--- title: "SK 海力士與美光科技：哪個內存芯片是更好的投資選擇？" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/282136879.md" description: "SK 海力士的 1c DRAM 良率已達到 80%，並計劃在今年大幅提高生產能力。該公司已申請在美國上市，目標籌集高達 144 億美元。儘管與美光科技相比估值較低，SK 海力士預計將在 HBM4 內存市場中佔據重要份額。近期市場動態，包括三星創紀錄的利潤和雲服務提供商的強勁需求，導致 SK 海力士的股價上漲近 15%。該公司的積極擴張和技術進步使其在半導體行業中處於有利位置" datetime: "2026-04-09T07:15:27.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/282136879.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/282136879.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/282136879.md) --- # SK 海力士與美光科技：哪個內存芯片是更好的投資選擇？ TradingKey - 4 月 9 日，行業消息人士透露，SK 海力士的 1c DRAM 良率已上升至 80%，今年超過一半的生產能力已轉向新工藝，預計到年底月產量將達到 190,000 片，EUV 設備投資將增加三倍。這項技術是下一代 HBM4E 的核心，將用於 NVIDIA (NVDA) 的"Vera Rubin Ultra" AI 加速器，計劃在明年下半年推出，公司計劃在今年內交付樣品。 早前，SK 海力士於 3 月 25 日向美國證券交易委員會秘密提交了上市申請，計劃通過 ADR 在美國股市上市，目標上市日期為 2026 年下半年。 這些舉措與內存芯片超級週期相吻合：在 2026 年第一季度，DRAM 合同價格環比飆升超過 90%，NAND 價格上漲超過 50%。在三星於 4 月 7 日創下季度利潤紀錄後，韓國半導體行業次日反彈，SK 海力士的股價在一天內上漲近 15%。SK 海力士的美國上市不僅僅是為了籌集資金；它是為了估值恢復和技術佈局的戰略安排。 ## I. 為什麼 SK 海力士的估值低於美光？ SK 海力士在技術上處於領先地位，但其在韓國股市的估值低於美光（MU）。美光的前瞻市盈率約為 7.8 倍，而 SK 海力士僅為 5.9 倍——這意味着每賺取 1 美元的收益，美光的股票估值為 7.80 美元，而 SK 海力士的僅為 5.90 美元。這就是所謂的"韓國折扣"，由零售主導市場、大型企業不透明的公司治理和地緣政治風險等因素造成。 然而，SK 海力士的基本面強勁。預計到 2026 年，它將在下一代 HBM4 內存市場佔據 54% 的份額，並已鎖定約 70% 的 Nvidia 下一代 AI 平台訂單。如果此次美國上市成功，美國機構投資者將能夠直接購買其股票，其估值可能與美國同行對齊，類似於台積電的軌跡。 該計劃涉及發行約 2%-3% 的新股，以籌集 96 億至 144 億美元。由於之前取消的庫存股數量大致等於新發行的股份，因此對現有股東的稀釋將有限。 ## II. 為什麼 SK 海力士的股價在一天內飆升近 15%？ 4 月 8 日，SK 海力士收盤上漲近 13%（盤中接近 15%），達到 103.3 萬韓元。直接催化因素是三星第一季度營業利潤達到 57.2 萬億韓元（同比增長 800%），創下韓國公司紀錄，加上美國與伊朗的臨時停火和地緣政治風險的緩解。 更深層的邏輯是，SK 海力士的 DRAM、NAND 和 HBM 產能已預訂至 2026 年底。微軟（MSFT）、谷歌（GOOGL）等雲服務提供商甚至願意支付 10%-30% 的定金，以確保三年的長期合同。內存芯片正在從週期性商品轉變為"基礎設施級"稀缺資源。 Hana 證券已將 SK 海力士的全年營業利潤預測上調 47%，目標價為 160 萬韓元。 ## III. SK 海力士如何擴大與美光和三星的差距？ HBM 是 AI 芯片的"皇冠"，而 1c DRAM 是這顆皇冠中最閃亮的寶石，直接決定了 HBM4 和 HBM4E 的性能上限。 SK 海力士最近披露了幾個關鍵數據： - **良率已達到 80%**。對於 10nm 級 DRAM，80% 的良率表明該技術已高度成熟，完全準備好進行大規模生產。 - **在今年內轉型超過一半的生產能力**。SK 海力士計劃在今年內將超過一半的 DRAM 生產線轉向 1c 工藝，目標是在年底前實現每月約 190,000 片的產能。