--- title: "時隔一個月再度飆升，報道：三星電子 Q1 DRAM 價格漲幅從 70% 上調至 100%" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/277777735.md" description: "三星電子一季度 DRAM 價格漲幅最終敲定在 100% 以上，較一個月前談判的 70% 水平再度擴大約 30 個百分點。據韓媒報道，部分海外客户已完成付款，供貨談判週期已從年度壓縮至季度乃至月度。本輪漲價源於 AI 投資熱潮下 HBM 產能擠佔，導致通用 DRAM 供給受限，而需求持續旺盛。SK 海力士與美光跟進同等漲幅，三大廠商集體提價格局確立，漲勢預計延續至二季度。" datetime: "2026-03-04T12:53:28.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/277777735.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/277777735.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/277777735.md) --- > 支持的語言: [简体中文](https://longbridge.com/zh-CN/news/277777735.md) | [English](https://longbridge.com/en/news/277777735.md) # 時隔一個月再度飆升，報道：三星電子 Q1 DRAM 價格漲幅從 70% 上調至 100% AI 基礎設施投資熱潮持續升温，全球內存市場供需失衡加劇，三星電子一季度 DRAM 價格漲幅最終確定在 100% 以上，較一個月前談判結果再度上調。 3 月 4 日，據韓國電子新聞，三星電子已於上月與主要客户完成一季度 DRAM 供貨價格的最終談判，服務器、PC 及移動端通用 DRAM 均價較上季度上漲約 100%，價格較去年四季度翻倍，部分客户及產品的漲幅甚至超過 100%。 該報道援引業內知情人士透露，談判已全面收尾，部分海外客户已完成付款。**這一漲幅較今年 1 月協商的 70% 水平，在短短一個月內再度擴大約 30 個百分點。** 價格的快速攀升正在重塑內存行業的合同慣例。**供貨談判週期已從傳統的年度合同壓縮至季度合同，如今甚至需要按月調整，折射出市場供需失衡的嚴峻程度。** ## HBM 擠佔產能，通用 DRAM 供給受限 此輪 DRAM 價格急漲的核心驅動力，源自 AI 基礎設施投資的全球性擴張。**隨着數據中心運營商大規模部署 AI 芯片，支撐算力運行的高帶寬內存（HBM）需求急劇攀升。**三星電子、SK 海力士及美光紛紛將產能向 HBM 傾斜，導致面向服務器、PC 及移動終端的通用 DRAM 供給受到明顯擠壓。 **供給收縮的同時，需求端熱度不減。**AI 服務器、AI PC 及 AI 智能手機等終端產品需求持續旺盛，供需缺口不斷擴大，推動價格持續走高。據報道，**部分海外科技巨頭為鎖定供貨量，已專程赴韓與三星電子等內存廠商展開直接接洽**，進一步加劇了市場緊張預期。 ## SK 海力士與美光漲幅相近 此輪漲價並非三星電子單獨行動。據報道援引業內人士，**SK 海力士與美光同樣以相近幅度完成一季度供貨合同談判**，三大內存廠商集體提價的格局已基本成型。 回溯今年 1 月，三星電子 DRAM 季度合約價漲幅約 70%，NAND 漲幅約 100%，彼時已引發市場廣泛關注。而此次 DRAM 漲幅進一步擴大至 100% 以上，表明**在持續博弈過程中，需求增速持續超出供給擴張節奏，迫使價格中樞再度上移。** ## 漲勢料延續至二季度 市場對內存價格的上行預期依舊強烈。報道援引研究機構 Gartner 預測，今年 DRAM 與固態硬盤（SSD）價格合計將較上年上漲約 130%。英偉達上月 25 日交出歷史最佳業績答卷，進一步打消外界對 AI 泡沫的疑慮，為內存需求的持續擴張提供有力支撐。 據報道援引業內人士，**二季度 DRAM 與 NAND 價格仍將延續漲勢，漲勢或有所放緩，但價格上行本身已是不可逆轉的趨勢**。對於下游客户而言，內存採購成本的持續攀升，將進一步推高服務器及終端設備的整體成本結構。 ### 相關股票 - [三星電子 (SSNGY.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) - [動態半導體 ETF - Invesco (PSI.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/PSI.US.md) - [半導體 3 倍做多 - Direxion (SOXL.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [半導體 ETF - VanEck Vectors (SMH.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [Invesco PHLX Semiconductor ETF (SOXQ.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXQ.US.md) - [標普半導體 ETF - SPDR (XSD.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) - [費城交易所 半導體 ETF - iShares (SOXX.US)](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXX.US.md) ## 相關資訊與研究 - [3 年後的 Micron 股價會在甚麼水平？](https://longbridge.com/zh-HK/news/277646623.md) - [神腦啟動三星 S26 預購活動 重磅祭出雙重尊榮優惠](https://longbridge.com/zh-HK/news/277751588.md) - [童振源：AI 驅動記憶體超級循環 短期韓國仍居關鍵地位](https://longbridge.com/zh-HK/news/277593442.md) - [大摩：三星股價回調時買入](https://longbridge.com/zh-HK/news/277806885.md) - [南亞科總座李培瑛：DRAM 漲勢今年恐無解](https://longbridge.com/zh-HK/news/277762542.md)