--- title: "LPDDR 6 時代來臨！AI 需求太猛，下一代 DRAM 將比預期更快進入市場" description: "LPDDR6 性能較前代提升 1.5 倍，最快下半年正式商用，英偉達、三星及高通等巨頭正積極佈局。目前多數 HPC 半導體設計企業考慮並行搭載 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP，特別是在 4 納米及以下先進製程芯片的設計中，需求出現得比預期更快。" type: "news" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/276431575.md" published_at: "2026-02-20T10:13:50.000Z" --- # LPDDR 6 時代來臨！AI 需求太猛，下一代 DRAM 將比預期更快進入市場 > LPDDR6 性能較前代提升 1.5 倍，最快下半年正式商用，英偉達、三星及高通等巨頭正積極佈局。目前多數 HPC 半導體設計企業考慮並行搭載 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP，特別是在 4 納米及以下先進製程芯片的設計中，需求出現得比預期更快。 **下一代低功耗 DRAM（LPDDR6）正在以超出預期的速度進入市場。**受服務器及 AI 領域對高性能、高效率 DRAM 需求急劇上升的推動，這一新標準的商用化進程正在提速。 多家尖端半導體設計企業目前正在討論**同時採用 LPDDR5X 與 LPDDR6 IP（設計資產）的方案**。三星電子和高通等移動應用處理器（AP）設計企業也計劃從下一代產品開始支持 LPDDR6。 這一轉變的核心驅動力來自 AI 應用的爆發式增長。無論是搭載端側 AI 的智能手機，還是需要持續處理海量數據的 AI 數據中心，都對 DRAM 性能提出了更高要求。**英偉達等全球科技巨頭也在積極推進 LPDDR 產品的採購。** 據 Zdnet 援引業內人士透露，目前**超過半數的高性能半導體設計企業正在考慮並行搭載 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP，特別是在 4 納米及以下先進製程芯片的設計中，需求出現得比預期更快。** ## **AI 應用推動需求激增** LPDDR6 加速導入的最大驅動因素是 AI。作為 LPDDR 傳統主要應用領域的智能手機，**隨着端側 AI 的搭載，對更高性能 LPDDR 產品的需求日益迫切。** 三星電子、高通等移動 AP 開發企業因此計劃在下一代芯片中搭載 LPDDR6 IP。 與此同時，需要持續處理海量數據的 AI 數據中心的興起，使**服務器領域對高性能 LPDDR 的需求也在急劇增長**。英偉達等全球科技巨頭正積極推進 LPDDR 產品的供應。 ## **性能提升 1.5 倍，商用化最快下半年** **LPDDR6 的性能規格較上一代產品實現顯著躍升。**這一代產品的帶寬可達 10.6Gbps 至 14.4Gbps，而上一代 LPDDR5X 的帶寬範圍為 8.5Gbps 至最高 10.7Gbps，**性能提升約 1.5 倍。** 儘管基礎標準已經確立，但 LPDDR6 的全面商用化仍需時間準備。物理層（PHY）、控制器、接口 IP 等配套設施尚未完全就緒，**預計最快要到今年下半年才能正式商用。** 目前 LPDDR6 實際可實現約 12.8Gbps 的性能，到明年有望將性能提升至 14.4Gbps。為此，國內外主要企業正在全力推進 IP 開發。 ## **先進製程芯片率先採用** LPDDR 是相較於通用 DDR 更強調能效的 DRAM 標準。目前第 7 代 LPDDR5X 已實現商用，LPDDR6 作為下一代標準在去年 7 月完成制定。 儘管配套設施尚未完全成熟，但**相當數量的 AI 及高性能計算（HPC）半導體設計企業已在推進 LPDDR6 的搭載計劃**。這些企業的策略是先搭載 LPDDR5X，待 LPDDR6 實現大規模量產後再進行性能升級。 據 Zdnet 援引業內人士透露，目前超過半數高性能半導體設計企業正在考慮並行搭載 LPDDR5X 及 LPDDR6 IP 的方案。特別是在**4 納米及以下先進製程芯片的設計企業中，需求出現的速度超出預期。