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title: "三星擬擴產先進封裝：最快本月底宣佈在光州建廠，35 年來首次新建封裝基地"
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description: "三星電子計劃在韓國光州新建封裝廠，這是其 35 年來首次新建封裝基地，旨在應對首都圈資源侷限。同時，三星正大幅擴充天安基地 HBM 後端產能，計劃 2029 年將堆疊工藝全面切換至 HCB 技術，並擬投 15 億美元在越南建測試設施，多線發力先進封裝。"
datetime: "2026-06-10T07:57:25.000Z"
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# 三星擬擴產先進封裝：最快本月底宣佈在光州建廠，35 年來首次新建封裝基地

三星電子正加速佈局先進封裝產能，計劃在韓國光州新建封裝廠，這將是該公司 35 年來首次建設新的封裝基地，也是繼平澤園區啓動後 11 年來首次新建重大半導體生產設施。

據韓國媒體報道，三星最快將於本月底，在韓國總統李在明主持召開的大企業集團領導人會議上正式宣佈上述投資計劃，SK 集團會長崔泰源及其他財界領袖預計出席該會議。

**光州新廠將把三星封裝業務的地理覆蓋從傳統忠清道重鎮——牙山温陽和天安——向南延伸至韓國湖南地區，標誌着其半導體制造版圖的重要擴張節點。**

與此同時，三星還在大幅提升 HBM 後端處理產能，並在越南加快建設半導體測試基地，先進封裝領域的多線並進折射出行業競爭格局的加速演變。

## HBM 產能加速擴充：天安基地升級，2029 年切換至 HCB 技術

據報道，三星將光州確定為新封裝基地選址，部分源於對首都圈電力和供水資源趨近極限的顧慮，光州憑藉基礎設施容量優勢脱穎而出。

新廠的建設將在現有忠清道封裝體系之外形成湖南地區新的產能支撐點，進一步分散三星的封裝網絡地理佈局，以應對日益增長的先進封裝需求。

在技術投資層面，三星正擴充天安設施的 HBM 後端處理產能，目標於 2026 年底前將熱壓鍵合（TCB）月產能提升至 23.1 萬顆，混合銅鍵合（HCB）月產能提升至 1.95 萬顆。

報道同時指出，三星計劃於 2029 年將 HBM 堆疊工藝路線從 TCB 全面切換至 HCB，凸顯其對下一代先進封裝技術的持續押注。

在海外佈局方面，一份提案文件顯示，三星電子計劃向越南投資 39 萬億越南盾（約合 15 億美元），在河內以北約 60 公里處的工業園區建設半導體測試設施。該項目已開工建設，預計於 2027 年 11 月正式投入運營。

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