--- title: "HBM 封裝技術生變：三星、SK 海力士雙雙推遲 HBM 混合鍵合導入" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/291764563.md" description: "三星與 SK 海力士相繼將混合鍵合技術的 HBM 導入節點推後——原定 HBM4 首發，如今可能延至第七代 HBM4E 甚至更晚。厚度標準放寬、散熱替代方案落地，令這項技術的緊迫性驟降。但隨着 HBM5E 的 I/O 數量或再度翻倍至 4096 個，混合鍵合併非被拋棄，而是在等待那個間距極限真正到來的時刻。" datetime: "2026-07-06T06:58:26.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/291764563.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/291764563.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/291764563.md) --- # HBM 封裝技術生變：三星、SK 海力士雙雙推遲 HBM 混合鍵合導入 三星電子與 SK 海力士正重新審視混合鍵合技術在高帶寬存儲器（HBM）領域的導入時間表。隨着 HBM 厚度標準逐步放寬、散熱問題出現替代解決方案，這一原本被寄予厚望的下一代封裝技術，其商用節點已被接連後移。 據韓國科技媒體 ZDNet Korea 週一報道，**業內觀察人士指出，混合鍵合技術全面應用於下一代 HBM 的時間點可能比此前預期更晚。兩家公司最初預計最早在 HBM4（第六代 HBM）上導入該技術，但最終仍沿用了傳統熱壓鍵合（TC 鍵合）方案。** 目前業界預測，混合鍵合的導入節點或推遲至 16 層 HBM4E（第七代 HBM），而部分業內人士認為實際時間可能還將進一步延後。 這一變化對 HBM 供應鏈及相關封裝設備廠商構成直接影響。混合鍵合技術的推遲意味着現有 TC 鍵合工藝的生命週期延長，而圍繞混合鍵合設備與材料的資本開支節奏也將隨之調整。 ## 厚度標準放寬，混合鍵合核心優勢弱化 混合鍵合技術的主要優勢在於無需凸點（Bump）結構，可直接連接各層 DRAM 的銅線，從而更易壓縮 HBM 整體厚度，並改善散熱性能與電源效率。然而，上述優勢的市場緊迫性正在下降。 HBM 行業厚度標準已呈現逐步放寬趨勢。HBM 標準厚度在 HBM3E（第五代）時為 720 微米，進入 HBM4 後已上調至 775 微米，主因是堆疊層數從 8 層、12 層提升至 12 層、16 層。據悉，國際半導體標準化機構 JEDEC 目前正討論將 HBM5 等 20 層堆疊產品的厚度上限從 900 微米進一步放寬至約 1000 微米。厚度約束一旦鬆動，DRAM 層間間距無需壓縮至極限，TC 鍵合所承受的技術壓力也將相應減輕。 **與此同時，英偉達等核心客户對高堆疊 HBM 的需求時間表亦出現後移。**一位內存行業人士 A 表示，"目前客户與內存製造商之間關於 16 層 HBM 的討論並不活躍，就目前而言，即便在 HBM4E 中，12 層產品也很有可能繼續佔據主導地位。" ## 散熱替代方案浮現，兩家公司另闢蹊徑 散熱性能的改善是混合鍵合的另一大賣點——去除導熱係數低的底部填充材料有助於提升 HBM 熱特性。但三星電子與 SK 海力士已分別開發出不依賴混合鍵合的散熱替代技術。 **兩家公司的方案核心均為在 HBM 核心芯片旁額外集成獨立散熱器件**。三星電子將其命名為熱路徑模塊（Heat Path Block，HPB），SK 海力士則稱之為 iHBM（ICE HBM）。兩家公司目前均在針對 HBM5 測試上述技術的應用。 封裝行業人士表示，"在 HBM 核心芯片旁配置散熱器件在技術上難度不大，商業化應不存在障礙，從存儲器公司角度來看，這是一個穩定的選擇。" ## I/O 密度瓶頸或成混合鍵合最終驅動力 儘管短期導入時間表後移，三星電子與 SK 海力士的混合鍵合研發工作預計仍將持續推進。驅動力來自 HBM 長期演進路徑中 I/O 密度的爆發式增長需求。 HBM4 已將 I/O 數量從 HBM3E 的 1024 個翻倍至 2048 個，HBM 內部間距因此大幅收窄。TC 鍵合在凸點熔化時會發生橫向擴散，被業界認為難以支撐更高密度的 I/O 實現。封裝行業人士 C 指出，**"中長期來看，業界正在討論從 HBM5E 開始將 I/O 數量再度翻倍至 4096 個，屆時 I/O 間距極為緊密，混合鍵合將成為必要選項。"** 這意味着混合鍵合技術並非被放棄，而是被推遲——其真正的商用窗口，或將隨 HBM 代際演進中 I/O 密度的臨界突破而重新打開。 ### 相關股票 - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) - [SMSN.UK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMSN.UK.md) - [09747.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/09747.HK.md) - [07347.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/07347.HK.md) - [09347.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/09347.HK.md) - [07709.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/07709.HK.md) - [07747.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/07747.HK.md) - [03121.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/03121.HK.md) - [NVDA.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/NVDA.US.md) - [NVD.DE](https://longbridge.com/zh-HK/quote/NVD.DE.md) ## 相關資訊與研究 - [瑞銀無懼記憶體回調！上調海力士目標價、預測「三大利好」即將到來](https://longbridge.com/zh-HK/news/291713962.md) - [【AI】三星電子初步業績週二出爐，或為全球晶片股走勢定下基調](https://longbridge.com/zh-HK/news/291770249.md) - [AI 熱潮丨 SK 海力士 ADR 周五掛牌 籌 2262 億史上最多](https://longbridge.com/zh-HK/news/291743067.md) - [SK 海力士勢將刷新外國公司赴美上市規模紀錄 或改變股票折價局面](https://longbridge.com/zh-HK/news/291811710.md) - [SK 海力士登陸美股後憧憬入指數 專家提醒勿盲目看好 在港上市 ETF 溢價恐收窄？｜星市攻略](https://longbridge.com/zh-HK/news/291848624.md)