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title: "LPDDR 6 時代來臨！AI 需求太猛，下一代 DRAM 將比預期更快進入市場"
description: "LPDDR6 性能較前代提升 1.5 倍，最快下半年正式商用，英偉達、三星及高通等巨頭正積極佈局。目前多數 HPC 半導體設計企業考慮並行搭載 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP，特別是在 4 納米及以下先進製程芯片的設計中，需求出現得比預期更快。"
type: "news"
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url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/276431575.md"
published_at: "2026-02-20T10:13:50.000Z"
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# LPDDR 6 時代來臨！AI 需求太猛，下一代 DRAM 將比預期更快進入市場

> LPDDR6 性能較前代提升 1.5 倍，最快下半年正式商用，英偉達、三星及高通等巨頭正積極佈局。目前多數 HPC 半導體設計企業考慮並行搭載 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP，特別是在 4 納米及以下先進製程芯片的設計中，需求出現得比預期更快。

**下一代低功耗 DRAM（LPDDR6）正在以超出預期的速度進入市場。**受服務器及 AI 領域對高性能、高效率 DRAM 需求急劇上升的推動，這一新標準的商用化進程正在提速。

多家尖端半導體設計企業目前正在討論**同時採用 LPDDR5X 與 LPDDR6 IP（設計資產）的方案**。三星電子和高通等移動應用處理器（AP）設計企業也計劃從下一代產品開始支持 LPDDR6。

這一轉變的核心驅動力來自 AI 應用的爆發式增長。無論是搭載端側 AI 的智能手機，還是需要持續處理海量數據的 AI 數據中心，都對 DRAM 性能提出了更高要求。**英偉達等全球科技巨頭也在積極推進 LPDDR 產品的採購。**

據 Zdnet 援引業內人士透露，目前**超過半數的高性能半導體設計企業正在考慮並行搭載 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP，特別是在 4 納米及以下先進製程芯片的設計中，需求出現得比預期更快。**

## **AI 應用推動需求激增**

LPDDR6 加速導入的最大驅動因素是 AI。作為 LPDDR 傳統主要應用領域的智能手機，**隨着端側 AI 的搭載，對更高性能 LPDDR 產品的需求日益迫切。**

三星電子、高通等移動 AP 開發企業因此計劃在下一代芯片中搭載 LPDDR6 IP。

與此同時，需要持續處理海量數據的 AI 數據中心的興起，使**服務器領域對高性能 LPDDR 的需求也在急劇增長**。英偉達等全球科技巨頭正積極推進 LPDDR 產品的供應。

## **性能提升 1.5 倍，商用化最快下半年**

**LPDDR6 的性能規格較上一代產品實現顯著躍升。**這一代產品的帶寬可達 10.6Gbps 至 14.4Gbps，而上一代 LPDDR5X 的帶寬範圍為 8.5Gbps 至最高 10.7Gbps，**性能提升約 1.5 倍。**

儘管基礎標準已經確立，但 LPDDR6 的全面商用化仍需時間準備。物理層（PHY）、控制器、接口 IP 等配套設施尚未完全就緒，**預計最快要到今年下半年才能正式商用。**

目前 LPDDR6 實際可實現約 12.8Gbps 的性能，到明年有望將性能提升至 14.4Gbps。為此，國內外主要企業正在全力推進 IP 開發。

## **先進製程芯片率先採用**

LPDDR 是相較於通用 DDR 更強調能效的 DRAM 標準。目前第 7 代 LPDDR5X 已實現商用，LPDDR6 作為下一代標準在去年 7 月完成制定。

儘管配套設施尚未完全成熟，但**相當數量的 AI 及高性能計算（HPC）半導體設計企業已在推進 LPDDR6 的搭載計劃**。這些企業的策略是先搭載 LPDDR5X，待 LPDDR6 實現大規模量產後再進行性能升級。

據 Zdnet 援引業內人士透露，目前超過半數高性能半導體設計企業正在考慮並行搭載 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP 的方案。特別是在**4 納米及以下先進製程芯片的設計企業中，需求出現的速度超出預期。**

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