--- title: "閃迪新專利曝光：處理器直接鍵合 NAND 閃存芯片，HBM 退居輔助角色" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/290404011.md" description: "閃迪最新專利揭示一項激進存儲革命：將多核處理器與 NAND 閃存直接鍵合，構建 3D 堆疊架構，同時將 HBM 從” 核心主角” 降格為” 輔助配角”。這一設計劍指 HBM 容量天花板與現有高帶寬閃存的延遲痛點，若落地將從根本上重塑 AI 加速器的內存架構邏輯，存儲與計算深度融合的時代或已提前到來。" datetime: "2026-06-22T08:17:33.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/290404011.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/290404011.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/290404011.md) --- # 閃迪新專利曝光：處理器直接鍵合 NAND 閃存芯片，HBM 退居輔助角色 閃迪正在推動一場存儲架構的根本性重構——將計算單元與 NAND 閃存直接鍵合，並將 HBM 的角色從核心內存降級為輔助層級。 據美國專利商標局公開的專利文件，閃迪提出了一種將多核處理器直接集成於 CBA 存儲芯片之上的 3D 堆疊架構，整體封裝於同一中介層之上，HBM 則圍繞該堆疊結構分佈於周側。這一設計意在同時突破 HBM 容量天花板與現有高帶寬閃存（HBF）架構在延遲、功耗及系統集成層面的侷限。 該專利的曝光表明，閃迪在加速推進 HBF 量產路線的同時，已在專利層面佈局更激進的存儲 - 計算融合方案，對 AI 加速器及 GPU 的內存架構設計路徑具有潛在的深遠影響。 ## HBM 容量瓶頸催生新架構探索 HBM 憑藉高帶寬優勢成為當前 AI 芯片的主流內存方案，但其容量限制日益成為制約因素。**據科技媒體 Wccftech 報道，現有 HBM 解決方案單棧容量通常為 32 至 64GB，難以滿足大規模 AI 模型對內存容量的持續增長需求。** 為此，閃迪此前已推出 HBF 架構，借鑑 HBM 的垂直堆疊理念，通過硅通孔（TSV）將多層 NAND 閃存互聯，形成統一存儲棧。據閃迪披露，HBF 單棧容量可擴展至 4TB，在帶寬上接近 HBM 水平，同等成本下容量可達 HBM 的 8 至 16 倍。 然而，NAND 閃存在容量優勢之外仍存在固有短板。Wccftech 指出，NAND 在系統架構中距離計算核心較遠，數據訪問速度慢於基於 DRAM 的架構，這一結構性劣勢限制了 HBF 在延遲敏感型工作負載中的適用性。 ## 新專利核心：計算與 NAND 直接鍵合 閃迪最新專利提出的方案，正是針對上述延遲問題的直接回應。根據專利文件，該設計將一塊基於 CBA 結構構建的 NAND 閃存芯片置於計算芯片（如 AI 加速器或 GPU）正下方，實現處理器與 NAND 的直接物理鍵合。 **CBA 結構本身將大容量 NAND 閃存陣列與 CMOS 邏輯層合二為一，而整個集成堆疊隨後被安裝於中介層之上。HBM 芯片棧則附着於該組合堆疊的一側或多側，與 NAND 層共享同一中介層平台。** 這一架構的關鍵在於重新定義了各類存儲介質的分工邊界：HBM 負責處理即時性、高速內存操作，而 NAND 閃存層則承擔讀寫密集型工作負載及大規模數據存儲任務。據 Wccftech 報道，在此配置下，HBM 仍被集成於系統之中，但其角色已從主導地位轉變為整體存儲 - 計算層級中的特定功能模塊。 ## HBF 之外的並行佈局 值得關注的是，上述專利所呈現的架構方向與閃迪現階段主推的 HBF 路線並非替代關係，而是並行推進的技術儲備。閃迪目前仍在加速 HBF 的開發進程，HBF 代表着其在近期可落地的高容量存儲方案上的主要商業押注。 **新專利所描述的處理器直接鍵合 NAND 的 3D 堆疊方案，則指向更長期的架構演進路徑，旨在從根本上縮短計算單元與大容量存儲之間的物理距離，從而在系統層面同時優化帶寬、延遲與能效表現。** 對於 AI 芯片設計商及封裝技術供應鏈而言，閃迪此次專利佈局釋放出明確信號：存儲與計算的深度融合正從概念走向具體技術路徑，圍繞中介層封裝平台的生態競爭或將進一步加劇。 ### 相關股票 - [SNDK.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SNDK.US.md) - [SNDG.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SNDG.US.md) - [SNDQ.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SNDQ.US.md) - [SNDU.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SNDU.US.md) - [SNXX.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SNXX.US.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) ## 相關資訊與研究 - [突破傳統旁側配置，SanDisk 新專利將 NAND 快閃記憶體「墊」在 GPU 底下](https://longbridge.com/zh-HK/news/290390383.md) - [記憶體大廠 SanDisk 押注 NAND 垂直堆疊 拚未來以 HBF 提升容量、速度](https://longbridge.com/zh-HK/news/290413158.md) - [SLC NAND & NOR Flash 上半年合約價漲幅皆破 100% 下半年續揚](https://longbridge.com/zh-HK/news/289879029.md) - [鎧俠直指 NAND 市場超級週期至少延續至 2028 年](https://longbridge.com/zh-HK/news/290137537.md) - [摩根大通喊買鎧俠！上調目標價 93.8%、AI 推論需求引爆 NAND 快閃記憶體新行情](https://longbridge.com/zh-HK/news/290345730.md)