。 ## AMT 項目：揭開英特爾"重返"DRAM 的面紗 其中，桑迪亞國家實驗室與英特爾的合作，為這場猜想提供了最直接的技術佐證。 據瞭解，作為後百億億次級計算計劃的一部分，AMT 項目由桑迪亞國家實驗室牽頭，聯合勞倫斯·利弗莫爾國家實驗室、洛斯阿拉莫斯國家實驗室與英特爾共同推進，前兩輪合作聚焦研發，第三輪已進入產品化階段，早期投資正逐步轉化為實際成果。 英特爾在該項目中推出的下一代 DRAM 鍵合（NGDB）計劃，展現了顛覆性的技術思路。不同於傳統內存架構，NGDB 採用全新的內存組織方式與堆疊組裝方法，在顯著提升 DRAM 性能的同時，實現了功耗降低與成本優化。 更關鍵的是，它打破了 HBM 與 DDR DRAM 之間的性能權衡，解決了當前高帶寬內存普遍存在的 “以容量換帶寬” 的痛點，讓更多應用場景能夠享受到高帶寬內存的優勢。桑迪亞國家實驗室首席技術人員格温·沃斯庫倫直言：“這項技術將促使高帶寬存儲器在受限於容量和功率的系統中得到更廣泛應用。” 從技術細節來看，英特爾已開發出新型堆疊方法和 DRAM 組織結構，原型產品不僅克服了現有技術的內存容量限制，更實現了功能性驗證，證實了該技術大規模生產的可行性。 英特爾政府技術首席技術官 Joshua Fryman 強調：“標準內存架構無法滿足人工智能的需求，NGDB 定義了全新方法，將加速我們邁向下一個十年。” 而英特爾院士 Josh Fryman 的表態更具深意：“我們正在重新思考 DRAM 的組織方式，從根本上推進計算機系統架構，目標是實現數量級的性能提升，並將創新納入行業標準。” 這些技術突破與戰略表述，無不暗示着英特爾在 DRAM 領域的野心絕非短期試水，而是着眼於長期行業佈局。 ## Saimemory 低功耗革命，重新殺回存儲賽道 如果説與桑迪亞國家實驗室的合作是前沿技術層面的鋪墊，那麼英特爾與軟銀集團的聯手，則可以認為是其在 DRAM 賽道實質性推進的重要一步，展現出更清晰的商業化路徑。 2024 年末，英特爾與日本軟銀宣佈成立合資公司 Saimemory，攜手東京大學、日本理研等機構，以 “低功耗存儲革命者” 的姿態，瞄準 AI 時代的存儲痛點，致力於開發替代 HBM 的堆疊式 DRAM 解決方案。 當前，AI 處理器高度依賴 HBM 芯片，但 HBM 存在製程複雜、成本高昂、功耗大、易發熱等固有缺陷，且市場被三星、SK 海力士、美光三大廠商壟斷，供應持續吃緊。 Saimemory 的核心使命正是打破這一格局：通過垂直堆疊多顆 DRAM 芯片，結合英特爾的 EMIB 橋接技術優化互連方式，實現存儲容量較現行先進存儲器翻倍（目標單芯片 512GB）、功耗降低 40%-50%，量產成本僅為 HBM 的 60%。這一路線避開了 HBM 依賴的硅通孔複雜工藝，更側重架構優化與能效突破。 與三星、NEO Semiconductor 等企業聚焦容量提升的 3D 堆疊 DRAM 技術不同，Saimemory 直擊 AI 數據中心電力成本高企的核心痛點，其技術路徑兼容現有 AI 處理器接口，無需大規模硬件改造，顯著降低了客户遷移成本。 在資源投入方面，該項目總投資預計達 100 億日元（約合 7000 萬美元），軟銀初期注資 30 億日元成為最大股東並承諾優先採購，富士通、新光電氣工業等參與投資，日本政府更計劃提供超 50 億日元補貼，凸顯了日本重振半導體存儲器產業的深層訴求，背後暗含日本重振半導體產業的戰略訴求。按照規劃，Saimemory 將在 2027 年前完成原型設計與量產評估，力爭 2030 年前實現商業化，優先供應軟銀籌建的 AI 訓練數據中心。 這一合作對英特爾而言，既是 IDM 2.0 戰略的延伸，也是技術資源的二次激活。通過開放芯片堆疊、封裝等核心技術，英特爾試圖在存儲領域重建生態影響力，而非單純依賴自有製造能力。儘管面臨 HBM 巨頭的專利壁壘、代工良率控制、生態協同不足等挑戰，但 Saimemory 低功耗替代的差異化路線已展現出破局潛力，有望在邊緣計算、中小型 AI 服務器等場景形成獨特競爭力，甚至引發存儲行業的技術路線分流。 綜合來看，這種 “資本 + 技術” 的強強聯合，展示了英特爾以另一種形式深度介入高端 DRAM 市場的野心。 ## 保留 eDRAM 的技術火種 在 DRAM 主線佈局之外，英特爾在 eDRAM（嵌入式 DRAM）領域的技術積累，為其重返存儲賽道提供了另一重支撐。 eDRAM 作為將 DRAM 單元直接集成在處理器芯片上的存儲技術，憑藉低延遲、高帶寬、高密度的特性，被業界視為彌補 GPU 與內存之間 “內存牆” 的有效手段之一，如今正重新成為行業關注的焦點。 相較於 SRAM，eDRAM 存儲單元結構更簡單（1T-1C 結構），單位容量成本更低，相同芯片面積下容量可達 SRAM 的 6 倍左右；相較於傳統 DRAM，其數據傳輸路徑更短，延遲和功耗優勢顯著。 英特爾在 eDRAM 領域早有深耕。 早在十多年前的 Haswell、Broadwell 處理器時代，英特爾就曾在高端處理器中集成 128MB eDRAM 作為 L4 緩存，顯著提升了核顯性能。 