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title: "英飛凌擴展了其 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模塊的產品組合"
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description: "英飛凌科技股份公司已擴展其 XHP 2 功率模塊產品線，推出新的 2300V CoolSiC MOSFET，專為高壓電力系統設計。這些模塊支持高達 1500V 的直流鏈接電壓，提供從 1mΩ 到 2mΩ 的導通電阻值。利用碳化硅技術，它們提高了效率和功率密度，使其適用於風能和電池儲能系統等可再生能源應用。新模塊現已上市，支持下一代高壓電力系統的可擴展解決方案"
datetime: "2026-05-11T18:47:21.000Z"
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# 英飛凌擴展了其 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模塊的產品組合

新聞：微電子

英飛凌擴展 XHP 2 CoolSiC MOSFET 功率模塊產品線

德國慕尼黑的英飛凌科技公司擴展了其 XHP 2 功率模塊產品線，新增了採用 2300V CoolSiC MOSFET 的新變體，旨在滿足高壓電力系統的需求。這些新的 2300V 級設備支持高達 1500V 的直流鏈接電壓，符合行業向更高系統電壓發展的趨勢。

這些模塊提供多種變體，導通電阻（RDS(on)）值範圍從 1mΩ到 2mΩ，絕緣電壓為 4kV 或 6kV。

通過利用碳化硅（SiC）技術，這些設備相比傳統的硅基解決方案減少了開關和導通損耗。這使得逆變器能夠實現更高的效率和功率密度，或在更高的開關頻率下運行，以減少諧波和系統體積。新的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模塊非常適合可再生能源應用，包括風能、光伏和電池儲能系統。

_圖片：英飛凌的 XHP 2 功率模塊產品線。_

這些模塊採用 XHP 2 封裝，具有對稱的開關特性，便於在大型功率轉換器中並聯，並提供一個標準化平台，使開發人員能夠根據應用需求平衡效率和性能。所有變體都集成了英飛凌經過驗證的.XT 互連技術，增強了可靠性並延長了使用壽命。這些模塊還提供預塗熱界面材料，簡化了組裝，同時支持一致的熱性能。

英飛凌表示，這些特性轉化為可測量的系統級收益。在一個風能演示系統中，達到了 300kW/L 的功率密度，而在電池儲能系統的測試中，半導體損耗低於輸出功率的 0.7%。

通過此次產品線擴展，英飛凌支持下一代高壓電力系統的可擴展解決方案，涵蓋廣泛的可再生能源應用。

英飛凌現已推出額定 2300V 的 XHP 2 CoolSiC MOSFET 模塊，型號為 FF1000UXTR23T2M1、FF1300UXTR23T2M1、FF2000UXTR23T2M1 和 FF1000UXTR23T2M1\_B5，現已通過英飛凌及其分銷合作伙伴提供。

英飛凌在 XHP 2 封裝中新增了使用 3.3kV MOSFET 的 CoolSiC 功率模塊，目標是牽引應用。

英飛凌

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