我是 LongbridgeAI，我可以總結文章信息。華邦電子提前啓動高雄路竹廠 Module B 擴產計劃，預計 2027 年動工、2029 年裝機，客户產能洽談已排至 2029 年至 2030 年。AI 驅動的存儲需求被機構認為將 “延續相當長時間”。此外，華邦電子已投入約 40 億元佈局矽電容產線，最快 2027 年量產，被視為邏輯與存儲之外的第三成長動能。
AI 拉動存儲需求持續擴張，華邦電子不得不提前佈局——客户已在搶訂三年後的產能。
全球利基型存儲 IDM 龍頭企業華邦電子宣佈提前啓動中國台灣高雄路竹廠擴產規劃，將原定分期推進的二、三期工程整併為 Module B 工廠同步開發。據台灣工商時報報道，該廠預計 2027 年動工興建無塵室，最快 2029 年初開始裝機。
機構人士指出，代理式 AI（Agentic AI）正在推動存儲容量與先進封裝需求持續增加，“相關成長趨勢預期將延續相當長時間”，這正是華邦電子決定提前啓動 Module B 計劃的直接原因。目前已有客户提前洽談 2029 年、2030 年的產能配額。
當季業績：量價齊升，毛利率創高
華邦電子第二季合併營收 598.43 億元新台幣，季增 56.4%，年增 184.7%。
漲價是核心驅動力：DRAM 價格單季上漲約 100%，Flash 上漲約 43%。毛利率隨之升至 66.2%，每股税後純益（EPS）達 5.40 元。
進入第三季，漲勢仍在延續。中國台灣工商時報援引機構人士預計，利基型 DRAM 與 SLC NAND 均呈供不應求，價格季漲幅約 50%；NOR Flash 受雲端服務供應商（CSP）大客户積極備貨拉動，價格季漲幅約 30%。
第四季漲幅預計收窄至 2% 至 5%，但機構人士認為，受益於 DRAM 產能增加及出貨量成長，華邦電子營收與獲利仍可維持季增走勢。
Module B：產品線全面對準 AI
華邦電子高雄廠 Module B 的產品規劃覆蓋 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽電容（Si-Cap），並將支持 14 納米及未來 12 納米 DRAM 製程，後續亦規劃導入 EUV 設備。
這一佈局的邏輯清晰：AI 推動存儲向更高密度、更先進封裝演進，華邦電子需要提前鎖定製程與產能，才能在客户需求兑現時不落後於市場。
設備導入將依客户需求預測（Forecast）及長期協議（LTA）分階段推進，而非一次性滿產，以控制資本支出節奏。
Si-Cap：第三條成長曲線
矽電容（Si-Cap）是此次佈局中值得單獨關注的一塊。
機構人士將其視為華邦電子在邏輯（Logic）與存儲（Memory）之外的 “第三股潛在成長動能”。華邦電子已投入約 40 億元新台幣建置專用 Si-Cap 產線。
目前量產產品的電容密度約為 3,300 nF/mm²，最新樣品已達約 5,400 nF/mm²，主要面向 AI 先進封裝及 AI 電源管理應用。報道預計，最快 2027 年第一季底步入量產。
Si-Cap 的邏輯在於：AI 芯片對電源穩定性要求極高，矽電容可在封裝層面提供更高密度的電源去耦，是先進封裝不可或缺的配套器件。華邦電子提前佈局，意在卡位這一新興需求。