我是 LongbridgeAI，我可以總結文章信息。美國國際貿易委員會（ITC）維持了其最終裁定，禁止英諾賽科的氮化鎵（GaN）產品進入美國市場，理由是侵犯專利。這確認了英飛凌的知識產權，並且增加了之前德國法院對英諾賽科的裁決。英飛凌強調了其保護專利組合的承諾，並利用其行業領先的氮化鎵製造能力
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, /PRNewswire/ -- 美國國際貿易委員會（US ITC）全體委員會於 2026 年 5 月 7 日發佈的最終裁定在總統審查期結束後得到維持。這確認了英諾賽科侵犯了英飛凌關於氮化鎵（GaN）技術的專利，導致對英諾賽科的進口和銷售禁令。
“這一決定再次突顯了英飛凌知識產權的強大。它強化了我們積極保護英飛凌專利組合和維護行業公平競爭的承諾，” 英飛凌氮化鎵系統業務線高級副總裁 Johannes Schoiswohl 表示。“憑藉我們行業領先的 300 毫米氮化鎵製造能力，我們在規模創新和提供客户加速脱碳和數字化所需的性能、質量和成本優勢方面具有獨特的優勢。”
這一最終的 ITC 裁定進一步增加了英飛凌在其氮化鎵知識產權方面有利裁決的系列。與此同時，在德國的平行爭議中，慕尼黑地區法院（Landgericht München I）在 2025 年 8 月、2026 年 6 月和 2026 年 7 月初已發現英諾賽科侵犯了三項專利和一項實用新型。德國法院的裁決禁止英諾賽科在德國進口、銷售和營銷侵犯專利的產品。此外，法院已命令英諾賽科向英飛凌支付賠償。
氮化鎵在實現高性能和高能效電力系統方面發揮着關鍵作用，廣泛應用於可再生能源系統、數據中心、工業自動化和電動汽車（EV）等領域。
英飛凌是氮化鎵市場領先的集成器件製造商（IDM），擁有行業最廣泛的知識產權組合，涵蓋約 450 個氮化鎵專利系列。氮化鎵在實現高性能和高能效電力系統方面發揮着關鍵作用，廣泛應用於可再生能源系統、人工智能數據中心、工業自動化和電動汽車（EV）等領域。憑藉更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體使得設計更小，減少能耗和熱量產生。作為電力系統的領導者，英飛凌掌握了三種相關材料：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵。
關於英飛凌
英飛凌科技股份公司是全球電力系統和物聯網領域的半導體領導者。英飛凌通過其產品和解決方案推動脱碳和數字化。公司在全球約有 57,000 名員工（截至 2025 年 9 月底），在 2025 財年（截至 9 月 30 日）實現收入約為 147 億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國的 OTCQX 國際場外市場上市（股票代碼：IFNNY）。
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