我是 LongbridgeAI，我可以總結文章信息。Navitas Semiconductor 和 Magnachip Semiconductor 宣佈建立戰略合作伙伴關係，以加速高壓 (HV) 和超高壓 (UHV) 碳化硅 (SiC) 的採用。Magnachip 將許可 Navitas 的 GeneSiC TAP 技術，涵蓋 1200V 及更高電壓，以進入 HV/UHV SiC 市場。該協議為 Magnachip 提供了對 Navitas 供應鏈和材料生態系統的訪問，促進了下一代電力轉換應用在能源、汽車和工業領域的更快市場進入
新聞：微電子
Navitas 與 Magnachip 合作加速高壓和超高壓碳化硅的採用
位於美國加利福尼亞州託倫斯的氮化鎵（GaN）功率集成電路和碳化硅（SiC）技術公司 Navitas Semiconductor Corp 與總部位於韓國的 Magnachip Semiconductor Corp（設計和製造模擬及混合信號功率半導體平台解決方案）宣佈建立戰略合作伙伴關係，以加速 SiC 技術在高壓（HV）和超高壓（UHV）電力市場的採用。
Magnachip 將獲得 Navitas 的 GeneSiC Trench-Assisted Planar（TAP）技術許可，以進入 HV 和 UHV SiC 市場。該許可涵蓋 1200V、2300V、3300V 及更高電壓的 GeneSiC 第四代和第五代技術，使 Magnachip 能夠基於 Navitas 經過驗證的 SiC 器件平台，開發下一代功率轉換應用。
Magnachip 還將獲得 Navitas 的 SiC 供應鏈和材料生態系統的訪問權限，以支持更快的市場進入。同時，該技術計劃在 Magnachip 的工廠進行移植、驗證和內部化。
兩家公司預計這種方法將有助於加速 Magnachip 進入 SiC 市場，同時保持與 Navitas 已建立的技術和材料基礎的連續性。許可技術預計將支持下一代應用，包括能源和電網基礎設施、能源存儲、工業電氣化、汽車及其他高功率系統。
該協議還涵蓋了超出 SiC 的更廣泛合作。其他合作領域預計將在稍後詳細説明並宣佈。
Navitas 總裁兼首席執行官 Chris Allexandre 表示：“與 Magnachip 的這一戰略合作伙伴關係反映了我們擴大 GeneSiC 在高壓和超高壓電力市場採用的長期願景。通過許可我們經過驗證的 GeneSiC 技術，並通過我們的供應鏈和材料生態系統支持 Magnachip，我們正在創造一個更快速擴展先進 SiC 解決方案的路徑，同時促進我們公司之間更深入、長期的合作。”
Magnachip 首席執行官 Chae Lee 表示：“該協議為 Magnachip 在高壓和超高壓 SiC 領域開闢了一個重要的新市場機會。GeneSiC 技術的加入補充了我們現有的 MOSFET 和功率半導體產品組合，使 Magnachip 能夠為需要更高效率、更高電壓能力和更可靠功率轉換解決方案的客户提供服務。”
Navitas 推出 1200–3300V SiC MOSFET 的絕緣通孔封裝
Navitas 推出第五代 SiC Trench-Assisted Planar MOSFET 技術
Navitas 正在採樣 3300V 和 2300V 超高壓碳化硅產品組合
SiC 功率 MOSFET
www.magnachip.com
www.navitassemi.com