Nexperia 擴展其 650V 工業級高功率氮化鎵場效應晶體管產品組合

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Nexperia 擴展 650V 工業級高功率 GaN FET 產品線

荷蘭奈梅亨的離散器件設計和製造商 Nexperia B.V.（在德國漢堡和英國曼徹斯特的 Hazel Grove 運營晶圓廠）已擴展其 650V 工業級高功率氮化鎵 (GaN) FET 產品線，以滿足苛刻的電源轉換應用。該產品線包括 RDS(on) 導通電阻為 35mΩ、50mΩ 和 70mΩ 的器件，提供行業標準的 TO-247-3、TO-247-4、TOLL 和 TOLT 封裝。擴展的產品線為電力工程師提供了更大的靈活性，以平衡高功率應用中的效率、熱性能和功率密度，包括數據中心和電信電源、可再生能源系統、電池儲能 (BESS) 以及工業驅動和自動化。

人工智能計算的快速增長正在推動機架電源的需求從低於 3kW 向 5–12kW 水平發展，同時可再生能源和工業電氣化趨勢繼續推動更高的開關頻率和效率要求。在這種背景下，寬帶隙技術如 GaN 正變得越來越重要，以實現更高的效率、減小系統尺寸和改善下一代電源轉換架構中的熱管理。

“向寬帶隙功率半導體的過渡在工業、能源和人工智能基礎設施應用中正在加速，” Nexperia GaN 產品組副總裁兼負責人 Andrea Bricconi 説。“隨着效率、功率密度和熱要求的不斷增加，我們專注於使 GaN 對設計高功率應用的工程師更易獲取和可擴展。擴展我們的 650V GaN 產品線是朝這個方向邁出的重要一步——這僅僅是我們在寬帶隙領域建設的開始。”

在系統層面，這些下一代 GaN 器件使工程師能夠通過更高的開關頻率和更低的開關和導通損耗，突破傳統硅基解決方案的性能極限。根據應用拓撲和工作條件，設計師可以實現更高的功率密度、改善的效率、降低的冷卻需求和更低的整體系統成本。增加的開關頻率還支持使用更小的被動元件和減小磁性元件的尺寸，支持更緊湊和可擴展的電源架構，具有更大的靈活性來優化性能和佔地面積。

在典型的 10–12kW 人工智能服務器電源單元的高功率 LLC 階段中，使用 GaN 器件可以在滿載時相比硅實現約 0.8–1.2% 的效率提升，同時在階段級別支持約 40–70% 的功率密度增加，這得益於更高的開關頻率和減小的被動元件尺寸。在典型的 1kW 高壓電機驅動中，GaN 器件可以將逆變器功率損耗降低 20–25%，實現約 1–1.5% 的效率提升，同時支持更小的熱管理解決方案和更高的整體系統功率密度。

基於 Nexperia 的 GaN 技術平台，這些器件結合了快速開關特性、低開關損耗、受控動態行為和強大的熱性能，並提供多種行業標準封裝選項。這使得在支持現有電源系統架構的同時，優化電氣和機械設計參數變得更加簡單。

35mΩ 和 70mΩ 器件現已在 TOLL、TOLT、TO-247-3 和 TO-247-4 封裝中提供，進一步的 50mΩ 變體計劃於 2026 年第三季度推出。

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GaN FET

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