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title: "三星、海力士 “調整戰略”：新存儲工廠生產計劃提前"
description: "SK 海力士計劃將其龍仁一期晶圓廠的試運行時間提前至明年 2-3 月，三星電子將平澤 P4 工廠的投產時間從明年一季度提前至今年四季度，生產規劃前移約三個月。調整源於 AI 數據中心擴張導致供應嚴重短缺，主要客户需求滿足率僅 60%。市場普遍預期供應緊張將持續至 2027 年，需求增速持續高於供給。"
type: "news"
locale: "zh-HK"
url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/276302716.md"
published_at: "2026-02-19T05:27:24.000Z"
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# 三星、海力士 “調整戰略”：新存儲工廠生產計劃提前

> SK 海力士計劃將其龍仁一期晶圓廠的試運行時間提前至明年 2-3 月，三星電子將平澤 P4 工廠的投產時間從明年一季度提前至今年四季度，生產規劃前移約三個月。調整源於 AI 數據中心擴張導致供應嚴重短缺，主要客户需求滿足率僅 60%。市場普遍預期供應緊張將持續至 2027 年，需求增速持續高於供給。

面對人工智能驅動的內存芯片需求激增，韓國兩大存儲巨頭三星電子與 SK 海力士正加速推進新建晶圓廠的投產進程，**戰略重心由此前的謹慎控貨轉向積極擴產，以搶佔行業 “超級週期” 紅利。**

據韓國《朝鮮日報》報道，SK 海力士計劃將其龍仁一期晶圓廠的試運行時間提前至明年 2-3 月，在竣工日期前着手啓動。三星電子亦將平澤 P4 工廠的投產時間從明年一季度提前至今年四季度，生產規劃前移約三個月。兩家公司均將在新產線重點部署高附加值產品，如高性能 DRAM 與 HBM（高帶寬內存）。

**本輪提速擴產的背景，是全球 AI 數據中心擴張帶來的服務器芯片需求井噴。**KB 證券數據顯示，截至今年 2 月，主要客户的內存芯片需求滿足率僅約 60%，短缺程度較去年四季度進一步加劇。三星電子內存出貨量中已有約 70% 被 AI 數據中心企業吸收。

**市場普遍預期供應緊張態勢將持續至 2027 年。**花旗集團預測，今年 DRAM 與 NAND 閃存的供給增速分別為 17.5% 和 16.5%，而需求增速則高達 20.1% 和 21.4%。

## 新產線提前數月投產

SK 海力士正在龍仁半導體集羣建設一期晶圓廠，目標是明年 5 月竣工。該項目外部框架工程已完成約一半，6 個潔淨室中的 3 個正在同步建設中。這座三層結構的工廠規模相當於其清州 M15X 晶圓廠的 6 倍。

據《朝鮮日報》報道援引知情人士，**SK 海力士準備在預定竣工時間之前啓動試運行，最早可能在明年 2-3 月。**公司計劃在率先建成的潔淨室快速安裝設備，優先投產 AI 時代需求激增的高性能 DRAM（如 DDR5）和 HBM 產品。

三星電子正在平澤建設 P4（第四工廠）晶圓廠，**原定明年一季度竣工，現計劃提前至今年四季度，生產時間表壓縮約三個月。**三星電子根據市場行情在內存和晶圓代工設備間靈活調配，P4 預計將專注生產當前供應緊張的高性能內存。據悉，三星電子最近制定戰略，在 P4 工廠新建用於 HBM 的 10 納米第六代（1c）DRAM 生產線，該產線月產能預計達 10 萬至 12 萬片晶圓。

據《朝鮮日報》援引一位半導體行業人士：

> "韓國內存企業為提前生產時間正處於非常忙碌的狀態。"

## 產能擴張仍難追需求增速

市場研究機構 Omdia 數據顯示，三星電子的 DRAM 年產能（以晶圓計）將從 2024 年的 747 萬片增至今年的 817.5 萬片。SK 海力士同期產能將從 511.5 萬片擴大至 639 萬片。**隨着新工廠提前投產，明年產量有望進一步增長。**

兩家公司加速擴產的核心驅動力是 AI 數據中心擴張導致的服務器高性能 DRAM 需求激增。由於生產線集中生產高附加值的 HBM 芯片，通用 DRAM 的產量相對減少，加劇了供應緊張。

KB 證券指出：

> "截至 2 月，內存芯片供應短缺強度較去年四季度加劇，主要客户的內存芯片需求滿足率僅為 60%。三星電子內存出貨量的 70% 被 AI 數據中心企業吸收。"

花旗集團分析，今年 DRAM 供應增長率為 17.5%，NAND 閃存供應增長 16.5%。相比之下，DRAM 需求增長率預計達 20.1%，NAND 閃存需求增長率為 21.4%，**需求持續超過供應。**

晨星和摩根大通等主要市場研究機構預測，**內存供應短缺將持續至 2027 年。**DS 投資證券表示：

> "如果 2027 年供應增長僅為 1%，本輪 DRAM 週期將至少持續到 2027 年。以服務器為中心的 DRAM 需求與競爭力直接相關，難以輕易削減，價格上漲預計將持續至 2026 年三季度。"

## 企業確認大幅增加資本支出

三星電子和 SK 海力士在最近的業績發佈會上均表示，**將增加今年的資本支出以應對內存短缺**。三星電子內存事業部副總裁 Kim Jae-june 表示：

> "隨着 AI 相關需求預計持續，我們計劃在 2026 年大幅擴大設備投資規模。但今年和明年設備擴張將受到限制，供應短缺現象可能加劇。"

這一表態凸顯了半導體產能擴張的時滯特性。儘管企業加大投資並提前投產時間，但從建設到穩定量產仍需時間，短期內難以完全緩解供需失衡。

一位半導體行業人士解釋提前試運行的戰略意圖：

> "這是為了快速進入試運行階段，穩定量產系統，同時向客户發出能夠穩定供應的信號。"

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