阿斯麥電話會要點如下：
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全年指引上修，出口管制已納入。公司將全年淨銷售額預期上調至 360 億至 400 億歐元。管理層明確表示，這一指引區間已包含出口管制不確定性的潛在影響。
存儲客户 2026 年產能售罄。客户明確告知，2026 年產能已全部售罄，供應緊張將持續到 2026 年以後。大量需求背後有下游客户的長期承諾支撐。
非 EUV 業務需求逆轉。此前預期非 EUV 業務與去年持平，現上調至增長。浸沒式 DUV 需求在 2025 年大幅走弱後已逆轉，今年銷量預計接近去年水平。
技術路線方面，High NA 減掩模縮步驟。客户報告顯示，High NA 可將 EUV 掩模從 3 塊減至 1 塊，工藝步驟從 100 步壓縮至 10 步，且可覆蓋未來 3 至 4 個製程節點。1000 瓦光源確保 Low NA 可延伸至 2031 年。
產能目標清晰。2026 年 Low NA EUV 出貨至少 60 台，2027 年至少 80 台。
</blockquote>
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4 月 15 日，ASML 舉行業績電話會。一季報全線好於預期：淨銷售額 87.7 億歐元、淨利潤 27.6 億歐元、毛利率 53%，均高於市場預期。同時，公司還將全年淨銷售額指引上調至 360 億至 400 億歐元。
然而，二季度指引卻成為股價的短期壓力源——銷售額中值約 87 億歐元，低於市場預期的 90.7 億歐元，毛利率也環比下滑。這份偏弱的短期指引，導致盤後股價一度跌超 2%。
市場真正擔心的，是三個更長期的問題：非 EUV 業務改善是短單回補還是週期性拐點？存儲擴產前移能否持續？出口限制收緊後騰挪空間有多大？電話會上，管理層逐一給出了明確答案。
關於非 EUV 業務： 此前預期與去年持平，現上調至增長。核心驅動力浸沒式 DUV 需求在 2025 年大幅走弱後 “已經逆轉”，今年銷量預計接近去年水平。管理層口風偏暖：非 EUV 需求逆轉，暗示拐點而非短單。
關於存儲擴產： CEO 明確表示，客户 2026 年產能 “已經售罄”，供應緊張將持續到 2026 年以後。更重要的是，大量需求背後有下游客户的長期承諾支撐——這不是投機性備貨，而是有真實需求託底的擴產前移。
關於出口管制： 公司表示，360 億至 400 億歐元的全年指引區間已包含出口管制不確定性的潛在影響，自認具備足夠的緩衝能力。
此外，產能目標與技術突破進一步強化信心： 2026 年 Low NA EUV 出貨至少 60 台，2027 年至少 80 台。技術層面，1000 瓦光源確保 Low NA 延伸至 2031 年；High NA 可將掩模從 3 塊減至 1 塊、工藝步驟從 100 步壓縮至 10 步，覆蓋未來 3 至 4 個節點。
<h2 style="text-align: left">非 EUV 業務改善：從 “持平” 到 “增長”，週期性拐點確立</h2>
ASML 在本次財報中顯著上調了對非 EUV 業務的全年預期。此前，公司預計該業務收入與 2025 年基本持平，但本季度管理層明確表示，需求已出現實質性逆轉。首席財務官羅傑·達森在訪談中指出：“我們現在看到該業務的需求實際上也在增加。因此，我們預計非 EUV 業務收入將增加。”
這一變化的核心驅動力來自浸沒式 DUV 業務的回暖。羅傑·達森透露，2025 年浸沒式 DUV 需求曾大幅走弱，導致今年開局偏慢，但此後需求趨勢已發生逆轉。“儘管開局緩慢，就今年而言，按單位數量計算，我們仍然預計浸沒式 DUV 的銷售額將與去年非常接近。” 乾式 DUV 及應用業務同樣表現良好。
從定性角度看，這一改善並非短期訂單回補，而是結構性拐點。客户產能持續緊張、AI 基礎設施投資外溢至成熟製程，以及長期產能建設計劃的落地，共同支撐了非 EUV 需求的可持續性。
