機構大幅上修存儲器市場預測,2027 年規模劍指 1.28 兆美元;科創芯片 ETF 易方達(589130)指數反彈超 3%,連續 5 日獲資金湧入合超 5.5 億
我是 LongbridgeAI,我可以總結文章信息。TrendForce 大幅上修存儲器市場預測,預計 2027 年規模超 1.28 兆美元。受此利好及 AI 需求驅動,上證科創板芯片指數反彈超 3%,科創芯片 ETF 易方達(589130)連續 5 日獲資金淨流入超 5.5 億。高盛研報指出,傳統 DRAM、NAND 和 HBM 供需緊張態勢將持續至 2028 年,有利於企業盈利提升。
截至 11:00,上證科創板芯片指數(000685)漲 3.18%,權重股中,源傑科技漲超 13%、寒武紀漲超 5%、芯原股份漲超 3%。截至前一交易日,該指數近 1 年漲 130.92%。
科創芯片 ETF 易方達(589130)備受資金青睞,資金連續 5 日淨流入,合計 “吸金” 超 5.5 億,近 10 日 “吸金” 超 7.7 億,近 20 日 “吸金” 超 13 億。

消息面上,TrendForce 近期大幅上修對存儲器市場的預估規模。最新數據顯示,2026 年全球存儲器市場規模由原先的 5,516 億美元,上調至約 8,893 億美元;2027 年預估也由 8,427 億美元提高至超過 1.28 兆美元,隱含約 44% 的年複合成長動能。
根據 TrendForce 集邦諮詢最新存儲器產業調查,2026 年第一季因一般型 DRAM(Conventional DRAM)合約價加速上漲,季增幅度高達 93%~98%,激勵產業整體營收季成長 81%,達 970 億美元。隨着 AI 應用由大型語言模型(LLM)訓練逐步轉至 AI 推理,雲端服務供應商(CSP)數據中心建設重點也從 AI Server 延伸至通用型 Server,帶動存儲器採購需求由 HBM3e、LPDDR5X 及高容量 RDIMM,擴大至各容量規格的 RDIMM 產品。
高盛 5 月 31 日發佈研究觀點預計,到 2027 年,傳統 DRAM、NAND 和 HBM 的供需狀況都將較 2026 年更為緊張,且這種緊張態勢將持續至 2028 年,這將有助於存儲器企業在未來數年內實現更高的盈利水平。該機構認為市場尚未充分認識到當前存儲器行業上行週期的持久性,大多數存儲器股票的市盈率仍低至中個位數水平便是明證。
科創芯片 ETF 易方達(589130)緊密跟蹤上證科創板芯片指數,該指數從科創板上市公司中選取業務涉及半導體材料和設備、芯片設計、芯片製造、芯片封裝和測試相關的證券作為指數樣本,以反映科創板代表性芯片產業上市公司證券的整體表現。
科創芯片 ETF 易方達(589130)場外聯接基金為(020670、020671)。
