--- title: "存儲缺口為什麼難補？大摩：無塵室不足 + 光刻機產能受限，想擴也擴不了" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/288577898.md" description: "存儲芯片正成為 AI 時代最稀缺的戰略資源。摩根士丹利指出，受無塵室建設週期漫長、EUV 光刻機供應受限等物理瓶頸影響，DRAM 和 NAND 供需失衡局面未來 2 至 3 年難以緩解。AI 雲廠商持續高價搶購 HBM 和高性能存儲，推動存儲價格進入上升週期。" datetime: "2026-06-03T12:38:27.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/288577898.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/288577898.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/288577898.md) --- # 存儲缺口為什麼難補？大摩：無塵室不足 + 光刻機產能受限，想擴也擴不了 AI 算力軍備競賽正在將存儲芯片市場推入一場結構性短缺，而這一缺口在未來數年內幾乎無解。 據追風交易台，摩根士丹利在 6 月 3 日發佈的最新研究報告中指出，**DRAM 已成為 AI 基礎設施擴張的核心瓶頸，NAND 供應同樣極度緊張，供需失衡局面預計將持續 2 至 3 年甚至更長時間。** 報告同步**大幅上調美光和閃迪的目標價，其中美光目標價從 520 美元上調至 1050 美元，閃迪目標價從 1100 美元上調至 1750 美元，兩隻個股均維持增持評級。** 大摩分析師 Joseph Moore 在報告中強調，制約供給擴張的核心障礙並非資本意願，而是物理層面的硬約束——無塵室產能不足與 EUV 光刻機供應受限，使得存儲廠商即便有意大規模擴產，實際落地速度也將受到嚴格限制。這一判斷直接支撐了大摩對存儲股盈利週期"更長久、更高峰"的核心論點，並推動其將美光 CY2027 年每股收益預期上調 48%。 ## 供給擴張的物理天花板 大摩報告明確點出，此輪存儲短缺之所以"沒有快速解法"，根本原因在於擴產面臨兩大不可繞過的物理瓶頸：無塵室建設週期漫長，以及 EUV 極紫外光刻機產能受限。 無塵室的建設從規劃到投產通常需要數年時間，這意味着即便存儲廠商現在啓動擴建，新增產能也難以在短期內形成有效供給。與此同時，EUV 光刻機作為先進製程存儲生產的核心設備，其全球供應本身即受到嚴格約束，進一步壓縮了廠商快速響應市場需求的空間。 大摩在報告中指出，DRAM 的比特供給增長將在 2027 至 2028 年隨新產能陸續投產而加速，但整體節奏仍受制於建設工期與產線爬坡時間。此外，HBM（高帶寬內存）生產對晶圓的高消耗比，也在結構上持續壓縮普通 DRAM 的可用供給。 ## DRAM：AI 基礎設施的核心瓶頸 大摩將 DRAM 定性為當前 AI 基礎設施擴張的"首要瓶頸"，超大規模雲廠商（hyperscaler）的採購意願依然強勁，且支付溢價的意願持續維持高位。 報告預測，DRAM 價格將在 5 月季度環比上漲 40%，8 月季度再漲 15%。大摩指出，其在中國台灣供應鏈調研中聽到的漲價預期甚至更高——部分供應鏈人士預計單季漲幅達 20% 或以上——但大摩選擇採用相對保守的假設，並提示並非所有業務都會按季度調價節奏同步重定價。 基於更高的定價假設，大摩將美光 CY2026/CY2027 年調整後每股收益預期分別上調 4% 和 48%，新預測值分別為每股約 20 美元（F3Q26 單季）和 113.85 美元（CY2027 全年），均顯著高於市場一致預期。 ## NAND 同樣緊繃，閃迪受益於雲端需求 NAND 市場的供需格局同樣偏緊。大摩指出，超大規模雲廠商正在持續搶佔高性能 NAND 份額，這一趨勢正在從結構上重塑這一品類的需求畫像，而供給側的調整明顯滯後。 閃迪的合資夥伴鎧俠在近期投資者日上僅將長期比特增長預期從 20% 小幅上調至 22%，且資本支出計劃維持低位，約為每年 4700 億日元。大摩認為，鎧俠對智能手機和 PC 市場需求的保守預期，是其資本開支維持剋制的主要原因。 儘管移動端和 PC 端需求疲軟，但大摩強調，這並未對 NAND 整體定價環境構成拖累。報告將閃迪 CY2026/CY2027 年每股收益預期分別上調 12% 和 24%，同樣以更高定價為核心驅動。大摩將閃迪目標價上調至 1750 美元，基於 28 倍穿越週期每股收益 62.50 美元的估值框架。 ## 估值仍有空間，多重催化劑待釋放 儘管美光和閃迪股價在 2025 年已大幅跑贏市場，並延續至 2026 年，大摩認為強勢行情尚未終結。 報告指出，兩隻個股基於 CY2027 年預期的市盈率均低於 10 倍，估值仍處於合理區間，存在進一步擴張空間。