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title: "IFW 德累斯頓選擇了 Agnitron Agilis 100 MOCVD 平台，以進行前驅體化學和超寬帶隙材料的開發"
type: "News"
locale: "zh-HK"
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description: "Agnitron Technology 的 Agilis 100 MOCVD 系統已被德累斯頓 IFW 的能力中心選中，用於前驅體化學和超寬帶隙材料的研究。該系統將支持鋁氮化物和鋁鈧氮化物的開發，以用於下一代半導體設備。IFW 德累斯頓計劃通過第二台 Agilis 100 系統來增強其在氧化鎵薄膜方面的研究，利用 Agnitron 在 MOCVD 過程中的專業知識。此次合作旨在加速可靠的氧化物薄膜生長和創新半導體材料的發展"
datetime: "2026-03-13T16:57:18.000Z"
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# IFW 德累斯頓選擇了 Agnitron Agilis 100 MOCVD 平台，以進行前驅體化學和超寬帶隙材料的開發

新聞：供應商

美國明尼蘇達州查漢森的 Agnitron Technology Inc 表示，其 Agilis 100 MOCVD 系統已被德國德累斯頓萊布尼茨固態與材料研究所（IFW）材料化學研究所選中，用於其 MOCVD 和 ALD 能力中心。

該能力中心選擇 Agilis 100 以支持其在前驅體化學和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）及原子層沉積（ALD）工藝開發方面的研究。IFW 德累斯頓以開發旨在實現新半導體器件類別的創新化學而聞名。

選擇 Agnitron 工具的一個關鍵驅動因素是需要在靈活的研發反應器中部署新合成的低蒸氣壓前驅體，並展示其在實際工藝中的實用性。安裝的配置結合了一種從安瓿到晶圓的特殊前驅體熱控制方法，以及一種專利的噴頭設計，旨在實現穩健的交付和重複性。

“我們發現與 Agnitron 的合作為我們提供了所需的靈活性和執行我們在商業反應器中合成和測試新前驅體計劃所需的支持，” IFW 德累斯頓 MOCVD 和 ALD 能力中心主任 Anjana Devi 教授評論道。

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_圖片：IFW 主任 Anjana Devi 教授與 Agnitron Agilis 100 MOCVD 系統。_

該中心的初步重點將是使用新開發的金屬有機前驅體生長摻鈰的氮化鋁（AlN）。超寬帶隙半導體合金摻鈰氮化鋁（ScAlN）具有顯著增強的壓電係數和強自發極化。預計 ScAlN 將在下一代高頻、高功率和聲學半導體器件中發揮變革性作用，從而提高帶寬、信號質量和熱穩定性。

“由於 Agilis 100 的成功和材料生長性能，我們選擇 Agnitron 提供第二個 MOCVD 系統，以進一步增強我們對氧化物薄膜的前驅體開發，” IFW 德累斯頓納米結構薄膜材料研究團隊負責人 Harish Parala 博士指出。“第二個生長系統將使我們能夠使用和測試新的鎵化學以生長氧化鎵（Ga2O3）薄膜。”

Ga2O3 是另一種超寬帶隙半導體，Agnitron 在 MOCVD 生長該材料的純度方面保持記錄。IFW 德累斯頓的化學開發與 Agnitron 的 Ga2O3 MOCVD 設備和工藝專業知識的結合預計將加速可靠氧化物薄膜生長的進展。

“IFW 德累斯頓是理想的合作伙伴：一個世界級的研究團隊，擁有出色的設施，能夠為 Agilis 100 平台創造尖端材料，該平台採用專利噴頭和低蒸氣壓化學傳輸系統，” Agnitron 創始人兼首席執行官 Andrei Osinsky 博士評論道。“我們很高興能夠支持他們的 ScAlN 路線圖，並感謝他們對用第二個系統擴展氧化物項目的信任。我們共同將有前景的材料轉化為可靠的、工業相關的工藝。”

布里斯托爾安裝氧化鎵 MOCVD 系統

Agnitron 開發 10kV+ beta 相氧化鎵開關的 MOCVD 能力

AlNScAlN MOCVD

www.ifw-dresden.de

www.agnitron.com

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