--- title: "《大行》高盛料三星電子今年經營溢利暴升逾 5 倍 上調目標價及盈測 評級「買入」" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/278810799.md" description: "高盛上調三星電子目標價至 260,000 韓圜,評級為「買入」。預計三星電子今年經營溢利將暴增逾 5 倍,達到 239 萬億韓圜,主要受益於 DRAM 和 NAND 閃存價格上漲。高盛預測常規 DRAM 漲價 251%,NAND 閃存漲價 164%。此外,HBM 收入預計將增長 158% 至 150 億美元。2026 至 2028 年每股盈測上調 25% 至 36%。" datetime: "2026-03-12T02:37:56.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/278810799.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/278810799.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/278810799.md) --- # 《大行》高盛料三星電子今年經營溢利暴升逾 5 倍 上調目標價及盈測 評級「買入」 高盛發表報告,上調南韓三星電子 (005930.KS) 目標價,由原先 205,000 韓圜上調至 260,000 韓圜,評級「買入」。該行指三星電子短期記憶體基本面完好,更高的研發開支及 AI/伺服器敞口為維持長期領導地位奠定基礎。高盛亦上調三星電子今年經營溢利預測,由原預期的 181 萬億韓圜,升至 239 萬億韓圜,反映 DRAM(動態隨機存取記憶體)/NAND 閃存價格預測獲大幅上調。 高盛現預期常規 DRAM 今年漲價 251%,NAND 閃存料漲價 164%。疊加 HBM 收入料按年升 158% 至 150 億美元 (受 Google TPU 佈局及向英偉達供應 HBM4 佔比擴張),高盛料三星電子今年經營溢利按年飆升逾 5 倍,股本回報率 (ROE) 料達 37% 創歷史高。高盛對三星電子 2026 至 28 年每股盈測上調介乎 25% 至 36%。該股現價相當於 2027 年預測市盈率 7 倍及預測市賬率 1.8 倍。 ### 相關股票 - [SMH.UK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.UK.md) - [SMSN.UK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMSN.UK.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXX.US.md) ## 相關資訊與研究 - [存儲投資狂潮再升温! 三星搶跑交付存儲領域首批 HBM4E 樣品 帶寬、容量、能效與散熱全面躍遷](https://longbridge.com/zh-HK/news/287997474.md) - [三星在台北國際電腦展上發佈下一代 HBM5 架構](https://longbridge.com/zh-HK/news/288399704.md) - [三星電子首次展示 HBM5,押注下一代 AI 存儲競爭](https://longbridge.com/zh-HK/news/288374859.md) - [韓國科技部稱韓國獲得Anthropic的Mythos人工智能模型訪問權限](https://longbridge.com/zh-HK/news/288495473.md) - [DRAM 產業 Q1 營收環比大漲 81%,Q2 合約價將再漲 58-63%](https://longbridge.com/zh-HK/news/288352923.md)