<h2 style="text-align: left">存儲擴產前移：2026 年確定性高，持續性待驗證</h2>
存儲芯片客户的需求是本季度業績超預期的重要支撐。據首席執行官克里斯托夫·富凱透露，主要存儲客户的產能狀況已十分緊張。他明確表示：“我們的客户告訴我們，他們 2026 年的產能已經售罄，供應緊張將持續到 2026 年以後。”這意味着客户擴產計劃已大幅前移，對阿斯麥的設備交付形成了明確且緊迫的需求。
從需求結構看，先進存儲（尤其是與 AI 相關的 HBM 等）是擴產的主力。克里斯托夫·富凱進一步指出，客户不僅增加了資本支出，還 “試圖加速其在 2026 年及以後的產能爬坡”。更重要的是，大量需求背後有來自其下游客户的長期承諾支持，增強了訂單的可見度。
然而，2027 年及以後的持續性仍需觀察。目前阿斯麥並未披露客户長期承諾的具體覆蓋年限或簽約進度。雖然 AI 基礎設施投資的中長期邏輯穩固，但存儲芯片固有的週期性波動意味着，一旦終端需求增速放緩，擴產節奏可能面臨調整。
<h2 style="text-align: left">產能規劃：2026 年低數值孔徑 EUV 出貨目標至少 60 台</h2>
為應對客户需求加速，阿斯麥正積極擴充自身產能。羅傑·達森表示，2026 年公司目標低數值孔徑 EUV 系統出貨量至少達到 60 台；展望 2027 年，若客户需求持續支撐，低數值孔徑 EUV 出貨量有望提升至至少 80 台。
在非 EUV 產品線方面，公司亦計劃使相關業務與客户在各節點的需求保持匹配。克里斯托夫·富凱補充稱，公司將持續與客户緊密協作，通過新系統出貨、現有系統性能升級以及安裝基礎產品三管齊下，幫助客户擴充產能。
<h2 style="text-align: left">技術路線：Low NA EUV 可延伸至 2031 年，High NA 加速走向量產</h2>
在技術進展方面，克里斯托夫·富凱表示，阿斯麥在 SPIE 光刻技術大會上展示了 1000 瓦光源，這一突破確保了低數值孔徑 EUV 的長期可延伸性——預計到 2031 年，該設備每小時可處理 330 片晶圓，較現有水平大幅提升。
短期內，ASML 已將 NXE:3800E 系統的吞吐量從每小時 220 片提升至 230 片；下一代系統 NXE:3800F 的規格亦從每小時 250 片提升至 260 片，預計將於 2028 年前後助力產能提升。
高數值孔徑 EUV 方面，克里斯托夫·富凱表示，客户在 SPIE 大會上開始公開討論 High NA 的應用進展。客户報告顯示，High NA 可將 EUV 所需掩模版數量從 3 塊減少至 1 塊，並將工藝步驟從 100 步壓縮至 10 步。在生態系統層面，光刻膠合作夥伴的研究表明，High NA 在邏輯芯片領域可延伸至 18 納米線間距，在存儲芯片領域可延伸至 28 納米孔徑，且可覆蓋 3 至 4 個製程節點。克里斯托夫·富凱表示，隨着客户開始在真實產品上測試 High NA，設備成熟度持續提升，每日晶圓產出數據持續改善。
<h2 style="text-align: left">出口限制風險：當前指引已預留緩衝空間</h2>
在地緣政治不確定性持續升温的背景下，出口管制對 ASML 業務的影響備受關注。本次財報中，管理層罕見地主動回應了這一問題。羅傑·達森明確表示：“在我們提供的 360 億至 400 億歐元的指引範圍內，我們相信我們能夠應對目前正在進行的出口管制討論可能產生的結果。”
這一表態傳遞出兩個重要信號。其一，ASML 對自身業務的地理結構和產品組合具有信心，認為即便限制收緊，仍可通過調配資源、優先滿足其他市場需求來對沖負面影響。羅傑·達森此前也強調，公司正 “完全與客户保持一致，為他們提供所需的東西”，這種靈活性是應對地緣政治不確定性的重要基礎。其二，公司並未將出口限制視為顛覆性風險，而是在指引層面已做了相應的保守預估。
當然，出口管制的演變路徑仍具有高度不確定性。若限制範圍超出當前預期，或涉及更多先進設備型號，ASML 的實際騰挪空間仍需動態評估。但就目前而言，公司明確傳遞了 “可控” 的信號。
