--- title: "ST 將 700V PowerGaN 器件納入其 STPOWER 產品組合" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/287758250.md" description: "意法半導體擴展了其 STPOWER 產品組合，新增了 700V PowerGaN 器件，旨在提高高壓應用中的效率和功率密度。這些基於氮化鎵的半導體解決了 AI 服務器功耗方面的挑戰，並支持更高性能的電源轉換。新設備提供多種電流等級，具有低導通損耗和減小系統尺寸等優勢，適用於機器人、工業電源和智能電網應用。目前這些器件已進入生產，批量訂單價格在 0.63 美元至 2.25 美元之間" datetime: "2026-05-27T10:57:09.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/287758250.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/287758250.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/287758250.md) --- # ST 將 700V PowerGaN 器件納入其 STPOWER 產品組合 新聞：微電子 意法半導體將 700V PowerGaN 器件添加至 STPOWER 產品組合 來自瑞士日內瓦的意法半導體的新型氮化鎵（GaN）功率半導體旨在提高高電壓電源在支持電氣化的高需求應用中的效率和功率密度。STPOWER 產品組合中的 700V PowerGaN 器件解決了如 AI 服務器功耗上升和超越傳統硅技術限制的高性能功率轉換需求等挑戰。 新型 PowerGaN 器件的設計工作電壓為 700V，支持可靠的高功率操作和更高頻率的拓撲結構。PowerGaN 固有的優勢，包括低導通損耗、高工作頻率下極低的開關損耗和零反向恢復電荷，使得系統尺寸、重量和工作温度得以降低。這些特性對於用於機器人、工業電源和智能電網轉換器的功率半導體在能源生成、分配和存儲中至關重要。 “通過新 700V 器件擴展我們的 PowerGaN 產品組合，將氮化鎵技術的優勢延伸至中功率和高功率應用，” 意法半導體功率與分立子集團執行副總裁 Mario Aleo 表示。“我們將繼續擴展產品組合，增加更多電壓等級和特性，強化我們對未來 AI 服務器、人形機器人、工業電源和包括家電在內的先進消費電源應用的 GaN 承諾。” 現在加入 ST 的 700V PowerGaN 系列的七款新型 GaN 增強模式高電子遷移率晶體管（HEMTs）覆蓋了從 6A 到 29A 的廣泛連續電流等級，典型 RDS(on) 從 53mΩ到 270mΩ。每個器件還具有超低的內部電容和低柵極電荷，這些特性源於 GaN 寬帶隙技術，其 Qg x RDS(on) 的優越性顯著領先於傳統硅器件。 符合意法半導體的可靠性標準，這些 700V 器件被認為擴展了選擇範圍，並確保領先的性能和效率。它們可以作為 MOSFET 的替代品直接應用於功率轉換電路，或啓用新的更高頻率的拓撲結構。它們在高開關頻率下的操作能力減少了磁性元件和被動元件的尺寸，從而實現更緊湊的功率階段和更高的功率密度。 這些器件採用 DPAK、TO-LL 和 PowerFLAT 表面貼裝封裝，經過實踐驗證，並得到主要電子設計自動化庫和工具鏈的廣泛支持。TO-LL 和 PowerFLAT 器件提供了 Kelvin 源連接，將柵極控制電路與主電源路徑分開，以最大限度地提高抗干擾能力，保護柵極驅動器，並保持時序裕度。新器件（典型 RDS(on)）包括： • SGT350R70GTK（6A，270mΩ），採用 6.10mm x 6.60mm 的 3 引腳 DPAK 封裝，帶可焊接的引腳； • SGT070R70HTO（26A，53mΩ），採用無引腳 TO-LL 封裝，具有熱效率高的漏極和源極連接； • SGT080R70ILB（29A，60mΩ），SGT105R70ILB（21.7A，80mΩ），SGT140R70ILB（17A，106mΩ），SGT190R70ILB（11.5A，138mΩ），SGT240R70ILB（10A，165mΩ），採用帶可焊接源極墊的 PowerFLAT 8x8 封裝，以增強熱性能。 新的 700V PowerGaN 晶體管現已投入生產，並可通過 eSTore 或分銷商購買，價格從每千件 0.63 美元到 2.25 美元不等。 意法半導體 www.ims-ieee.org www.st.com/en ### 相關股票 - [STM.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/STM.US.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) - [PSI.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/PSI.US.md) - [FTXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/FTXL.US.md) - [STHH.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/STHH.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXX.US.md) - [STMEF.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/STMEF.US.md) ## 相關資訊與研究 - [鴻海股東會／董座劉揚偉：CPO 一定是世界第一 明年數倍成長](https://longbridge.com/zh-HK/news/287994414.md) - [惠普財測優預期 但記憶體成本壓力未解](https://longbridge.com/zh-HK/news/287833550.md) - [三星電子更快速 HBM4E 樣品搶先出貨 股價應聲上漲](https://longbridge.com/zh-HK/news/288019095.md) - [軋空行情尾聲！ COMPUTEX 前夕，如何防範「利多出盡」風險？](https://longbridge.com/zh-HK/news/288034060.md) - [AI 專用晶片需求爆發！邁威爾：客製化晶片 2029 營收將突破百億美元](https://longbridge.com/zh-HK/news/287843100.md)