--- title: "SK 海力士 Q1 業績再提速？花旗：內存供應短缺超預期延續，季度營業利潤或環比翻倍" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/282225347.md" description: "花旗報告表示，AI 推理需求激增帶動 KV 緩存存儲爆發，SK 海力士一季度 DRAM 與 NAND 均價預計環比分別上漲 63% 和 70%，整體營收約 52 萬億韓元，環比增 58%，季度營業利潤料達 39.1 萬億韓元，環比翻倍、同比增 426%，超市場預期。長期協議推動存儲市場向定製化模式演進，供應短缺或持續超預期。" datetime: "2026-04-09T16:06:55.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/282225347.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/282225347.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/282225347.md) --- # SK 海力士 Q1 業績再提速？花旗：內存供應短缺超預期延續，季度營業利潤或環比翻倍 AI 推理需求的持續擴張，正將全球存儲市場推向新一輪結構性上行週期，SK 海力士成為最直接的受益者。 花旗分析師 Peter Lee 與 Jayden Oh 指出，**AI 推理需求帶動 KV 緩存存儲需求激增，推動 DRAM 與 NAND 均價在一季度實現大幅跳升**。與此同時，存儲供應商正將季度合同延伸為 3 至 5 年的長期協議，**這將顯著提升盈利能見度、壓縮週期性波動，令 SK 海力士的盈利質量發生結構性改善**。 報告將 SK 海力士目標價從 155 萬韓元上調至 170 萬韓元，維持 “買入” 評級，**並預計該公司 2026 年第一季度營業利潤將達 39.1 萬億韓元，環比增長 104%，同比增長 426%**，大幅超出市場一致預期的 35.1 萬億韓元。以當前股價 103.3 萬韓元計算，潛在上漲空間約 64.6%。 ## 一季度業績料超預期，定價能力大幅躍升 2026 年第一季度，**SK 海力士 DRAM 均價預計環比上漲 63%，NAND 均價環比上漲 70%**，核心驅動力來自 AI 推理場景下 KV 緩存存儲需求的爆發式增長。 出貨量方面，一季度 DRAM 環比下降約 6%，NAND 環比下降約 2%，但**均價的大幅提升足以抵消季節性回落**，帶動整體營收預計達約 52 萬億韓元，環比增長約 58%。 從盈利端來看，**一季度 DRAM 業務營業利潤率預計為 80%，NAND 業務為 61%**，整體營業利潤率約 75%，較 2025 年第四季度的 58% 顯著提升。 ## 服務器 DDR5 與 HBM 需求維持上行，市場擔憂被認為過度 **針對市場對宏觀不確定性及 AI 算法優化（如 DeepSeek 等模型效率提升）可能壓制存儲需求的擔憂，花旗持相反判斷。** 64GB 服務器 DDR5 DRAM 及 HBM 的底層需求正穩步增長，未因近期市場波動而減弱。**TurboQuant 等 AI 算法演進將進一步推升對服務器 DDR5 和 HBM 的需求，而非削減需求。** 定價層面，64GB 服務器 DDR5 DRAM 價格預計在 2026 年下半年之前保持強勁，HBM 需求亦將持續擴張。隨着 AI 代理（AI agents）廣泛應用帶動 token 生成量增長，AI 訓練與推理場景下的 CPU 內存需求將同步獲得提振。 ## 長期協議鎖定訂單，供應短缺局面或持續超預期 **全球存儲供應短缺的持續時間可能超出市場預期，而多年期綁定性長期協議的推廣將進一步強化這一趨勢。** 存儲供應商正將原有的季度合同升級為 3 至 5 年的長期協議，儘管具體細節尚待確認。**這一轉變意味着存儲市場正從傳統大宗商品模式向高度定製化、客户專屬化模式演進——該趨勢可類比晶圓代工業務的發展路徑**，HBM 業務在估值模型中已參照台積電的 EV/EBITDA 倍數進行定價。 基於上述邏輯，花旗給出 SK 海力士 170 萬韓元的目標價。 ### 相關股票 - [512480.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/512480.CN.md) - [159546.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/159546.CN.md) - [512760.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/512760.CN.md) - [FTXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/FTXL.US.md) - [002224.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/002224.CN.md) - [07709.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/07709.HK.md) ## 相關資訊與研究 - [記憶體雙雄對決！美光壓力升温 SK 海力士搶攻資金](https://longbridge.com/zh-HK/news/281780836.md) - [創見破除跌價謠言 DDR5 Q2 再漲價 4-5 成 兩產品缺貨趨嚴重](https://longbridge.com/zh-HK/news/282022954.md) - [KV 快取需求爆發！HBM、DRAM 容量有限，eSSD 成承接 AI 記憶體外溢關鍵](https://longbridge.com/zh-HK/news/281835834.md) - [SK 海力士加速 1c DRAM 佈局 EUV 投資暴增搶攻 HBM4E 先機](https://longbridge.com/zh-HK/news/282160810.md) - [中國長鑫存儲量產 12 層堆疊 HBM，與韓系廠商技術落差三年內](https://longbridge.com/zh-HK/news/282138588.md)