--- title: "三星 18 天罷工倒計時！買家恐慌性囤貨恐推高內存價格" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/286720076.md" description: "三星電子工會計劃於 5 月 21 日展開 18 天罷工，核心訴求為 15% 的利潤分紅。儘管法院已發佈產量保護禁令且晶圓廠自動化程度高，但大摩認為，勞動密集型後端封裝仍面臨衝擊。由於罷工期與三季度內存談判窗口重疊，恐引發大廠預防性搶貨。此前走軟的 DRAM 和 NAND 現貨價已率先企穩回升。" datetime: "2026-05-18T06:49:59.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/286720076.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/286720076.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/286720076.md) --- # 三星 18 天罷工倒計時！買家恐慌性囤貨恐推高內存價格 作為全球第一大 DRAM 及 NAND 供應商，三星電子勞資危機持續升温，正為內存芯片市場帶來新的價格上行風險。工會計劃於 5 月 21 日展開為期 18 天的罷工行動，分析人士警告，這一威脅或將觸發 OEM 廠商及大型科技公司的搶貨行為，並在第三季度合同價格談判的關鍵窗口期推高內存定價。 韓國法院 5 月 18 日裁定，**批准三星電子的部分禁令申請，要求工會罷工行動不得影響產量；若工會不遵守法院指令，將面臨每日約 1 億韓元的罰款。**同日，三星電子與工會在政府調解下啓動新一輪薪資談判，工會核心訴求為獲得相當於公司營業利潤 15% 的特別獎金。韓國總統李在明呼籲勞資雙方凝聚智慧，摒棄單方面利益，尋求合作。 上述消息引發韓國資本市場劇烈波動——韓國 KOSPI 指數及 KOSPI200 指數早盤一度跌逾 4%，法院 “警告令” 後，韓股大盤 V 型反轉，三星電子、SK 海力士等芯片股也紛紛反轉。事件亦波及全球投資者對芯片等科技股的情緒。 儘管多方介入勸阻，三星電子工會依然表示，**將按計劃進行罷工。** 據追風交易台消息，據美銀全球研究 5 月 16 日發佈的報告，三星罷工對全球內存供給的實際衝擊或相對有限，**但預防性囤貨效應可能成為推升價格更直接的催化劑——DRAM 及 NAND 現貨價格本週已率先從此前的軟化態勢中小幅回升。** ## 產線衝擊有限，後端封裝區域風險不容忽視 三星韓國工會此次罷工計劃於 5 月 21 日至 6 月 7 日實施，為期 18 天，觸發條件為特別獎金（相當於公司營業利潤 15%）談判未能達成。值得注意的是，罷工窗口與第三季度內存合同價格的談判週期（通常在 6 月進行）高度重疊，令市場對價格走勢格外敏感。 美銀證券研究認為，三星內存晶圓廠生產高度依賴工廠自動化，潔淨室內操作人員有限，完全停產的可能性較低，**18 天罷工的理論衝擊因此相對可控。**然而，勞動密集型的後端封裝區域受到的衝擊可能更為直接。報告同時提示，一旦發生全面停工，**晶圓廠恢復正常運營通常至少需要數個月，**這是評估潛在供給衝擊時不可忽視的結構性風險。 ## 囤貨效應：現貨價格已率先響應 美銀證券認為，本次罷工對內存價格的影響，可能主要來自需求側的預防性備貨行為。報告指出，**部分 OEM 廠商及大型科技公司或將提前搶購三星內存芯片，以應對 9 月至 10 月傳統旺季所需，進而推高現貨市場價格。** 時間節點的高度敏感性同樣體現在合同定價層面。第三季度內存合同價格通常在 6 月談判確定，與本次罷工期高度重疊。美銀證券預計，這將對內存芯片廠商的合同定價形成正面支撐。 市場已出現初步價格信號。據 DRAMeXchange 數據，本週 DRAM 與 NAND 現貨價格從 4 月及 5 月上旬的持續軟化中企穩回升：16Gb DDR5 現貨價報 40.7 美元，周內上漲 2%；4Gb DDR4 周漲 5%；1Tb NAND 晶圓現貨價格周漲 1%，同比累計漲幅高達 386%。美銀證券指出，DDR5 價格本週進一步走高，此前連續數週下跌的 DDR4 及 NAND 價格亦趨於穩定。 ### 相關股票 - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) - [SMSN.UK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMSN.UK.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXX.US.md) - [DRAM.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/DRAM.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) - [BAC.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC.US.md) - [BAC-Q.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-Q.US.md) - [BML-L.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BML-L.US.md) - [BAC-L.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-L.US.md) - [BAC-K.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-K.US.md) - [BML-H.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BML-H.US.md) - [BAC-N.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-N.US.md) - [BAC-E.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-E.US.md) - [MER-K.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MER-K.US.md) - [BAC-O.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-O.US.md) - [BML-G.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BML-G.US.md) - [BAC-M.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-M.US.md) - [BAC-B.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-B.US.md) - [BML-J.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BML-J.US.md) - [BAC-S.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-S.US.md) - [BAC-P.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-P.US.md) - [8648.JP](https://longbridge.com/zh-HK/quote/8648.JP.md) ## 相關資訊與研究 - [三星、鎧俠陸續退出 2D NAND 市場，供不應求情況使價格飆漲 300%](https://longbridge.com/zh-HK/news/286023789.md) - [三星電子工會或月底罷工 李在鎔鞠躬道歉](https://longbridge.com/zh-HK/news/286641663.md) - [三星 4 萬人罷工倒計時 8 天 散户社區喊出美光看到「1300 美元」？](https://longbridge.com/zh-HK/news/286261595.md) - [三星勞資進入「最後機會」談判 政府不排除動用緊急權力](https://longbridge.com/zh-HK/news/286696673.md) - [三星罷工危機逼近：分析師為何建議「關注 MU」，記憶體廠開始降温](https://longbridge.com/zh-HK/news/286582066.md)