--- title: "SEMI：AI 算力需求引爆存儲投資 2026 年全球 300mm 晶圓廠設備支出首破 500 億美元" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/291556355.md" description: "SEMI 報告指出，受 AI 算力需求驅動，2026 年全球 300mm 晶圓廠存儲領域設備投資預計首破 500 億美元，達 520 億美元，同比增長 29%。其中 DRAM 和 3D NAND 設備支出分別增長 29% 和 28%。未來五年該領域複合年增長率預計為 19%，產能將持續增加，但受技術複雜性限制，有效產能增長保持温和。" datetime: "2026-07-02T13:40:02.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/291556355.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/291556355.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/291556355.md) --- # SEMI：AI 算力需求引爆存儲投資 2026 年全球 300mm 晶圓廠設備支出首破 500 億美元 智通財經 APP 獲悉，SEMI 在最新發布的《300mm 晶圓廠展望報告》中指出，2026 年全球 300mm 晶圓廠存儲領域設備投資預計首次突破 500 億美元，增長 29% 至 520 億美元，2027 年再增 11% 至 570 億美元。受 AI 基礎設施、數據中心及下一代計算系統投資增加的支撐，這一增長反映了 AI 驅動對先進存儲的持續需求。 展望未來，SEMI 預計 2024 年至 2029 年全球 300mm 晶圓廠存儲領域設備投資將以 19% 的複合年增長率（CAGR）增長。全球 300mm 存儲產能也預計將持續增加，2026 年將達到每月 410 萬片晶圓，2027 年達到每月 420 萬片晶圓。 此外，SEMI 上調了 300mm 晶圓廠存儲領域設備投資預測，主要受領先雲服務提供商資本支出計劃持續上調以及 AI 加速器強勁需求的推動。得益於 GPU 及其他 AI 加速器對 HBM 和 DDR5 的強勁需求，2026 年 DRAM 設備支出預計增長 29% 至 370 億美元。受 AI 部署帶來的數據存儲需求增加所支撐，2026 年 3D NAND 設備支出也預計增長 28% 至 140 億美元。 對先進節點 DRAM 和更高層數 3D NAND 的持續投資支撐了更為樂觀的存儲產能前景，然而，由於技術遷移和工藝複雜性（包括先進節點 DRAM、HBM 及更高層數 NAND 的轉換），有效產能增長仍然保持温和。 ### 相關股票 - [159546.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/159546.CN.md) - [SOXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXL.US.md) - [588170.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/588170.CN.md) - [512760.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/512760.CN.md) - [512480.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/512480.CN.md) - [159558.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/159558.CN.md) - [DRAM.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/DRAM.US.md) - [SMH.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.US.md) - [SOXX.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXX.US.md) - [XLK.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XLK.US.md) - [SMH.UK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMH.UK.md) - [159516.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/159516.CN.md) - [XSD.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/XSD.US.md) - [588780.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/588780.CN.md) - [562820.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/562820.CN.md) - [RAM.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/RAM.US.md) - [588200.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/588200.CN.md) - [159995.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/159995.CN.md) - [DISK.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/DISK.US.md) - [561980.CN](https://longbridge.com/zh-HK/quote/561980.CN.md) - [USD.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/USD.US.md) - [SSG.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSG.US.md) - [SOXS.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXS.US.md) - [ROM.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/ROM.US.md) - [TECL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/TECL.US.md) - [REW.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/REW.US.md) - [TECS.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/TECS.US.md) - [SOXQ.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SOXQ.US.md) - [PSI.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/PSI.US.md) - [FTXL.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/FTXL.US.md) ## 相關資訊與研究 - [TrendForce：第 3 季 DRAM 合約價季增 13~18% NAND 季增 10~15%](https://longbridge.com/zh-HK/news/291631751.md) - [記憶體股反彈，分析師指出逢低買入良機](https://longbridge.com/zh-HK/news/291801287.md) - [三星今年利潤有望超 40 年累計總和 第二季或創科技公司史上單季最高](https://longbridge.com/zh-HK/news/291763294.md) - [半導體行業組織呼籲美國政府避免採取扭曲記憶體晶片市場的舉措](https://longbridge.com/zh-HK/news/291672890.md) - [博通攜手蘋果續約至 2031 年、長約確保 2 成營收來源，股價翻揚](https://longbridge.com/zh-HK/news/291857228.md)