以下是業績視頻全文內容（由 AI 輔助翻譯）：
<blockquote>
大家好，歡迎收看 ASML 2026 年第一季度業績視頻。歡迎克里斯托夫和羅傑。
羅傑，能否請您先為我們總結一下 2026 年第一季度的業績？
本季度總淨銷售額為 88 億歐元，符合指引。其中，安裝基礎業務收入為 25 億歐元，略高於指引。第一季度毛利率為 53%，處於我們指引區間的高端。我剛才提到的安裝基礎業務超出了我們的預期。該業務中的某些部分實際上帶來了相當強勁的毛利率。因此，我們實現了 53% 的較高毛利率。本季度淨利潤為 28 億歐元。
2026 年第二季度指引
您能否也提供一下 2026 年第二季度的業績指引？
對於第二季度，我們預計總淨銷售額在 84 億至 90 億歐元之間。其中，安裝基礎業務收入預計仍為 25 億歐元。我們預計毛利率在 51% 至 52% 之間。
市場動態
克里斯托夫，現在換您來回答。能否請您談談對市場的展望以及您目前對形勢的看法？
我認為我們看到半導體行業的增長持續穩固。這仍然主要由對人工智能基礎設施的投資所驅動。這轉化為對先進存儲芯片、先進邏輯芯片的巨大需求。我們預計，在可預見的未來，供應將無法滿足需求。這從人工智能到移動設備和個人電腦的終端市場造成了嚴重的供應制約。因此，我們的客户被強烈要求創造更多產能。從存儲芯片來看，我們的客户告訴我們，他們 2026 年的產能已經售罄，供應緊張將持續到 2026 年以後。對於先進邏輯芯片，我們看到客户正在為多個節點建設產能，同時他們也在繼續提升 2 納米制程的產能，以滿足人工智能產品的需求。
那麼，我想可以公平地説，這些產能的增加中有很多都對我們的自身展望產生了積極影響？
絕對如此。我們看到存儲芯片和邏輯芯片客户正在增加資本支出，並試圖加速其在 2026 年及以後的產能提升。同樣非常有趣的是，這種需求中有很大一部分得到了客户自身客户的長期承諾的支持。最重要的是，我們看到存儲芯片客户（DRAM 客户）和先進邏輯芯片客户都在繼續增加對極紫外光刻（EUV）和浸沒式光刻（immersion）的採用。這基本上轉化為更高的光刻強度和更高的 ASML 光刻需求。因此，我們將繼續與客户緊密合作以提高我們的產能。我們在 2026 年正在這樣做，並將在 2027 年繼續這樣做。
羅傑，或許請您補充一下。能否提供更多細節，説明我們實際將採取哪些措施來增加產能以支持市場需求？
我認為克里斯托夫説得對。我們非常明確地與客户合作，完全與客户保持一致，為他們提供所需的東西。這包括通過新系統出貨來增加產能，盡我們所能升級系統性能，以及提供安裝基礎產品。通過這種組合，我們努力滿足客户的需求。具體到我們自身的產能，就今年（2026 年）而言，我們相信能夠實現至少 60 套低數值孔徑（Low NA）EUV 系統的產出。這是我們目前正在努力的方向。
此外，我們也在關注 2026 年的深紫外光刻（DUV）。正如我幾個月前提到的，在浸沒式 DUV 方面，我們實際上開局有點慢，因為在去年（2025 年）的過程中，我們看到的浸沒式 DUV 需求顯著降低。現在這種情況已經逆轉了。我想説，儘管開局緩慢，就今年而言，就單位數量而言，我們仍然預計浸沒式 DUV 的銷售額將與去年非常接近。這就是 2026 年的情況。
展望 2027 年的產能，我們正在逐季度提高我們的生產節拍。具體到 Low NA EUV，我們預計到 2027 年能夠實現——同樣，如果客户需求真正支撐這一點的話——我們相信可以達到至少 80 套 Low NA EUV 設備的產出。我們也在努力使非 EUV 業務與客户對其所有節點的需求保持一致。
2026 年全年指引
具體到 2026 年，能否介紹一下我們自身業務的全年最新情況？
顯然，2026 年的發展態勢非常好。這是非常強勁的一年。我們預計將是強勁增長的一年。基於克里斯托夫所談到的所有客户動態，我們實際上正在收窄並同時上調我們今年的預期區間至 360 億至 400 億歐元。