** ### Related Stocks - [NVDX.US - 2 倍做多 NVDA ETF - T-Rex](https://longbridge.com/zh-HK/quote/NVDX.US.md) - [SOXL.US - 半導體 3 倍做多 - Direxion](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [QCOM.US - 高通](https://longbridge.com/zh-HK/quote/QCOM.US.md) - [FTXL.US - 納斯達克半導體 ETF - First Trust](https://longbridge.com/zh-HK/quote/FTXL.US.md) - [NVDA.US - 英偉達](https://longbridge.com/zh-HK/quote/NVDA.US.md) - [XSD.US - 標普半導體 ETF - SPDR](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) - [QCMU.US - Direxion Daily QCOM Bull 2X Shares](https://longbridge.com/zh-HK/quote/QCMU.US.md) - [PSI.US - 動態半導體 ETF - Invesco](https://longbridge.com/zh-HK/quote/PSI.US.md) - [SSNGY.US - 三星電子](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) - [NVDL.US - 2 倍做多英偉達 ETF - GraniteShares](https://longbridge.com/zh-HK/quote/NVDL.US.md) ## Related News & Research | Title | Description | URL | |-------|-------------|-----| | 学习英伟达刺激芯片销售，AMD 为 “AI 云” 借款做担保 | AMD 为扩大市场份额祭出金融 “狠招”！为初创公司 Crusoe 的 3 亿美元购芯贷款提供担保，承诺在其无客户时 “兜底” 租用芯片。这一复刻英伟达 “租卡云” 路径的策略虽能短期推高销量，但也令 AMD 在 AI 需求放缓时面临更大的 | [Link](https://longbridge.com/zh-HK/news/276401504.md) | | 黄仁勋预告 “前所未见” 的芯片新品，下一代 Feynman 架构或成焦点 | 黄仁勋预告今年的 GTC 大会上发布” 世界从未见过” 的全新芯片产品，分析认为新品可能涉及 Rubin 系列衍生产品或更具革命性的 Feynman 架构芯片，市场预期 Feynman 架构将针对推理场景进行深度优化。 | [Link](https://longbridge.com/zh-HK/news/276310964.md) | | 为 AI 交易 “背书”！OpenAI 正敲定新一轮融资：以 8300 亿美元估值募资高达 1000 亿美元 | OpenAI 正以 8300 亿美元估值推进新一轮融资，目标筹集 1000 亿美元。软银拟领投 300 亿美元，亚马逊和英伟达可能各投 500 亿及 300 亿美元，微软拟投数十亿美元。本轮融资是 OpenAI 自去年秋季公司制改革以来的首 | [Link](https://longbridge.com/zh-HK/news/276298180.md) | | AI 金矿热潮使得三星能够对 HBM4 芯片收取溢价 | 三星电子正在提高其下一代高带宽内存 4（HBM4）人工智能内存芯片的价格，寻求每个单位约 700 美元，比上一代产品上涨 20%-30%。这一价格上涨反映了三星在人工智能内存市场重新获得的议价能力，可能会提升半导体利润，但也会增加智能手机的 | [Link](https://longbridge.com/zh-HK/news/276325186.md) | | “这很难，但我相信你们”！黄仁勋上周宴请 SK 海力士工程师，亲自敬酒，敦促 “无延迟交付 HBM4” | 英伟达 CEO 黄仁勋罕见 “亲自出马”，在硅谷韩式餐厅宴请 30 多名工程师，敦促 SK 海力士按时交付第六代 HBM4。随着三星率先出货搅动战局，这场关乎下一代 AI 芯片 Vera Rubin 成败的供应链争夺战已进入白热化，SK 海 | [Link](https://longbridge.com/zh-HK/news/276298764.md) | --- > **免責聲明**：本文內容僅供參考，不構成任何投資建議。