--- title: "大摩 “暴力” 上調美光目標價至 450 美元：只要 AI 需求強勁，中國產能衝擊、資本開支過熱統統不是問題！" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/275604380.md" description: "摩根士丹利將美光目標價從 350 美元大幅上調至 450 美元，較當前股價隱含約 28.6% 的上漲空間。分析師認為，存儲芯片的供應短缺已經蔓延至每一個終端市場，定價權完全掌握在賣方手中。在 AI 超級週期的驅動下，傳統的週期性估值框架已不再適用，美光正處於盈利能力和估值倍數雙重擴張的甜蜜點。" datetime: "2026-02-11T12:28:54.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/275604380.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/275604380.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/275604380.md) --- > 支持的語言: [简体中文](https://longbridge.com/zh-CN/news/275604380.md) | [English](https://longbridge.com/en/news/275604380.md) # 大摩 “暴力” 上調美光目標價至 450 美元：只要 AI 需求強勁，中國產能衝擊、資本開支過熱統統不是問題！ 摩根士丹利認為，市場大大低估本輪存儲芯片短缺。在 AI 超級週期的驅動下，傳統的週期性估值框架已不再適用，美光正處於盈利能力和估值倍數雙重擴張的甜蜜點。 據追風交易台，2 月 11 日，摩根士丹利分析師團隊在研報中將美光的目標價從 350 美元直接 “暴力” 上調至 450 美元，維持 “超配” 評級。這背後的核心邏輯簡單而粗暴——**只要人工智能的需求維持強勁，市場此前擔憂的所謂 HBM4 量產問題、中國存儲芯片產能衝擊以及資本開支過熱等風險，統統都是無關緊要的噪音。** 對於投資者而言，大摩的這份報告揭示了一個被市場忽視的現實：**存儲芯片的供應短缺已經蔓延至每一個終端市場，定價權完全掌握在賣方手中。**大摩預測美光在 2026 日曆年（CY26）的每股收益（EPS）將飆升至 52 美元以上。**在 AI 超級週期的驅動下，傳統的週期性估值框架已不再適用，美光正處於盈利能力和估值倍數雙重擴張的甜蜜點。** ## 全線短缺引爆定價權，盈利預測大幅上修 市場顯然低估了當前存儲芯片市場的緊張程度。 根據大摩的調研，無論是 DRAM 還是 NAND，在 2026 年第一季度和第二季度的定價都在持續走高。**儘管美光官方給出的第二財季指引暗示營收環比增長 37%，但這背後隱含的是平均銷售價格（ASP）約 30% 的環比增長。** 這僅僅是一個保守的底線，因為競爭對手的數據更加驚人：**閃迪剛剛給出的指引顯示其 NAND ASP 環比暴漲 60%，而覆蓋三星和海力士的團隊也分別模型預測 Q1 常規 DRAM 價格將上漲 48% 和 55%。** **** 這種價格飆升直接轉化為驚人的盈利能力。大摩明確指出，**美光的盈利能力正在邁向更高的台階，預計 2026 日曆年的 EPS 將達到 52.53 美元。** 即便美光在財報中選擇不更新具體的數字指引，只要確認市場狀況好於預期，任何因缺乏具體指引而導致的股價回調，都應被視為極佳的買入機會。目前的共識預期認為美光的盈利將在 2027 年晚些時候見頂於 12 美元左右**，這一預測在大摩看來極其保守，實際上美光的盈利水平可能會在未來一年半的時間裏持續超出共識模型。** ## 估值邏輯重塑：AI 溢價與跨週期盈利 投資者目前最大的分歧在於估值倍數。 **大摩認為，基於傳統的週期性思維來評估美光是錯誤的。**目前股價對應 48 美元盈利預測的市盈率僅為 8 倍，而當前毛利率已比上一個週期的峯值高出 10 到 15 個百分點。如果將其視為週期性股票，這一估值不僅合理，甚至可以説是極度便宜，因為它更接近於峯值盈利能力的 5 倍，而非 2021 年週期峯值時的 10 倍。 大摩重新調整了其估值模型，將 “跨週期每股收益” 的預估值從之前的 14 美元上調至 18 美元。**這一數字雖然顯著高於歷史平均水平，但仍不足未來 12 個月預期盈利的一半。** 基於 AI 帶來的獨特順風車效應和 HBM（高帶寬內存）的機遇，大摩維持給予美光 25 倍的市盈率倍數。18 美元的跨週期 EPS 乘以 25 倍的估值，直接導向了 450 美元的新目標價。此外，美光每季度約 100 億美元的現金生成能力意味着它一年內能產生相當於當前企業價值（EV）10% 的現金，這將極大地改善資產負債表。 ## 供需缺口無法彌合：2000 億美元的新增需求 **支撐這一超級週期的基石是 AI 帶來的結構性供需失衡。**目前生產商資產負債表上的庫存極低，客户即使願意支付溢價也難以獲得足夠的供應。從供應端來看，晶圓廠的產出增長極其緩慢，大摩預計到 2026 年底，包括合肥長鑫（CXMT）、海力士 M15 和三星 P4L 在內，晶圓投片量的同比增速僅為 7%。 **相比之下，需求端的增長是爆炸性的。**英偉達預計從現在到 2026 年底將增加 300 億美元的季度收入，AMD 的數據中心部門預計季度收入將翻倍至 100 億美元，博通的半導體業務將翻倍至約 250 億美元。算上 Marvell 和英特爾的增量，整個存儲行業在未來 12 個月內需要應對接近 2000 億美元的年化新增收入需求。 這一數字比 2020 年整個邏輯半導體市場（如 CPU、GPU）還要大，且 HBM 的高資本密集度進一步限制了 DRAM 供應商的追趕速度。因此，僅僅因為擔心 2027 年下半年的供應增長而賣出股票，顯得為時過早。 ## 粉碎 “空頭” 敍事：中國產能與 HBM4 風險被證偽 針對市場擔憂的中國存儲芯片公司可能帶來的衝擊，**大摩認為這種擔憂被誇大了。** 至於 HBM4 的進度問題，雖然市場近期存在噪音，但大摩維持其判斷。美光早在 12 月的財報中就表示已獲得資格認證，並預計在 2026 年第二季度（C2Q26）量產出貨 HBM4，這一時間表沒有變化。即便美光在 HBM4 產能爬坡上遇到未預見的困難，HBM3e 仍佔據市場主流，且擁有廣泛的 ASIC 客户基礎，不會對盈利造成負面影響。英偉達 HBM4 的早期主要量產份額歷來屬於海力士，這在預期之內，並不構成美光的基本面利空。 ### 相關股票 - [動態半導體 ETF - Invesco (PSI.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/PSI.US.md) - [Invesco PHLX Semiconductor ETF (SOXQ.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXQ.US.md) - [2 倍做多 MU ETF - GraniteShares (MULL.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MULL.US.md) - [標普半導體 ETF - SPDR (XSD.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) - [納斯達克半導體 ETF - First Trust (FTXL.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/FTXL.US.md) - [半導體 ETF - VanEck Vectors (SMH.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [費城交易所 半導體 ETF - iShares (SOXX.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXX.US.md) - [半導體 3 倍做多 - Direxion (SOXL.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [美光科技 (MU.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MU.US.md) - [2 倍做多美光科技 ETF - Direxion (MUU.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MUU.US.md) ## 相關資訊與研究 - [美光量產行業最高容量 LPDRAM，力攻 AI 推理與高性能計算市場](https://longbridge.com/zh-HK/news/277715960.md) - [黃仁勳説，要有光](https://longbridge.com/zh-HK/news/277763247.md) - [美股夜盤異動：美光科技夜盤跌 3.03%，地緣政治風險與分析師評級雙重施壓](https://longbridge.com/zh-HK/news/277728132.md) - [期權熱點｜周二 MU 大跌 7%，部分看跌期權飆升 220%](https://longbridge.com/zh-HK/news/277721716.md) - [美光科技在印度的半導體設施開始商業生產](https://longbridge.com/zh-HK/news/277458380.md)