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title: "三星談合作、SK 海力士擴產、鎧俠 NAND 送樣，日韓股市用 V 型反彈回應算力過剩恐慌"
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description: "受 Anthropic 與三星洽談定製芯片、SK 海力士擴產及鎧俠 NAND 送樣等利好提振，日韓股市在經歷拋售後出現 V 型反彈。韓國 KOSPI 大漲 5.8%，日經 225 漲 1.5%。儘管市場情緒逆轉，但投資者對 AI 算力供需平衡仍保持審慎態度。"
datetime: "2026-07-03T08:32:02.000Z"
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# 三星談合作、SK 海力士擴產、鎧俠 NAND 送樣，日韓股市用 V 型反彈回應算力過剩恐慌

日韓科技股在經歷連續兩日劇烈拋售後，迎來強勁反彈，市場情緒受產業端多重利好集中釋放所提振，此前圍繞 “AI 算力過剩” 的交易邏輯出現階段性逆轉。

7 月 3 日，韓國 KOSPI 指數早盤一度跌超 3%，隨後迅速拉昇至漲 5%，觸發程序化買盤熔斷機制；日本半導體板塊同步大幅走高，**整體呈現深 V 修復走勢**。個股方面，三星電子、SK 海力士雙雙漲超 8%，鎧俠盤中一度漲逾 10%，帶動**日韓半導體板塊全面回暖**。截至收盤，日經 225 指數收漲 1.5%，東證指數收漲 1.2%；韓國首爾綜指大漲 5.8%。

**反彈的直接催化來自 AI 產業鏈多項新進展。**據報道，AI 初創公司 Anthropic 正與三星電子洽談定製 AI 芯片合作，提振市場對三星晶圓代工業務前景的預期。同時，三星、SK 海力士持續推進 AI 半導體擴產計劃並公佈新一輪投資；鎧俠宣佈其第十代 3D NAND 芯片已向 AI 數據中心客户送樣，並釋放需求依然強勁的信號。

不過，在 AI 投資進入更加註重回報率與資本效率的新階段後，市場對產業鏈供需平衡及產能擴張節奏的審慎評估仍在延續，相關分歧並未根本消除。

## AI 催化引領反彈，三星戰略合作與業績預期共振

本輪市場反彈首先來自 AI 產業鏈的新催化。

據報道，Anthropic 正與三星電子討論合作開發定製 AI 芯片。**雖然合作仍處於早期階段，但市場認為，這意味着三星晶圓代工業務有望進一步參與 AI 芯片生態。**

Fibonacci Asset Management Global 首席執行官 Jung In Yun 表示，這一合作短期內對盈利貢獻有限，但戰略意義積極，有助於強化三星在 AI 芯片領域的重要地位，也進一步凸顯亞洲在 AI 半導體供應鏈中的角色。

與此同時，市場也開始提前交易三星即將公佈的季度初步業績。分析師普遍預計，公司第二季度盈利將繼續大幅增長，投資者更關注管理層對於 AI 存儲需求持續性的判斷。

## 韓國龍頭繼續擴產，試圖回應市場對 AI 需求的擔憂

與資本市場此前擔憂形成鮮明對比的是，韓國半導體企業仍在持續擴大投資。

7 月 2 日，**三星電子和 SK 海力士再次公佈新的建廠計劃。**根據公開信息，三星計劃在韓國忠清地區投資約 140 萬億韓元，覆蓋 HBM 晶圓廠、高性能封裝、OLED 及下一代電池等多個領域；SK 海力士則計劃投資約 100 萬億韓元，重點佈局 NAND 及先進封裝。

與此同時，**韓國政府宣佈推動企業在東南部地區投資超過 312 萬億韓元，重點發展半導體、AI 及航天產業。**其中，SK 集團、三星、韓華、現代汽車等企業均將參與相關投資。

從韓國資本市場表現來看，雖然市場短期存在波動，但韓國存儲芯片龍頭企業仍選擇繼續投資，以穩定市場對於 AI 長期增長的預期。

業內人士也認為，**Meta 此前出租部分閒置算力，更應理解為資源優化，而非 AI 基礎設施需求拐點。**隨着未來 AI 企業更加重視成本控制，自研芯片趨勢反而可能進一步加強。

## 三星推動 DRAM 漲價，長期協議強化盈利預期

需求預期之外，價格同樣成為市場關注重點。

據韓國 ZDNet 報道，**三星電子正在與客户協商第三季度 DRAM 價格，目標是將通用 DRAM 平均售價較第二季度再提高最高 20%**，服務器及移動端 LPDDR 產品漲價幅度也可能超過 20%。

業內人士表示，AI 基礎設施持續建設，使服務器 DRAM、高帶寬存儲器（HBM）及 LPDDR 需求仍然緊張，供給壓力短期難以明顯緩解。

值得關注的是，長期供應協議（LTA）正在成為行業穩定盈利的重要支撐。

美光此前披露，公司已與客户簽訂 16 份長期供應協議，這類協議不僅鎖定採購數量，也設定價格下限，有助於降低未來價格大幅回落風險。**業內人士認為，隨着長期協議比例提升，DRAM 市場明年出現明顯下行的可能性較低。**

不過，也有業內人士指出，三星在價格談判中的態度較為強硬，客户能否完全接受漲價方案，仍有待觀察。

## 鎧俠推出新一代 NAND，押注 AI 數據中心需求

日本存儲廠商鎧俠則選擇通過新品回應市場質疑。

該公司宣佈，**第十代 BiCS FLASH 3D NAND 已開始向 AI 數據中心客户送樣，並計劃於 2027 年啓動量產。**新產品採用 332 層堆疊架構及自主研發的 CBA 技術，存儲密度較上一代提升約 60%，接口速度達到 4.8Gbps。

據報道，鎧俠認為，相比超過 400 層的設計方案，332 層架構在成本、功耗及可靠性之間實現了更優平衡。

公司首席執行官 Hiroo Ota 表示，**公司沒有看到數據中心需求減弱跡象，將繼續積極響應市場增長，不排除進一步增加資本支出。**他認為，隨着 AI 智能體和機器人應用的發展，閃存市場仍存在較大的增長空間。

不過，市場競爭也正在加劇。

根據 Omdia 分析師 Akira Minamikawa 測算，2025 年三星電子在數據中心 NAND 市場份額約 40%，SK 海力士約 30%，鎧俠約 10%。韓國廠商依託 HBM 產品形成的一站式銷售能力，仍是鎧俠需要面對的重要競爭壓力。

與此同時，SK 海力士計劃投資建設新的 NAND 生產設施，三星也正規劃新的 NAND 產線。**三大廠商同步擴產，意味着未來市場仍將持續關注供需關係及價格走勢。**

## 市場開始重新審視 AI 投資回報率

此次反彈雖然緩解了市場恐慌，但業內普遍認為，AI 產業的投資邏輯正在發生變化。

分析人士表示，行業正從此前 “無底線採購 AI 芯片”，逐步轉向更加關注投資回報率，**未來雲服務廠商對於存儲芯片等產品的採購將更加精細，AI 基礎設施投資將進入效率優先的新階段。**

在經歷本週劇烈波動之後，AI 產業鏈未來能否繼續維持高增長預期，仍將成為市場關注的核心變量。

風險提示及免責條款

市場有風險，投資需謹慎。本文不構成個人投資建議，也未考慮到個別用户特殊的投資目標、財務狀況或需要。用户應考慮本文中的任何意見、觀點或結論是否符合其特定狀況。據此投資，責任自負。

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