如果看一下不同的組成部分，正如我們已經預期的，今年 EUV 業務將表現強勁。所以 EUV 業務（包括 Low NA EUV 和 High NA EUV）今年將表現強勁。在非 EUV 業務方面，此前我們預計該業務與去年相比持平。但現在，我們看到該業務的需求實際上也在增加。因此，我們預計非 EUV 業務收入將增加。我已經提到了我們在浸沒式 DUV 方面的努力，乾式 DUV 業務表現也相當不錯。應用業務也是如此。因此，我們相信，與我們幾個月前的情況相比，我們預計非 EUV 業務將實現增長。在安裝基礎業務方面，也將實現強勁增長。因為很明顯，這是我們的客户增加產能以滿足克里斯托夫所談到的需求的一種非常快速的方式。
我想説的是，在我們提供的 360 億至 400 億歐元的指引範圍內，我們相信我們能夠應對目前正在進行的出口管制討論可能產生的結果。
2026 年的毛利率如何？
對於毛利率，我們維持 51% 至 53% 的預期。
技術更新
現在稍微轉換一下話題，談談技術。克里斯托夫，您能否就我們技術及路線圖的進展提供一些見解和最新情況？
我們繼續很好地執行我們的技術路線圖。每年，我們都會利用 SPIE（國際光學工程學會）會議向全世界簡要介紹我們所取得的成就。今年有幾個重要的新聞：第一個是我們展示了 1000 瓦光源。這非常重要，因為它意味着我們可以確保 Low NA EUV 在未來的許多年裏都具有可擴展性。這實際上意味着，到 2031 年，我們將能夠以每小時 330 片晶圓的速度運行該設備，這比我們今天的水平有了重大提升。
現在，EUV 的進展對短期也有良好的影響。我們已經成功地將 NXE:3800E 設備的吞吐量從每小時 220 片晶圓提高到 230 片。這對短期產能也有幫助。我們的客户很高興能夠從每台設備中獲得更多晶圓。我們還在將下一代系統 NXE:3800F 的規格提高到每小時 260 片晶圓，此前是每小時 250 片。這也將有助於我們在 2028 年左右的產能。
同樣在 SPIE 會議上，我們的高數值孔徑平台也有一些進展更新。您能分享一下嗎？
SPIE 會議的好處是，我們的客户開始談論 High NA。他們報告了一些情況。第一件事當然是，High NA 可以讓他們顯著減少掩模數量。DRAM 和邏輯客户談到，使用 High NA 可以將 EUV 的掩模數量從 3 個減少到 1 個。他們還提到，這可以將工藝步驟從 100 步減少到 10 步。這當然是意義重大的。這也就是我們開發 High NA 的原因。
我們還看到了生態系統方面的巨大進步。我們的一些光刻膠合作夥伴做了精彩的演示，指出 High NA 在邏輯芯片方面可以擴展到 18 納米線寬和間距，在存儲芯片方面可以擴展到 28 納米孔尺寸。這基本上意味着，High NA 不僅已準備好進入黃金時代，而且我們已經知道 High NA 主要可以擴展到 3 到 4 個節點。這對我們的客户來説當然非常、非常重要。
最後，設備的成熟度很重要。我們繼續看到更好的可用性數據。每天產出更多晶圓，總產出更多。當然，隨着我們看到客户開始在真實產品上測試 High NA，這一點變得越來越重要。
感謝二位今天參加我們的訪談。謝謝。不客氣。
</blockquote>

阿斯麥

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阿斯麥一季度業績全線超預期，但 Q2 指引偏弱引發市場短期分歧。電話會上管理層打消疑慮：非 EUV 業務從 “持平” 上調至增長；存儲客户 2026 年產能已售罄，且有下游長期承諾支撐。公司明確 2026 年 Low NA EUV 出貨至少 60 台，High NA 技術實現掩模從 3 塊減至 1 塊、工藝步驟從 100 步壓縮至 10 步等突破。

- ASML 將全年淨銷售額預期上調至 360 億至 400 億歐元，包含出口管制影響。  
- 存儲芯片客户 2026 年產能已售罄，供應緊張將持續。  
- 非 EUV 業務需求改善，預計將實現增長。

阿斯麥電話會定調：存儲客户今年產能已售罄，長單託底，非 EUV 增長 “週期性拐點確立”