--- title: "三星電子首次展示 HBM5，押注下一代 AI 存儲競爭" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/288374859.md" description: "三星電子在 Computex 2026 上首次亮相第八代 HBM5 原型，引入 HPB 熱管理創新技術，並宣佈已於 5 月率先交付 12 層 HBM4E 樣品。得益於通用 DRAM 價格全線上漲強化其定價權，韓國存儲巨頭迎來全面盈利爆發，大摩預測三星今年營業利潤同比增幅將達 464%。" datetime: "2026-06-02T06:26:40.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/288374859.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/288374859.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/288374859.md) --- # 三星電子首次展示 HBM5，押注下一代 AI 存儲競爭 三星電子在 Computex 2026 展會上首次公開第八代高帶寬存儲器 HBM5 原型，標誌着這家韓國芯片巨頭在 AI 存儲市場的產品佈局持續提速。在存儲價格全面走高的背景下，市場對韓國存儲廠商今年盈利的預期已大幅上調。 三星電子首席技術官 Song Jae-hyuk 在展會上表示，隨着 AI 系統日趨複雜，從存儲、晶圓代工到邏輯芯片與封裝的全價值鏈競爭力愈發關鍵。**HBM5 的核心技術亮點是名為 Heat Path Block（HPB）的熱管理創新，通過在半導體晶圓之間引導熱量流動，有效緩解高密度堆疊芯片中的熱量積聚問題，從而提升性能穩定性與運行可靠性。** 在 HBM4E 層面，三星已於 5 月下旬率先向全球主要客户發貨 12 層 HBM4E 樣品，成為業內首家出貨該產品的廠商。HBM4E 引腳傳輸速度穩定在 14Gbps，可擴展至 16Gbps，較 HBM4 提升逾 20%，每堆棧帶寬達 3.6TB/s，容量 48GB，較上一代增加逾 30%。 通用 DRAM 價格大幅上漲顯著強化了三星和 SK 海力士的 HBM 定價主導權，兩家公司盈利預期隨之大幅上調。摩根士丹利預測，三星今年全年營業利潤同比增幅或達 464%，SK 海力士增幅約 280%。 ## HBM5：熱管理突破與先進工藝路線 三星此次展出的 HBM5 原型以 HPB 熱管理技術為核心創新點。隨着 AI 模型運算需求持續攀升，存儲帶寬隨之提升，密集堆疊芯片中的熱量積聚問題日益突出，直接威脅芯片的性能表現與使用壽命。三星表示，HPB 技術通過在半導體晶圓之間引導熱量，將其從關鍵區域疏散，從而改善整體運行穩定性。 **該技術已在 HBM4E 平台完成驗證，計劃隨 HBM5 正式商用。**Song Jae-hyuk 表示，具體推進節奏將視客户需求而定，不排除提前商用的可能。在工藝層面，HBM5 計劃引入三星第六代 10 納米級 DRAM 製程（1c DRAM）及 2 納米邏輯工藝節點。 Song Jae-hyuk 進一步指出，HPB 技術的實現需要對芯片架構多個層次進行重新設計並協同整合，三星作為集存儲、晶圓代工與封裝於一體的綜合半導體制造商，具備其他廠商難以複製的跨環節協同優勢。此外，三星正準備成為業內首家部署混合銅鍵合（hybrid copper bonding）先進封裝技術的廠商，該技術可進一步提升散熱效率與芯片性能，相關樣品已向多家客户提供。 ## HBM4E：速度與容量雙升級，量產在即 在 HBM5 技術展望之外，三星此次在 Computex 展會上同步展示了 HBM4E 平台的晶圓及芯片組。展會信息顯示，該產品引腳傳輸速度達 14Gbps，帶寬最高可達 4TB/s，核心芯片採用 1c DRAM 製程，邏輯基底芯片則由三星晶圓代工以 4 納米工藝製造。 三星 5 月 29 日公告顯示，此次交付的 12 層 HBM4E 樣品能效較上一代提升 16%，熱阻特性改善逾 14%，有助於在高負載數據中心場景中延長可靠性並降低能耗。HBM4E 與 HBM4 共用核心技術路徑，旨在提升製程穩定性與良率。三星存儲開發部門執行副總裁 Sang Joon Hwang 表示，HBM4E 再次體現了三星的技術差異化優勢，公司將持續推動全球 AI 存儲市場增長。 在產品線規劃上，三星除現有 12 層 48GB 版本外，後續還將推出 32GB（8 層）與 64GB（16 層）版本，以覆蓋不同客户需求，量產節奏將根據客户時間表推進。 ## 存儲價格全線上漲，韓國廠商盈利有望創歷史新高 三星在 AI 存儲技術端積極佈局的同時，整體存儲市場價格走勢也為其提供了有力支撐。市場認為，通用 DRAM 價格大幅上漲後，其收益性已接近 HBM 水平，三星和 SK 海力士均無需依賴 HBM 衝量維持營收，得以在價格談判中保持強硬立場。 三星採取審慎的產能分配策略，並未將 DRAM 產能過度轉移至 HBM，這一做法進一步支撐了 HBM 高價格區間的維持。據報道，三星 HBM4 的談判價格已在 700 美元左右，較上一代 HBM3E 高出 20% 至 30%。 HBM、通用 DRAM 及 NAND 閃存價格同步走高，為韓國存儲廠商帶來全面盈利改善預期。摩根士丹利預測，三星電子今年全年營業利潤將達約 245.7 萬億韓元，同比增幅達 464%；SK 海力士全年營業利潤預計約 179.4 萬億韓元，同比增幅約 280%，兩家公司的業績改善預計將貫穿全年。 ### 相關股票 - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) - [SMSN.UK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMSN.UK.md) - [MS.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS.US.md) - [MS-O.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-O.US.md) - [MS-Q.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-Q.US.md) - [MS-E.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-E.US.md) - [MS-I.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-I.US.md) - [MS-L.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-L.US.md) - [MS-P.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-P.US.md) - [MS-A.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-A.US.md) - [MS-F.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-F.US.md) - [MS-K.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-K.US.md) ## 相關資訊與研究 - [存儲三巨頭衝破萬億美元市值，長鑫科技上市到底值多少錢？](https://longbridge.com/zh-HK/news/288340321.md) - [AI 存儲競爭白熱化！三星率先交付首批 12 層 HBM4E 樣品 性能提升超 20%](https://longbridge.com/zh-HK/news/287990457.md) - [越漲越看好？美光突破 1000 美元大關，華爾街看到 “存儲需求越來越多，但沒有任何競爭”](https://longbridge.com/zh-HK/news/288340237.md) - [三星在台北國際電腦展上發佈下一代 HBM5 架構](https://longbridge.com/zh-HK/news/288399704.md) - [AI 落地的真正戰場，在組織深處](https://longbridge.com/zh-HK/news/288173581.md)