Everspin 科技計劃通過擴大 MRAM 和推動代工廠業務,到 2029 年實現 1 億美元的收入目標
我是 LongbridgeAI,我可以總結文章信息。Everspin 科技(NASDAQ: MRAM)計劃到 2029 財年實現超過 1 億美元的年收入,這得益於其 MRAM 內存產品組合和製造能力的擴展。該公司計劃推出新的 UNISYST 產品系列,面向 NOR 閃存市場,預計於 2027 年中期開始生產。Everspin 還與美國政府簽署了一份 4000 萬美元的分包合同,並與微芯科技達成了一項代工協議,以複製製造能力。最近的財務數據顯示,2026 年第二季度的季度收入創下了 1870 萬美元的紀錄,強勁的增長歸因於企業、工業和航空航天需求
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Everspin Tech NASDAQ: MRAM 在 Oppenheimer 的演示中概述了其擴展 MRAM 存儲產品組合、製造能力和收入基礎的計劃,管理層目標是在 2029 財年之前實現超過 1 億美元的年收入。
獲取 Everspin Tech 警報:
總裁兼首席執行官 Sanjeev Aggarwal 表示,Everspin 開發使用磁性材料的半導體存儲產品。該公司的 MRAM 產品是非易失性的,意味着在斷電時仍能保留數據,旨在用於數據中心、工業自動化、物聯網應用、汽車系統和輻射防護環境等關鍵任務。
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Aggarwal 表示,自 2008 年從 Freescale 分拆以來,公司已發貨超過 2 億個單位,擁有超過 2000 個客户。他還表示,Everspin 在全球擁有超過 700 項專利和專利申請。
產品擴展和市場機會
首席財務官 Bill Cooper 表示,Everspin 現有的 PERSYST 產品系列,包括 Toggle MRAM 和自旋轉移力矩 MRAM 產品,仍然是公司業務的基礎。公司還準備推出一款新的 UNISYST 產品系列,旨在進入 NOR 閃存市場。
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首款 UNISYST 產品,一個 256 兆位的部件,預計將在 2026 年底前完成設計,生產預計將在 2027 年中期開始。Cooper 表示,該產品可能在 2027 年底開始產生收入,預計在 2028 年和 2029 年會有更顯著的銷量。
根據 Cooper 的説法,新產品旨在滿足估計約為 30 億至 40 億美元的 NOR 閃存市場。管理層表示,MRAM 提供比 NOR 閃存更快的性能和更強的數據保留特性。初步的 UNISYST 應用預計將集中在航空航天和數據中心市場,公司計劃逐步將產品擴展到 1 兆位和 2 兆位的密度。
Aggarwal 表示,工業自動化中的設計週期通常為 12 到 18 個月,這就是為什麼公司不期望在工程樣品可用後立即獲得可觀的 UNISYST 收入。他表示,PERSYST 產品和許可收入預計將佔公司實現 2029 年收入目標的大部分,而 UNISYST 可能在 2030 年和 2031 年成為更大的貢獻者。
收入增長和財務目標
Cooper 表示,Everspin 在過去兩年內的收入範圍約為 5000 萬至 5500 萬美元,但預計到 2029 財年收入將超過 1 億美元。公司在 2026 年第二季度報告了創紀錄的季度收入 1870 萬美元,並預計第三季度收入在 1950 萬至 2050 萬美元之間。
Cooper 表示,產品收入從 2025 年第二季度到 2026 年第二季度增長了 38%。他將增長歸因於企業、工業、賭場遊戲和航空航天相關市場的需求,同時指出公司第三季度的收入增長預計主要由產品收入驅動。
管理層預計,產品在未來將佔收入的約 85% 至 90%,而許可、特許權使用費和工程服務預計將佔約 10% 至 15%。
Cooper 表示,Everspin 在 2026 年第二季度實現了 53.9% 的 GAAP 毛利率,並繼續目標保持在 50% 以上。他表示,隨着公司增長,約 10% 的營業利潤率是合理的預期,儘管產品開發投資可能會在某些時期影響盈利能力。
根據 Cooper 的説法,公司在 2026 年第二季度末擁有 4390 萬美元的現金,沒有債務。
政府合同和製造投資
Everspin 還討論了與美國政府的主要承包商簽署的一項 4000 萬美元的分包協議,該協議於 2026 年 4 月簽署。根據該協議,Everspin 將提供工程服務並轉移與其 Toggle MRAM 過程相關的知識。Cooper 表示,收入將在未來幾年內確認,預計將對利潤產生積極影響。
管理層將預期的確認模式描述為更像是鐘形曲線而非線性時間表,預計 2027 年將是合同下的最大收入年。Aggarwal 表示,相關的 ITC 過程計劃在 11 月底或 12 月初舉行聽證會,預計在 2027 年 7 月或 8 月作出決定。
在製造方面,Everspin 最近與 Microchip Technology 簽署了一項代工服務協議,以在 Microchip 位於俄勒岡州格雷沙姆的設施中複製其現有的基於 NXP 的製造能力。Cooper 表示,該項目涉及約 1450 萬美元的支出,其中約三分之一被歸類為非經常性工程費用,三分之二為資本支出。他估計,與 Microchip 相關的支出在未來幾年可能接近 500 萬美元。
Aggarwal 表示,Microchip 現場的初步處理預計將在約 9 到 12 個月內完成,首批合格硅片預計將在大約 18 到 24 個月內完成。公司預計將在 2027 年第二或第三季度開始在 Microchip 上啓動其 8 英寸自旋轉移力矩 MRAM 過程。
Everspin 還預計,台灣半導體制造公司將在 2026 年底之前成為自旋轉移力矩 MRAM 的代工合作伙伴。Aggarwal 表示,公司與 Microchip、GlobalFoundries 和 TSMC 的關係旨在為其 Toggle 和 STT MRAM 產品提供更大的製造彈性。
訴訟更新
Aggarwal 提到了 Avalanche Technology 於 2026 年 1 月發起的訴訟,Avalanche 指控 Everspin 侵犯了四項涉及其產品中使用的磁性材料的專利。Aggarwal 表示,Everspin 認為自己有強有力的辯護,包括現有技術和某些主張不適用於其產品的論點。
他還表示,公司對是否支付了適當的專利費用提出了質疑,這可能會影響可執行性。管理層表示,預計在計劃於 2026 年底舉行的聽證會後,訴訟費用將下降,而 ITC 事項預計將在 2027 年中期結束,除非各方在此之前達成解決方案。
關於 Everspin Tech (NASDAQ:MRAM)
Everspin Technologies, Inc NASDAQ: MRAM 是一家半導體公司,專注於磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 解決方案的設計、開發和營銷。該公司於 2008 年作為 Freescale Semiconductor 的分拆公司成立,開創了商業化 MRAM 產品,並通過連續幾代技術不斷推進,包括 Toggle MRAM 和自旋轉移力矩 (STT) MRAM。Everspin 的非易失性存儲器設備為各種應用提供了獨特的性能、耐用性和數據保留組合。
公司的產品組合包括離散 MRAM 芯片、用於集成到系統級芯片 (SoC) 設計中的嵌入式 MRAM IP,以及利用 MRAM 快速寫入速度和低功耗的配套設備。
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