大摩認為，隨着投資者逐步將更長的盈利持續性納入定價，估值倍數的提升有望成為未來回報的更大驅動力。 大摩列出的近期催化劑包括：2026 年下半年 HBM 合同重新談判、2027 年起啓動的股票回購計劃（大摩預計美光在 FY2027 至 FY2028 年間回購規模達 500 億美元），以及閃迪在數據中心市場滲透率的持續提升。 對於市場近期熱議的長協（LTA），大摩將其定性為"高位持續"預期的結果而非原因，認為這是超大規模雲廠商為鎖定未來供應而主動做出的戰略承諾，本身即印證了需求端的長期確定性。 ## 資本開支大幅擴張，折舊壓力可控 大摩對美光資本開支的預測遠高於市場一致預期。報告預計美光 FY2027/FY2028 年資本開支分別為 440 億美元和 400 億美元，而市場一致預期分別為 376 億美元和 369 億美元。 大摩承認，更高的資本開支將對自由現金流形成拖累，但其詳細的折舊攤銷模型顯示，D&A 的增量衝擊在財務上可以消化。與此同時，新增產能帶來的比特增長，在市場持續偏緊的情景下，有望轉化為額外的營收和每股收益上行空間。 大摩將美光目標價上調至 1050 美元，基於 29.5 倍穿越週期每股收益 35 美元，與半導體板塊整體估值水平相當，並將 FY2021 至 FY2028 年平均盈利能力作為穿越週期盈利基準。 ### 相關股票 - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) - [MU.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MU.US.md) - [SMSN.UK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMSN.UK.md) - [ASML.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/ASML.US.md) - [MS.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS.US.md) - [SNDK.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SNDK.US.md) - [MS-O.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-O.US.md) - [MS-Q.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-Q.US.md) - [MS-E.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-E.US.md) - [MS-I.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-I.US.md) - [MS-L.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-L.US.md) - [MS-P.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-P.US.md) - [MS-A.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-A.US.md) - [MS-F.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-F.US.md) - [MS-K.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MS-K.US.md) - [SNDKV.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SNDKV.US.md) ## 相關資訊與研究 - [Counterpoint：長江存儲有望超車美光、鎧俠 成全球 NAND 三哥](https://longbridge.com/zh-HK/news/288595651.md) - [Base Die 變更大！三星 HBM5 首導入 HPB 散熱技術，對決 SK 海力士 iHBM 架構](https://longbridge.com/zh-HK/news/288649393.md) - [三星電子首次展示 HBM5，押注下一代 AI 存儲競爭](https://longbridge.com/zh-HK/news/288374859.md) - [Q1 全球 NAND 快閃記憶體營收年增 3.5 倍，三星續領跑](https://longbridge.com/zh-HK/news/288533709.md) - [摩根士丹利上調 ASML 目標價，看好 EUV 設備出貨前景](https://longbridge.com/zh-HK/news/288580204.md)