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title: "ROHM SiC 元件打入 AI 伺服器電源系統 搶攻 800V HVDC 商機"
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description: "日本羅姆（ROHM）宣佈其 750V 碳化矽 MOSFET 產品已獲 AI 伺服器備援電池單元採用，應用於新一代±400V 電源架構。該元件具備低損耗與耐高温特性，能適應高功率密度環境。隨著 AI 數據中心向 800V HVDC 架構演進，ROHM 指出該產品仍能滿足下一代系統設計需求，凸顯 SiC 在提升能源效率及供應鏈中的重要性。"
datetime: "2026-06-13T17:00:16.000Z"
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# ROHM SiC 元件打入 AI 伺服器電源系統 搶攻 800V HVDC 商機

![Reuters](https://imageproxy.pbkrs.com/https://cimg.cnyes.cool/prod/news/6498576/o/8593eee4870b7c3b5ae07a61543abeb4.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg)

2026 年 06 月 14 日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 隨著生成式 AI 帶動資料中心用電需求快速攀升，電源架構也朝更高電壓與更高效率方向發展。日本功率半導體廠羅姆 ROHM(6963-JP) 宣布，旗下 750V 碳化矽（SiC）MOSFET 產品已獲 AI 伺服器備援電池單元（BBU，Backup Battery Unit）採用，應用於新一代 AI 伺服器電源系統。

近年來，隨著 GPU 運算效能持續提升，資料中心耗電量同步增加。為降低電力傳輸過程中的能量損失，產業正加速導入高電壓直流輸電（HVDC）架構，並逐步由傳統供電系統轉向±400V 電源設計。

在這個架構下，BBU 與電容儲能單元（CU）成為重要的備援供電設備，當停電或瞬間斷電發生時，可立即提供電力，避免 AI 伺服器中斷運作。

ROHM 本次導入的產品為 750V SiC MOSFET「SCT4013DLL」，配置於 AI 伺服器±400V 電源架構中的供電模組。公司表示，SiC 材料具備低損耗與耐高溫特性，元件最高接面溫度（Tj）可達 175°C，即使在高電壓、高功率密度環境下，仍可維持穩定運作。

隨著 AI 伺服器電源系統持續升級，市場已開始布局下一代 800V 直流供電架構。ROHM 指出，在 800V 電源系統中，BBU 電池組工作電壓約為 560V，因此額定耐壓 750V 的 SiC MOSFET 仍可滿足系統設計需求，並具備充足的安全餘裕。

相較傳統矽基功率元件，SiC 功率半導體具備更高轉換效率、更低導通損耗及更佳耐高溫能力，因此特別適合應用於高功率密度電源系統。隨著 AI 伺服器、資料中心及高效能運算設備需求持續增加，SiC 元件在電源供應鏈的重要性也同步提升。

除了 SiC 之外，氮化鎵（GaN）功率元件亦逐漸受到市場關注，成為提升資料中心能源效率的重要技術方向之一。市場普遍認為，未來高效率功率半導體將成為 AI 基礎設施升級不可或缺的核心元件。

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