這是一個激進的擴張計劃。 - **EUV 光刻設備的投資相比原計劃增加了大約三倍**。該設備是生產 1c DRAM 的必要工具，增加的投資顯示出公司對這項技術的充分信心。 那麼，1c DRAM 與 SK 海力士的 AI 業務有什麼關係？答案在於 HBM4E。 HBM（高帶寬內存）是 AI 芯片的"夥伴"，負責以高速將數據傳輸到 Nvidia 的 GPU。每一代 HBM 都需要更先進、更節能和更快的基礎 DRAM 芯片。SK 海力士的 1c DRAM 正是為下一代 HBM4E 準備的核心材料。 而 HBM4E 的最大客户是誰？Nvidia。Nvidia 計劃在明年下半年推出其下一代 AI 加速器"Vera Rubin Ultra"，該加速器將採用 HBM4E。SK 海力士必須在今年內完成樣品開發，以跟上 Nvidia 的步伐。 **80% 的良率、在今年內轉型超過一半的生產能力以及每月 190,000 片的產能**——這三個數據共同發出明確的信號：SK 海力士不僅僅是在口頭上承諾其技術領先；它正在投入大量資本將這一優勢轉化為實際生產能力。一旦這一產能釋放，將進一步拉大與美光和三星的差距。 ## IV. SK 海力士與美光：哪個是更好的投資？ **SK 海力士在 HBM 領域佔據明顯領先地位。** 在 2025 年第四季度，SK 海力士在全球 HBM 市場的收入佔比達到 57%，是美光的兩倍多。對於下一代 HBM4，它已鎖定約 70% 的 Nvidia 訂單，預計到 2026 年其全球市場份額將達到 54%，而美光僅為 18%。 **在 1c DRAM 工藝技術中，差距可能更大。** SK 海力士披露了 80% 的良率和激進的產能轉換計劃，這使其在即將到來的 HBM4E 競爭中處於更有利的位置。雖然美光也在推進其尖端 DRAM，但尚未發佈可比的進展數據。 **在標準 DRAM 市場上，美光緊隨其後。** 美光最近一個季度的收入達到了 238.6 億美元，同比大幅增長 196%，傳統 DRAM 是主要貢獻者。該公司對下一個季度提供了非常樂觀的指引，預計收入高達 342.5 億美元。美光上個季度的實際毛利率約為 75%，預計下個季度將上升至約 81%。 SK 海力士擁有更先進的技術、更充足的訂單和更激進的產能擴張，但其估值仍然較低。這一估值不匹配是 SK 海力士尋求在美國上市的最直接原因。 ## 5\. SK 海力士為何急於上市？ ### **1: 行業達到超級週期的頂峯** 在 2026 年第一季度，DRAM 價格上漲超過 90%，預計在第二季度將進一步上漲約 60%。分析師認為，這一價格上漲僅剛剛進入 “中期階段”，真正的盈利爆發點可能發生在 2026 年第四季度到 2027 年第二季度之間。在行業高峰期間上市可以實現最大資本募集，並吸引最多的關注。 ### **2: 1c DRAM 技術突破；HBM4E 即將推出** 英偉達計劃在明年下半年推出搭載 HBM4E 的 “維拉·魯賓超算”。作為主要供應商，SK 海力士必須在此之前完成產能準備。建設新工廠、購買極紫外（EUV）光刻設備和擴展研發團隊都需要大量資金。通過 IPO 籌集的 96 億到 144 億美元可以直接用於擴展 1c DRAM 和 HBM4E 的生產能力。 SK 海力士首席執行官郭諾正表示，公司打算利用此次上市確保在任何情況下都能進行長期戰略投資，並迅速響應全球客户訂單。公司還設定了 “淨現金超過 100 萬億韓元” 的目標——這比目前的 12.7 萬億韓元大幅躍升，使得 IPO 成為關鍵一步。 ### **3: 客户訂單充足** SK 海力士佔據了英偉達下一代 AI 平台維拉·魯賓的 HBM4 供應的約 70%，遠超市場之前預期的 50%。現在，隨着 1c DRAM 良率的提高，其市場份額預計也將繼續在隨後的維拉·魯賓超算平台中保持領先。 與此同時，微軟、谷歌和亞馬遜等北美雲巨頭正在與 SK 海力士簽署長期協議，願意支付比智能手機制造商高出 50%-60% 的溢價以確保產能。這些長期訂單為 SK 海力士提供了多年的穩定收入，併為 IPO 提供了堅實的業績支持。 ## VI. SK 海力士的上市對美光是利空還是利好？ 美光長期以來是美國市場上唯一的純 DRAM 股票，享有 “稀缺溢價”。SK 海力士 ADR 的上市將打破這一格局——美國投資者現在有了一個更便宜且技術更具攻擊性的替代選擇。一位紐約對沖基金經理表示：“短期資本可能會從美光流向 SK 海力士。” 然而，影響可能是短期的。KeyBanc 分析師仍然將美光 2026 財年的每股收益預測上調至 64.37 美元，目標價為 600 美元（較當前水平約有 60% 的上漲空間）。