--- title: "功率 GaN 器件市場預計將以 35% 的年複合增長率增長，到 2031 年達到 35 億美元，這一增長主要受到數據中心、電動汽車和工業系統的推動" type: "News" locale: "zh-HK" url: "https://longbridge.com/zh-HK/news/296498115.md" description: "功率氮化鎵（GaN）器件市場預計將以 35% 的年複合增長率增長，到 2031 年達到 35 億美元，主要受人工智能數據中心、電動汽車和工業系統的推動。儘管消費電子仍然是主要細分市場，但汽車（57% 年複合增長率）和電信/基礎設施（45% 年複合增長率）顯示出最顯著的增長。類人機器人代表了未來潛在的增長引擎。競爭格局正在變化，英諾賽科（Innoscience）處於領先地位，而安森美半導體（onsemi）則通過與格芯（GlobalFoundries）的合作進入市場。製造業正在多元化，超越台積電（TSMC），格芯（GlobalFoundries）、VIS 和三星等代工廠正在擴大產能" datetime: "2026-08-20T13:16:44.000Z" locales: - [zh-CN](https://longbridge.com/zh-CN/news/296498115.md) - [en](https://longbridge.com/en/news/296498115.md) - [zh-HK](https://longbridge.com/zh-HK/news/296498115.md) generator: "portal-rs" --- # 功率 GaN 器件市場預計將以 35% 的年複合增長率增長，到 2031 年達到 35 億美元，這一增長主要受到數據中心、電動汽車和工業系統的推動 新聞：市場 功率氮化鎵（GaN）在過去幾年中在消費快充設備中證明了自己的價值，但根據 Yole Group 的年度報告《Power GaN 2026》，這一階段即將結束。GaN 現在正進入一個更廣泛的多市場採用週期，人工智能數據中心、電動汽車、工業系統和可再生能源都成為重要的需求驅動因素。對於芯片製造商、代工廠和投資者而言，瞭解這一波增長的集中領域以及哪些公司有能力捕捉這一機會，對於未來五年的戰略規劃至關重要。 “多年來，功率 GaN 的故事幾乎完全圍繞着你口袋裏的手機充電器。但這已不再是全部，” Yole Group 的複合半導體技術與市場分析師 Roy Dagher 博士指出。“人工智能基礎設施為這項技術開啓了第二個，甚至可以説是更大的篇章，而且發展迅速。” 消費和移動電子產品仍然是市場的主要收入來源，預計到 2031 年將達到 17 億美元，原因在於快充和家電的持續採用。但增長最快的領域是汽車，車載充電器和新興的 48V 架構推動該領域的年複合增長率（CAGR）達到 57%；電信/基礎設施領域則因人工智能驅動的數據中心需求，推動 CAGR 達到 45%，達到 7.5 億美元。 展望未來，人形機器人在 2030 年之後有望成為一個潛在的增長引擎。人形平台中的執行器驅動和電池管理都需要在嚴格的重量和熱預算內實現高功率密度——這是 GaN 效率和小型化最為重要的條件。目前的市場規模微不足道，但如果人形平台在 2030 年代達到商業規模，它們將為消費、汽車和數據中心應用之外的需求池增添新的動力。 ## GaN 競爭加劇，採用範圍擴大 競爭格局也在發生變化。Innoscience 在 2025 年佔據了領先地位，並繼續擴大在汽車和數據中心的市場份額。英飛凌科技憑藉數據中心和可再生能源的勝利，取得了年度最大的增長，而瑞薩電子則在多個領域持續擴展。Navitas 採取了不同的路徑，故意在低利潤的快充市場中放棄市場份額，以便在更高價值的細分市場中佔據立足點。 onsemi 是最重要的新進入者：它通過與 GlobalFoundries 合作，進入了功率 GaN 市場，開發 650V 設備，基於 200mm GaN-on-silicon 平台，同時與 Innoscience 建立了平行的晶圓供應安排，客户採樣將在 2026 年上半年開始，目標是人工智能數據中心、電動汽車和可再生能源。 在領先者之後，一羣快速增長的供應商——ROHM、德州儀器、意法半導體、Nexperia，以及包括 GaNext 和 Southchip 在內的中國新進入者——正在隨着 GaN 在行業的進一步普及而獲得市場份額。 ## 製造基礎多樣化 製造轉變是報告的核心發現之一。行業並沒有集中在單一主導代工廠，而是有效地分散開來：GlobalFoundries 已從台積電獲得 GaN 技術許可，並在美國進行生產驗證，台灣的 Vanguard International Semiconductor Corp（VIS）和 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp（PSMC）正在吸納客户從台積電轉移的產量，而三星、DB HiTek 和 SK Keyfoundry 則在韓國各自建立早期的 GaN 能力。同時，包括英飛凌、瑞薩、onsemi、意法半導體、ROHM 和 Nexperia 在內的 IDM 公司繼續投資於自身的產能和垂直整合，通常通過收購實現。 “台積電退出 GaN 代工工作可能被視為行業的警告信號。然而，實際上，這正成為該生態系統成熟程度的最明確信號之一，” Yole Group 半導體基板與材料的首席技術與市場分析師 Poshun Chiu 表示。“其他代工廠正在迅速進入，製造基礎比以往更加分散。” 功率 GaN 設備市場預計到 2030 年將以 42% 的年複合增長率增長至 30 億美元 功率電子 www.yolegroup.com/product/report/power-gan-2026 ### 相關股票 - [GFS.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/GFS.US.md) - [ON.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/ON.US.md) - [ONX.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/ONX.US.md) - [ONG.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/ONG.US.md) - [02577.HK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/02577.HK.md) - [IFX.DE](https://longbridge.com/zh-HK/quote/IFX.DE.md) - [IFNNY.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/IFNNY.US.md) - [6723.JP](https://longbridge.com/zh-HK/quote/6723.JP.md) - [NVTS.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/NVTS.US.md) - [6963.JP](https://longbridge.com/zh-HK/quote/6963.JP.md) - [TXN.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/TXN.US.md) - [STM.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/STM.US.md) - [TSM.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/TSM.US.md) - [SSNGY.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SSNGY.US.md) - [STMEF.US](https://longbridge.com/zh-HK/quote/STMEF.US.md) - [SMSN.UK](https://longbridge.com/zh-HK/quote/SMSN.UK.md) ## 相關資訊與研究 - [隨着頻譜切片執行的推進，Edgewater Wireless 受邀參加格芯技術峯會](https://longbridge.com/zh-HK/news/297641669.md) - [英諾賽科宣佈召開特別股東大會](https://longbridge.com/zh-HK/news/298010645.md) - [Modelithics 發佈了 Qorvo GaN 庫 v26.5.11](https://longbridge.com/zh-HK/news/298181815.md) - [電動汽車的運行成本現在比汽油車低 33%](https://longbridge.com/zh-HK/news/298168078.md) - [人工智能基礎設施股票正面臨美聯儲的壓力以及數據中心的需求](https://longbridge.com/zh-HK/news/297841600.md) --- > **免責聲明: 本文僅供參考，不構成任何投資建議。**