存儲芯片現貨市場整體陷入僵局。供應商靜待四月中旬合約價格官宣，買方因終端需求疲軟持續壓縮採購，多重因素疊加導致交投持續低迷，DRAM 與 NAND 現貨價格雙雙承壓。據集邦諮詢（TrendForce）最新現貨價格追蹤報告，主流 DRAM 芯片 DDR4 1Gx8 3200MT/s 現貨均價本週小幅下滑 0.48%，由上週（4 月 8 日）的 33.56 美元降至本週（4 月 14 日）的 33.40 美元。NAND 閃存方面，512Gb TLC 晶圓現貨價格本週（4 月 13 日）跌幅擴大至 3.13%。兩大細分市場的走勢均指向同一癥結：終端消費需求復甦動能不足，買賣雙方均不願率先打破僵局，市場成交量持續萎縮。<h2 style="text-align: left">DRAM：供應商惜售候價，買方拒絕高位建庫</h2>DRAM 現貨市場本週受季末效應與假期因素影響，交投氣氛明顯趨淡。供給端整體策略保守。多數現貨賣方選擇按兵不動，等待 DRAM 原廠於四月中旬發佈的官方合約定價，以此作為調整報價的參考依據。僅有少數賣家因資金週轉壓力零星下調報價，但未能有效激活市場需求。需求端同樣缺乏主動意願。終端消費市場需求回暖力度不足，採購方嚴格管控成本，普遍不願在當前價位高位囤貨，導致整體需求端表現被動，成交量持續收縮。<h2 style="text-align: left">NAND：賣方迫於資金壓力讓價，價格繼續下跌</h2>NAND 閃存現貨市場本週延續上週格局，交易整體偏向謹慎。買方持續受制於高價位，多數持觀望態度，入市意願有限。賣方一方面期待合約價格上漲帶動市場好轉，另一方面部分賣家迫於資金壓力，選擇妥協降價以完成交割，但整體市場動能並未出現明顯改觀。512Gb TLC 晶圓現貨價格本週跌幅達 3.13%，反映出在供需雙方均缺乏明確方向指引的情況下，NAND 現貨價格仍面臨下行壓力。<h2 style="text-align: left">短期展望：合約定價窗口臨近，市場等待方向信號</h2>綜合兩大市場表現來看，四月中旬 DRAM 原廠合約定價的官方公告，將成為短期內影響現貨市場走向的關鍵變量。若合約價格如賣方預期出現上調，或有助於提振市場信心，推動買賣雙方重啓談判；反之，若定價低於預期，則可能進一步加劇現貨端的拋售壓力。在官方定價落地之前，買賣雙方的觀望情緒預計仍將主導市場，成交量難以出現實質性回升。

美光科技

三星電子

DRAM

閃迪

南方兩倍做多海力士

南方兩倍做多三星

存儲芯片現貨市場賣方等待四月中旬合約價格公佈以調整報價；買方受制於終端需求疲軟與成本管控，普遍不願高位囤貨；市場成交量持續萎縮。DRAM 方面，主流芯片 DDR4 1Gx8 3200MT/s 均價本週小幅下滑 0.48%；NAND 閃存方面，512Gb TLC 晶圓現貨價格本週跌幅擴大至 3.13%。

- 存儲芯片現貨市場交投低迷，DRAM 與 NAND 價格雙雙承壓。  
- 終端需求疲軟使採購方減少採購，市場成交量萎縮。  
- 四月中旬合約價格官宣將影響市場走向，買賣雙方觀望情緒濃厚。

存儲現貨市場觀望加劇：DRAM 賣家惜售，DDR4 小幅下跌，NAND 延續跌勢