--- title: "“AI 需求可見度” 延伸至 2028 年！美銀美林：存儲在此之前不會 “供過於求”，半導體設備將大幅增長" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/290638250.md" description: "在全球芯片股遭遇 “芯片慘劇” 當天，美銀髮布報告，將 AI 需求可見度延伸至 2028 年。DRAM/NAND 供給充裕率在 2028 年前持續高於 110%，不存在實質性過剩風險；半導體設備支出 2028 年將達 2500 億美元，較此前預測上調 23%。該行據此將美光目標價上調至 1500 美元。" datetime: "2026-06-24T03:25:38.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/290638250.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/290638250.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/290638250.md) --- # “AI 需求可見度” 延伸至 2028 年！美銀美林：存儲在此之前不會 “供過於求”，半導體設備將大幅增長 芯片股剛剛經歷了一場 “地震”，美銀美林卻在這個時間點發布了一份極度看多半導體的報告。 6 月 23 日，就在全球芯片股遭遇重挫的同一天——費城半導體指數單日暴跌 7.9%，美光科技跌 13%，韓國 KOSPI 指數觸發熔斷——美銀美林 Vivek Arya 等分析師發佈題為《美國半導體行業現狀：上調預測，AI 將能見度延伸至 2028 年》的報告。 報告判斷：**AI 對芯片的需求可見度已經延伸至 2028 年，存儲在此之前不會出現供給過剩，而半導體設備支出將在 2028 年迎來一個大年。** ## 半導體行業將在五年內再增 1 萬億美元收入 芯片行業用了約 50 年才實現第一個 1 萬億美元的年銷售額。但該行的框架提到，AI 有望幫助行業在未來五年內再增加 1 萬億美元。 數字層面，全球半導體市場總規模預測從此前的 2.3 萬億美元上調至**2.7 萬億美元**（2030 年），對應 2025-2030 年複合增長率 28%。 2026 年是爆發之年：預計半導體總銷售額同比增長**103%**，其中存儲芯片增速更高達**298%**——DRAM 預計增長 309%，NAND 增長 295%。 驅動這一增長的五大主題： 1. AI 數據中心繫統市場：預計 2030 年達到約 1.7 萬億美元，從 2025 年的約 2730 億美元起步 2. 存儲芯片的強勁與持久性：長期供貨協議（LTA）提供 2-3 年的供需和定價能見度，美光與 Anthropic 的合作是近期案例 3. 半導體設備/先進封裝/EDA：受益於供應協議延伸和芯片複雜度提升 4. 模擬芯片：受益於 AI 帶來的電力需求上升 5. 服務器 CPU：Agentic AI 帶來約 1700 億美元的服務器市場機會 ## 存儲芯片：2028 年前不會 “供過於求” 分析師判斷，DRAM 和 NAND 的供需比（sufficiency ratio）在預測期內始終維持在**110% 以上**，不會出現歷史上那種供給嚴重過剩的局面。價格方面，預計 2026 年全年 DRAM 和 NAND 現貨/合約價格保持強勁，**2027 年之前不會出現季度環比下跌**。 為什麼供給彈性這麼低？原因是多方面的： - 資本支出主要用於建廠房，而非買設備。美光（Micron）指引其 2026 財年資本支出超過 250 億美元（2025 財年為 138 億美元），但大部分增量用於建設潔淨室廠房。真正能產出芯片的設備投入要到 2028 年才會大規模落地。 - 建潔淨室和擴產能是兩件事。前者花錢多、週期長，後者才真正影響供給。這意味着，2026-2027 年的大量資本開支，實質上是在為 2028 年的產能擴張鋪路。 - 美光愛達荷州新廠預計 2027 年中開始首批產出，2028 年才進入量產爬坡；新加坡 HBM 先進封裝廠預計 2027 年開始貢獻，2028 年全面投產。 - 地緣政治、封裝產能、電力限制也在制約供給擴張速度。 HBM（高帶寬內存）是存儲芯片中最受關注的品種。預計 HBM 市場規模將從 2025 年的約 350 億美元增長至 2030 年的約 2460 億美元，複合增長率 34%。每個 AI 加速器搭載的 HBM 容量預計從 2025 年的約 187GB 增長至 2030 年的約 464GB，增長率 18%。 英偉達最新的 Vera Rubin 系統，每個加速器需要 288GB 的 HBM4 內存。 ## 半導體設備：2028 年支出將突破 2500 億美元 晶圓製造/半導體設備支出（WFE）的預測是本次報告另一個重大上調。 2028 年半導體設備（WFE）支出預測從此前的 2030 億美元**大幅上調 23% 至 2500 億美元**（同比增長 32%）。2027 年預測也從 1830 億美元上調至 1900 億美元（同比 +31%）。 **整體來看，WFE 在 2025-2030 年的複合增速預計達到 20%。** 為什麼是 2028 年？三個關鍵驅動因素： **第一，潔淨室產能在 2028 年前後大規模釋放。** 現在大量資本支出用於建廠房，設備採購會在廠房建好後集中落地。 **第二，技術節點切換帶來設備強度提升。** 2nm 全環繞柵極（GAA）工藝在 2026-2028 年加速量產，新工藝初期良率低、設備利用率低，單位晶圓的設備投入反而更高。High-NA EUV 光刻機的導入也是重要推手。 **第三，存儲芯片的技術升級。** HBM 從 HBM3 升級到 HBM4/5，層數更多、封裝更復雜；NAND 從 300 層向 400 層遷移，都需要更多設備投入。 測算顯示，如果按歷史規律推算每片晶圓對應的設備投入增長，2027 年隱含 WFE 約為 1930 億美元，2028 年約為 2450 億美元，與 1900 億/2500 億的預測高度吻合。 值得注意的是，有一個指標會讓人產生誤判：WFE 佔半導體銷售額的比例（WFE intensity）將從歷史正常水平的中十幾個百分點下降到約 11%。但這主要是因為存儲芯片價格暴漲導致分母（銷售額）急劇膨脹，並不代表設備需求在萎縮。更有意義的指標是每片晶圓對應的設備投入，這個數字在持續上升。 ## HBM：從 350 億美元到 2460 億美元 HBM 是這輪存儲超級週期的核心驅動力。 預測顯示，HBM 市場規模將從 2025 年的約 350 億美元增至 2030 年的約 2460 億美元，複合增速 34%。每顆 AI 加速器搭載的 HBM 容量，預計從 2025 年的 187GB 增至 2030 年的 464GB，複合增速 18%。 英偉達最新的 Vera Rubin 系統（2026 年下半年推出）每顆加速器搭載 288GB HBM4——這個數字本身就説明了方向。 HBM 的價格預測：2027-2028 年約為 17.5 美元/GB，高於 2026 年的 14.3 美元/GB。 