--- title: "存儲新紀元？HBF 商業化衝刺：閃迪擬下半年建試點線，明年量產" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/282508390.md" description: "閃迪加速推進高帶寬閃存（HBF）商業化，計劃於 2026 年下半年建成試產線，2027 年實現量產。該技術通過在 NAND 閃存中引入 TSV 堆疊封裝，可提供約 10 倍於 HBM 的存儲容量。得益於 HBM 積累的經驗，HBF 的商業化週期預計將遠短於 HBM 的開發歷程。目前，SK 海力士與三星已同步入局。" datetime: "2026-04-13T08:22:38.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/282508390.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/282508390.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/282508390.md) --- # 存儲新紀元？HBF 商業化衝刺：閃迪擬下半年建試點線，明年量產 閃迪正顯著加快高帶寬閃存（HBF）的商業化進程。這一被業界視為 AI 推理時代關鍵存儲層級的新技術，正吸引閃迪、SK 海力士與三星電子全面入局，標誌着繼 HBM 之後，存儲行業下一輪結構性競爭已正式打響。 4 月 13 日，據韓國媒體 ETNews 援引 The Bell 報道，**閃迪已開始與材料、零部件及設備合作伙伴接洽，着手搭建 HBF 原型產線生態，計劃於今年下半年推出原型產品。該試產線預計於 2026 年下半年竣工並投入運營，商業化目標定於 2027 年。** 報道援引知情人士稱，隨着樣品生產加速推進，**閃迪可能將此前規劃的 HBF 開發時間表整體提前約半年，顯示出搶佔市場先機的強烈意圖。** **HBF 的推進對 AI 硬件產業鏈具有深遠影響。**該技術通過在 NAND 閃存中引入硅通孔（TSV）堆疊封裝，**可在維持高帶寬的同時提供約 10 倍於 HBM 的存儲容量，專為填補 HBM 與 SSD 之間的存儲層級斷層而設計**。隨着 AI 工作負載加速向推理階段遷移，這一技術缺口的戰略價值日益凸顯。 ## **設備與材料產業鏈：HBM 積累優勢直接遷移** **閃迪在 HBM 及 NAND 領域均具備設計、封裝與量產經驗，這為其向 HBF 領域發力奠定了技術基礎。** 據 ETNews 報道，**由於 HBF 與 HBM 在工藝流程上高度相似，HBM 產線積累的設備、材料與零部件生態有望在 HBF 領域延續技術領先優勢。** 具體而言，用於實現堆疊 NAND 芯片間信號傳輸的 TSV 工藝設備、固晶用鍵合材料及相關設備，預計仍將由已在 HBM 市場建立強競爭力的企業主導。這一技術路徑的延續性意味着，**現有 HBM 設備供應商的潛在市場空間將隨 HBF 的推進而直接擴大。** 材料端亦出現新動向。韓國 Hanul Materials Science 旗下子公司 JK Materials 近日宣佈，**已完成用於 HBF 的高性能聚合物開發工作，並已向主要客户供貨。**報道指出，該公司的高性能 KrF 聚合物是實現數百層 NAND 閃存堆疊所需的關鍵化學材料。 ## **三巨頭競爭格局：標準話語權與專利佈局同步展開** 在競爭格局層面，SK 海力士與閃迪正通過 OCP 工作組推進標準化，試圖在規範制定層面建立先發優勢。此前業界預計，**三星電子與閃迪計劃於 2027 年底至 2028 年初將 HBF 集成至英偉達、AMD 及谷歌的產品中。** 三星方面，據《朝鮮日報》報道，三星電子自 2020 年代初便已開展 HBF 研究，近期更密集收購一系列 HBF 相關專利，積極拓展技術儲備。**儘管尚未作出類似 SK 海力士的公開宣佈，但其專利佈局動作表明，三星正穩步推進 HBF 賽道佈局。** 被譽為 “HBM 之父” 的韓國科學技術院教授 Kim Joungho 近期表示，**HBF 的落地節奏較此前預期明顯提前。**他預計，HBF 將在 HBM6 推出階段實現廣泛應用，並於 2038 年前後在市場規模上超越 HBM。同時他指出，**得益於 HBM 積累的工藝與設計經驗，HBF 的商業化週期將遠短於當年 HBM 的開發歷程。** ## **HBF 的戰略定位：填補 AI 推理時代的存儲層級缺口** HBF 的核心價值在於構建一個介於超高速 HBM 與大容量 SSD 之間的全新存儲層級。SK 海力士指出，在 AI 推理場景下，隨着用户規模快速擴張，現有存儲架構面臨高容量數據處理與功耗效率難以兼顧的結構性矛盾——HBM 帶寬卓越但容量有限，SSD 容量充裕但讀寫速度不足。 HBF 通過垂直堆疊 NAND 閃存，在維持高帶寬的同時提供約 10 倍於 HBM 的存儲容量，專為彌合這一技術缺口而設計。在系統架構中，**HBM 負責處理高帶寬需求，HBF 則作為支撐層承接容量擴展任務，兩者協同覆蓋 AI 推理對海量數據處理與功耗效率的雙重要求。** SK 海力士總裁兼首席開發官 Ahn Hyun 表示：“AI 基礎設施的關鍵在於超越單項技術的性能競爭，實現整個生態系統的優化。” SK 海力士同時指出，**HBF 成為行業標準將為整個 AI 生態系統的共同成長奠定基礎。** ### 相關股票 - [SMSN.UK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMSN.UK.md) - [WDC.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/WDC.US.md) - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) - [DRAM.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/DRAM.US.md) - [SOXQ.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXQ.US.md) - [07747.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/07747.HK.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) - [SMH.UK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.UK.md) - [FTXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/FTXL.US.md) - [07709.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/07709.HK.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXX.US.md) - [09747.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/09747.HK.md) - [PSI.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/PSI.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) ## 相關資訊與研究 - [長江存儲規劃 NAND 產能翻倍 業界：供給仍趕不上需求](https://longbridge.com/zh-HK/news/282783719.md) - [長江存儲擴產引發恐慌，分析師指四大因素強調短期難影響市場](https://longbridge.com/zh-HK/news/282801032.md) - [護國神山法説行情助攻台股創高 這檔科技市值型 ETF 盤中漲 3.5% 同創高](https://longbridge.com/zh-HK/news/282625605.md) - [三星爆勞資對峙！工會喊分 15% 獲利 專家警告：恐掏空 AI 研發戰力](https://longbridge.com/zh-HK/news/282645015.md) - [獲 SK 海力士青睞、台積 3 奈米晶片流片！Semidynamics 如何靠 RISC-V 打造 AI 推論新架構？](https://longbridge.com/zh-HK/news/282782348.md)