黃仁勳預警：存儲供應緊張將持續數年，機構大幅上修存儲芯片漲價預期，科創芯片設計 ETF 浦銀 (589250）標的指數近 1 年漲 96.74%

6 月 8 日，上週五美股全線大跌，今天早盤亞太市場大幅走低，受此影響，A 股主要股指低開，隨後震盪回升，芯片板塊也小幅反彈。截至 9:36，科創芯片設計 ETF 浦銀 (589250）跌 4.39%；樣本股普跌，力芯微、盛科通信、芯動聯科跌幅較小；新相微、裕太微跌超 8%，佰維存儲、聯芸科技、普冉股份跌幅超 7%。

Wind 數據顯示，截至前一交易日，科創芯片設計 ETF 浦銀 (589250）跟蹤的上證科創板芯片設計主題指數近 1 年漲 96.74%。

消息面上，當地時間 6 月 7 日，英偉達 CEO 黃仁勳在韓國表示，存儲芯片供應緊張的局面將持續數年。整個行業供應鏈，從晶圓、封裝到硅光模塊等環節均供應不足，根源在於市場需求居高不下。另據媒體報道，黃仁勳和 SK 集團會長於 8 日上午宣佈 “SK-NVIDIA” 合作計劃，涉及 Vera Rubin AI 超級計算機、Vera CPU、RTX Spark PC 等。

產業層面，存儲芯片價格全線上漲，並且漲幅還有擴大的趨勢。TrendForce 集邦諮詢全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各產品價格季成長幅度，預估整體 Conventional DRAM 合約價將從一月初公佈的季增 55-60%，改為上漲 90-95%，NAND Flash 合約價則從季增 33-38% 上調至 55-60%，並且不排除仍有進一步上修空間。

國泰海通證券指出，在 AI 存儲需求攀升、原廠產能傾斜、下游客户積極鎖定長協供應的背景下，行業景氣度持續向上。存儲板塊核心交易邏輯將從漲價/跌價預期的景氣度博弈轉向基於盈利確定性的重新定價，估值有望從週期峯值估值切換為具備長約支撐和現金流可見度的 AI 基礎設施優質資產定價，推動行業估值中樞上行。

科創芯片設計 ETF 浦銀 (589250）緊密跟蹤上證科創板芯片設計主題指數（950162），高度聚焦 50 只科創板芯片設計上市公司，其中數字芯片設計權重佔比近八成。規避了半導體材料設備、製造、封測等環節，在芯片板塊環節中，相較半導體材料指數估值較低，更契合產業發展趨勢。

彈性方面，上證科創板芯片設計主題指數只包含科創板的芯片設計公司，成分股單日漲跌幅為±20%，彈性更大、進攻性更強。

成長性方面，科創芯片設計 ETF 浦銀 (589250) 跟蹤上證科創板芯片設計主題指數，在 2024 年 1 月 5 日-2026 年 3 月 30 日期間，標的指數累計上漲 141.86%，是漲幅第一的芯片行業主題指數，高於科創芯片（133.60%）、中證全指半導體（97.77%）和半導體材料設備（98.39%）。

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