基於上述行業綜合判斷，該行分析師對多隻半導體股票目標價進行了大幅上調，並將估值基準年從 2027 年切換至 2028 年： 存儲芯片方面，分析師將美光目標價從 950 美元上調至 1500 美元，維持買入。半導體設備，應用材料目標價從 540 美元上調至 720 美元，MKS 儀器等多家公司目標價也被上調。AI 基礎設施芯片方面，看好 Marvell、Credo、英特爾等。 ## 消費電子和智能手機：AI 盛宴中的局外人 並非所有細分市場都在分享 AI 紅利。 智能手機芯片預計 2026 年同比下滑 13%，PC 芯片下滑 9%，消費電子整體下滑 7%。這些市場面臨的是出貨量下滑的結構性壓力，與 AI 數據中心的爆發形成鮮明對比。 汽車和工業市場則處於温和復甦階段：汽車芯片預計 2026 年增長 4%，工業芯片增長 18%，主要受益於庫存消化完畢後的需求回補，以及單車芯片含量的持續提升。 ### 相關股票 - [MU.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MU.US.md) - [MUD.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MUD.US.md) - [MUU.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MUU.US.md) - [MULL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MULL.US.md) - [MUYY.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MUYY.US.md) - [MUZ.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MUZ.US.md) - [BAC.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC.US.md) - [NVDA.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/NVDA.US.md) - [AMAT.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/AMAT.US.md) - [MKSI.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MKSI.US.md) - [MRVL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MRVL.US.md) - [CRDO.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/CRDO.US.md) - [INTC.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/INTC.US.md) - [BAC-Q.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-Q.US.md) - [BML-L.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BML-L.US.md) - [BAC-L.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-L.US.md) - [BAC-K.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-K.US.md) - [BML-H.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BML-H.US.md) - [BAC-N.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-N.US.md) - [BAC-E.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-E.US.md) - [MER-K.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/MER-K.US.md) - [BAC-O.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-O.US.md) - [BML-G.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BML-G.US.md) - [BAC-M.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-M.US.md) - [BAC-B.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-B.US.md) - [BML-J.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BML-J.US.md) - [BAC-S.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-S.US.md) - [BAC-P.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/BAC-P.US.md) - [8648.JP](https://longbridge.com/zh-HK/quote/8648.JP.md) - [NVD.DE](https://longbridge.com/zh-HK/quote/NVD.DE.md) ## 相關資訊與研究 - [一命救全家！美光盤後飆逾 15% 季績遠勝預期助掃 AI 泡沫陰霾](https://longbridge.com/zh-HK/news/290749498.md) - [美光 Q3 財報會議全文：CEO 看好 AI 需求續強 供需緊張延續至 2027 年後 估 Q4 獲利再創高](https://longbridge.com/zh-HK/news/290753554.md) - [美股業績丨美光季績爆表前瞻勝預期 市後股價曾飆逾 16%](https://longbridge.com/zh-HK/news/290743926.md) - [美光財報炸裂！記憶體供給吃緊 單季獲利暴增 15 倍 財測再超市場預期](https://longbridge.com/zh-HK/news/290751180.md) - [依舊看多半導體！美銀大幅上調美光、英特爾等多家公司目標價](https://longbridge.com/zh-HK/news/290649922.md)