例如，在 2013 年的 Haswell 架構處理器中，高端核顯 Iris Pro Graphics 就集成了 128MB eDRAM 作為 L4 緩存，通過封裝內 I/O（OPIO）接口實現了 1W 功耗下 102.4GB/s 的讀寫速度，顯著提升了圖形處理性能。 此後，英特爾的 Broadwell 架構桌面版進一步沿用這一設計，128MB eDRAM L4 緩存通過獨立讀寫總線、多存儲體設計等優化，實現 36.6 納秒的加載延遲，在高帶寬負載下展現出優異的穩定性。 在高性能計算領域，英特爾 Xeon Phi 處理器搭配 16GB eDRAM，為科學計算、數據分析等任務提供了高效緩存支持。 英特爾雖然曾一度因製程成本考量放緩了 eDRAM 的步伐，但隨着 AI 時代對極致性能的渴求，這項技術正重新回到其武器庫的中心位置。 誠然，eDRAM 的發展面臨工藝集成複雜、刷新功耗、良率控制等多重挑戰，但隨着半導體工藝的進步，3D 堆疊、新型電容材料等技術的應用正不斷突破這些瓶頸，這些長期制約其發展的瓶頸正被逐一突破。當下，AI 訓練推理、高性能計算等場景對低延遲、高帶寬存儲的需求愈發迫切，這也讓 eDRAM 在圖形處理、嵌入式系統、邊緣計算等領域的應用版圖不斷拓寬。而英特爾在 eDRAM 領域積澱的深厚技術儲備，無疑成為其重返高端存儲賽道的關鍵籌碼，也為其提供了更具競爭力的技術選項與戰略靈活性。 ## 寫在最後 回望歷史，除了在 DRAM 行業的早期輝煌之外，英特爾在 NAND 閃存領域也有過長期探索：2007 年推出 25 納米 NAND 推動 SSD 普及，2015 年與美光聯合發佈 3D XPoint 技術並品牌化為 “傲騰”，雖最終因商業化困境退出 NAND 業務、停產傲騰，但其在存儲架構、芯片堆疊、先進封裝、存儲專利等方面的積累依然深厚，或許能為其如今重新佈局 DRAM 業務打下關鍵基礎。 尤其是在 AI 時代，內存不僅是容量與成本的遊戲，更是性能、功耗與架構的綜合性競爭。當前，AI 驅動的存儲產業變革正在重塑行業格局。DRAM 行業的高增長預期、HBM 市場的壟斷痛點、eDRAM 的技術復甦，為英特爾提供了重返存儲賽道的絕佳契機。 從桑迪亞國家實驗室的技術突破，到與軟銀聯手的 Saimemory 項目，再到 eDRAM 領域的技術儲備。目前英特爾在存儲領域的動向更像是多點佈局、試探風向：一方面通過國家實驗室合作保持前沿技術參與，另一方面借合資項目探索替代性產品路徑，同時內部仍保留着如 eDRAM 等集成化方案的技術火種。 然而，重返之路並非坦途，面對三星、SK 海力士等巨頭的技術壟斷與生態壁壘，專利糾紛、良率控制、成本優化等現實挑戰，以及自身過往商業化失利的教訓，都將考驗英特爾的戰略決心與執行能力。 當前，“英特爾是否會正式重返 DRAM 賽道” 仍無定論，但可以肯定的是，在存儲技術愈發成為 AI 時代核心競爭力的大背景下，英特爾應該不會全然放棄這一關鍵領域的佈局。 未來數年，無論英特爾最終是否以傳統形式 “重返 DRAM”，其在存儲領域頻繁落子已是不爭的事實。這位曾經的存儲王者或許不會直接與三星、SK 海力士等巨頭在技術路線、產能規模上正面對抗，但在 AI 驅動的異構計算時代，它完全可能憑藉架構創新與系統整合能力，在存儲領域重新定義自己的角色。 正如一位行業分析師所言：“未來的存儲競爭不再是單一的製程競賽，而是架構、功耗、生態乃至地緣策略的複合博弈。” 在這樣的全新的多維戰場之上，英特爾在存儲領域的故事，或許才剛剛翻開新的一頁。 風險提示及免責條款 市場有風險，投資需謹慎。本文不構成個人投資建議，也未考慮到個別用户特殊的投資目標、財務狀況或需要。用户應考慮本文中的任何意見、觀點或結論是否符合其特定狀況。據此投資，責任自負。 ### Related Stocks - [INTC.US - 英特爾](https://longbridge.com/zh-HK/quote/INTC.US.md) - [SOXL.US - 半導體 3 倍做多 - Direxion](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [SMH.US - 半導體 ETF - VanEck Vectors](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [XSD.US - 標普半導體 ETF - SPDR](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) - [INTW.US - 2 倍做多 INTC ETF - GraniteShares](https://longbridge.com/zh-HK/quote/INTW.US.md) - [SOXX.US - 費城交易所 半導體 ETF - iShares](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXX.US.md) ## 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