--- title: "AI 需要內存——這隻新的 DRAM ETF 專注投資於美光、三星和閃迪" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/281578483.md" description: "Roundhill Investments 推出了 Roundhill Memory ETF，目標是半導體存儲領域的公司，包括 DRAM、HBM、NAND 閃存和 SSD。該 ETF 旨在滿足對 AI 基礎設施所需存儲芯片日益增長的需求，這些芯片被視為 AI 發展的瓶頸。主要持股包括三星、SK 海力士和美光，重點關注為 AI 工作負載提供關鍵組件的公司。該 ETF 提供集中投資，與更廣泛的半導體基金不同，並反映了該行業在亞洲和美國的地理集中性" datetime: "2026-04-02T21:14:00.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/281578483.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/281578483.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/281578483.md) --- # AI 需要內存——這隻新的 DRAM ETF 專注投資於美光、三星和閃迪 **Roundhill Investments** 推出了 **Roundhill Memory ETF**，這是一個新的主題基金，旨在捕捉對推動 **人工智能 (AI) 基礎設施** 的 **半導體存儲** 領域日益增長的投資者興趣。該 ETF 專注於生產 DRAM、高帶寬內存 (HBM)、NAND 閃存和固態存儲的公司——這些組件越來越被視為擴展 **AI 工作負載** 的瓶頸。 此次推出恰逢 **存儲芯片** 在 **AI 建設** 中走到前沿，隨着大規模訓練和推理需求的激增，需求也在上升。與廣泛的 **半導體** 基金不同，DRAM 旨在為提供這一 AI 堆棧關鍵層的公司提供集中投資，首席執行官 **Dave Mazza** 將其描述為 AI 發展中的 "關鍵限制"，因為模型變得越來越複雜。 **Roundhill Memory ETF (DRAM) 的主要特點：** - **純存儲曝光：** 針對 DRAM、HBM、NAND 閃存和 SSD 生態系統中的公司，而非多元化的芯片製造商 - **頂級配置：** 主要持股包括 **三星電子有限公司 (SSNLF)** (25%)、**SK 海力士** (24%)、**美光科技公司** (24%)、**閃迪公司 (SNDK)** (4.66%) 和 **西部數據公司 (WDC)** (4.64%) - **全球佈局：** 投資組合涵蓋亞洲和美國的主要存儲生產商，反映了該行業的地理集中性 - **以 AI 驅動的投資論點：** 基於與數據密集型 AI 訓練和推理工作負載相關的存儲需求上升而構建 - **對廣泛芯片 ETF 的補充：** 提供與多元化半導體基金不同的針對性投資，這些基金稀釋了存儲特定的上行潛力 持股還包括 **希捷科技控股公司 (STX)** 和 **鎂光科技控股公司 (KXHCF)**，具體配置可能會有所變化。 _圖片來源：Shutterstock_ ### 相關股票 - [SNDK.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SNDK.US.md) - [PSI.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/PSI.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXX.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [07747.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/07747.HK.md) - [FTXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/FTXL.US.md) - [09747.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/09747.HK.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) ## 相關資訊與研究 - [花旗大幅調高美光目標價至 840 美元！看好 DRAM 超級週期與 HBM 漲價潮](https://longbridge.com/zh-HK/news/287000640.md) - [三星電子 HBM 良率大突破 HBM3E 核心 DRAM 良率衝上 92％](https://longbridge.com/zh-HK/news/286842766.md) - [〈威剛展望〉三星明起罷工 陳立白：DRAM、NAND 恐掀新一波漲價](https://longbridge.com/zh-HK/news/287006667.md) - [AI 儲存需求爆發，花旗將 SanDisk 目標價大幅上調 52%](https://longbridge.com/zh-HK/news/286932649.md) - [新聞分析／三星大罷工癥結：AI 獲利暴增 獎金怎麼分](https://longbridge.com/zh-HK/news/287010473.md)