--- title: "三星一季度利潤預計同比翻 8 倍，AI 芯片熱潮帶動業績暴增" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/281813933.md" description: "三星電子預計今年一季度營業利潤約 57.2 萬億韓元，同比增長逾 8 倍，遠超分析師預期的 40.6 萬億韓元，單季利潤接近去年全年總和。AI 數據中心需求激增引發芯片供應瓶頸，推動 DRAM 價格大幅上漲，是此次業績爆發的核心驅動。不過，中東局勢及 DRAM 現貨價格回落，令市場對漲價週期能否持續保持警惕。" datetime: "2026-04-07T01:26:40.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/281813933.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/281813933.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/281813933.md) --- # 三星一季度利潤預計同比翻 8 倍，AI 芯片熱潮帶動業績暴增 AI 基礎設施建設熱潮引發芯片供應瓶頸，三星電子坐收漲價紅利，單季利潤直逼去年全年總和。 4 月 7 日，三星電子在首爾發佈 2026 年一季度業績預告。據三星官方公告，公司預計今年 1 月至 3 月合併營業利潤約為 57.2 萬億韓元（約合 379 億美元），同比增長逾 8 倍——去年同期僅為 6.69 萬億韓元。 這一數字不僅大幅超出市場預期。LSEG 智能預估（SmartEstimate）此前預測三星一季度營業利潤為 40.6 萬億韓元，實際結果高出約 41%。與此同時，57.2 萬億韓元的單季利潤已接近三星 2025 年全年營業利潤總和，並將此前 2025 年四季度創下的 20 萬億韓元季度紀錄提高近兩倍。 消息公佈後，三星股價週二早盤一度漲 4.6% 至 202,000 韓元，跑贏大盤綜合指數約 2% 的漲幅。現在漲幅收窄至 3% 以內。 ## 芯片漲價是核心驅動力 三星此次業績爆發，根源在於 AI 數據中心建設的持續擴張。 大量算力需求湧入，導致用於服務器的傳統 DRAM 芯片供應趨緊，價格隨之急漲。據路透社，一季度芯片合約價格近乎翻倍。研究機構 TrendForce 預計，當前季度 DRAM 合約價格將在此基礎上再漲逾 50%。 美銀證券分析師 Kim Sunwoo 解釋了業績超預期的邏輯："由於客户預期價格將進一步上漲，實際合約價格比預期更高，這正是業績超出預期的原因。" 分析師估算，三星芯片部門單季營業利潤約達 54 萬億韓元，佔公司總利潤約 95%。手機業務貢獻約 4 萬億韓元，受益於低成本零部件庫存的消化。 一季度合併營收預計約為 133 萬億韓元，同比增長約 68%。 ## HBM 追趕進展 約一年前，三星 CEO 曾就公司業績不佳及股價表現公開致歉。彼時，三星在供應英偉達 AI 芯片組所需的高帶寬內存（HBM）方面落後於韓國競爭對手 SK 海力士。 而三星目前正憑藉最新一代 HBM4 芯片縮小與 SK 海力士的差距，同時受益於 AI 推理（inference）需求帶動的傳統芯片需求回暖——AI 推理是指 ChatGPT 等 AI 模型實時生成回覆的過程，對普通 DRAM 芯片消耗量大。 同期，美國內存芯片製造商美光科技上月也預告第三季度營收將超出華爾街預期，此前其第二季度已錄得創紀錄業績，同樣受益於 AI 需求旺盛與供應偏緊。 ## 隱憂：漲價週期或已進入後期 儘管業績亮眼，市場對後續走勢的擔憂正在升温。 中東戰事自 2 月 28 日爆發以來，能源成本上升，芯片關鍵原材料供應面臨潛在干擾，AI 數據中心的需求前景也隨之蒙上陰影。三星股價自戰事爆發以來已累計下跌 11%，儘管年初至今仍上漲約 61%。 NH Investment & Securities 高級分析師 Ryu Young-ho 表示："市場對內存價格漲勢見頂的擔憂日益加劇。目前看來，我們已經過了上行週期的初期階段，進入了後期。"他指出，三星如何與客户簽訂長期合約以維持半導體盈利，將是關鍵所在。 TrendForce 高級副總裁 Avril Wu 也指出，上週 DRAM 現貨價格已出現回落，原因是"終端用户需求難以消化高企的價格"。現貨價格通常高於合約價格，其走勢被視為市場景氣度的先行指標。 此外，谷歌上月發佈的內存節省技術 TurboQuant，也被認為是近期內存芯片股遭遇拋售的原因之一。 ### 相關股票 - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXX.US.md) ## 相關資訊與研究 - [AI 記憶體需求引爆成長動能 三星首季獲利暴增近 8 倍](https://longbridge.com/zh-HK/news/281903428.md) - [SK 海力士加速 1c DRAM 佈局 EUV 投資暴增搶攻 HBM4E 先機](https://longbridge.com/zh-HK/news/282160810.md) - [KV 快取需求爆發！HBM、DRAM 容量有限，eSSD 成承接 AI 記憶體外溢關鍵](https://longbridge.com/zh-HK/news/281835834.md) - [AI 助攻 三星第 1 季營業利潤飆 755% 創歷史新高](https://longbridge.com/zh-HK/news/281817381.md) - [漲價潮再起！三星電子擬 Q2 將 DRAM 價格再漲 30%](https://longbridge.com/zh-HK/news/281732377.md)