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title: "DRAM 持續供不應求，預估 2027 年 HBM 合約價將倍數上漲；科創半導體 ETF 華夏（588170）上漲 1.34%，半導體設備 ETF 華夏（562590）上漲 2.03%"
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description: "TrendForce 指出 DRAM 供不應求，預計 2027 年 HBM 合約價將大幅上漲。受此消息及市場情緒推動，截至 2026 年 6 月 2 日 14:30，科創半導體 ETF 華夏（588170）上漲 1.34%，半導體設備 ETF 華夏（562590）上漲 2.03%。中船特氣、新益昌等個股跟漲。"
datetime: "2026-06-02T06:50:14.000Z"
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# DRAM 持續供不應求，預估 2027 年 HBM 合約價將倍數上漲；科創半導體 ETF 華夏（588170）上漲 1.34%，半導體設備 ETF 華夏（562590）上漲 2.03%

截至 2026 年 6 月 2 日 14:30，科創半導體 ETF 華夏（588170）上漲 1.34%，半導體設備 ETF 華夏（562590）上漲 2.03%。熱門個股方面，中船特氣上漲 14.36%，新益昌上漲 7.72%，盛美上海上漲 4.97%，歐萊新材，中微公司等個股跟漲。

消息面上，根據 TrendForce 集邦諮詢最新研究指出，自 2H25 以來，一般型 DRAM(Conventional DRAM) 價格大漲，反映供不應求形勢之際，三大原廠的 HBM 年度議價機制，導致 HBM 合約價無法及時反映市場的季度漲價趨勢。隨着時序進入 2Q26，買賣雙方正在對 2027 年的主流產品 HBM4 供應進行談判。TrendForce 集邦諮詢認為，基於 DRAM 供不應求市況、新舊世代 HBM 的高製造難度及高成本，三大原廠將於 2027 年大幅調高 HBM 的報價。

相關 ETF：科創半導體 ETF 華夏（588170）及其聯接基金（A 類：024417；C 類：024418）：跟蹤指數是科創板唯一的半導體設備主題指數，其中存儲芯片含量近 80%，先進封裝含量在全市場中最高（約 59%），聚焦於科技創新前沿的硬核設備公司。

半導體設備 ETF 華夏（562590）及其聯接基金（A 類：020356；C 類：020357）：跟蹤中證半導體材料設備主題指數，其中半導體設備的含量在全市場指數中最高（約 63%），直接受益於全球芯片漲價潮對 “賣鏟人”（設備商）的確定性需求。

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