從長遠來看，兩家公司的發展軌跡可能會趨於一致，因為 HBM 供應短缺對雙方都有利。 ## VII. 投資 SK 海力士前需考慮的關鍵風險。 SK 海力士的美國上市並不意味着它可以高枕無憂。內存芯片行業目前正處於 SK 海力士、三星和美光之間的激烈競爭階段，未來的格局可能會受到以下四個因素的重塑： 1. **三星的反擊**：三星已訂購約 20 台最先進的 EUV 光刻機（價值超過 450 億人民幣），以擴大 1c DRAM 產能；憑藉芯片性能的巔峯，旨在重新奪回市場份額。 2. **美光迎頭趕上**：美光已將 2026 年的資本支出提高到超過 250 億美元，在全球範圍內擴展生產，HBM4 驗證的差距正在縮小。 3. **週期性下滑**：HBM 市場的增長放緩，領先製造商已開始調整 NAND 產能以防止價格崩潰。 4. **地緣政治和技術迭代**：中東緊張局勢正在擾動市場；HBM 從 3E 到 4 再到 4E 的演變代表着每一代的重組，SK 海力士可能不會永遠領先。 ## VIII. 投資者應如何看待這一點？ SK 海力士追求美國上市體現了內存芯片從 “配角” 到 “主角” 的轉變，以及在 AI 時代從週期性商品到戰略資源的轉變。憑藉 1c DRAM 的 80% 良率、滿產能力和來自英偉達的大量訂單，該公司不僅在銷售敍事，還依賴於經過驗證的技術實力。 如果上市成功，其估值預計將與美光趨於一致，稀釋美光的 “唯一玩家溢價”。投資者將首次能夠同時在美國市場上配置兩隻純 DRAM 股票，估值差距為多空策略提供了空間。 當然，週期性波動、技術迭代以及 “三巨頭” 之間的激烈競爭都預示着風險。正如郭諾正所指出的：“儘管公司處於人工智能時代的中心，但其在全球市場的估值仍然不足。” 2026 年下半年在華爾街的首次亮相將標誌着 SK 海力士從 “韓國冠軍” 向 “全球巨頭” 的重要轉變。 瞭解更多 ### 相關股票 - [DRAM.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/DRAM.US.md) - [SOXQ.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXQ.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [07709.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/07709.HK.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXX.US.md) - [PSI.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/PSI.US.md) - [FTXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/FTXL.US.md) - [MUU.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MUU.US.md) - [MULL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MULL.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) - [MU.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MU.US.md) ## 相關資訊與研究 - [DRAM 供應鏈限制將持續到 2028 年，瑞銀給美光目標價 535 美元](https://longbridge.com/zh-HK/news/282143317.md) - [SK 海力士加速 1c DRAM 佈局 EUV 投資暴增搶攻 HBM4E 先機](https://longbridge.com/zh-HK/news/282160810.md) - [傳微軟與 SK 海力士商定記憶體三年長期供應協議 涉資數百億元](https://longbridge.com/zh-HK/news/281998604.md) - [記憶體掀罕見超級循環 Sandisk、希捷、威騰史高](https://longbridge.com/zh-HK/news/282124515.md) - [ABF 載板搶進先進封裝必備供應商！濕製程廠敍豐預計 5 月初掛牌上櫃](https://longbridge.com/zh-HK/news/282157801.md)