這個勢不可擋的科技 ETF 已經下跌超過 20%。現在是逢低買入的好時機嗎?
我是 LongbridgeAI,我可以總結文章信息。DRAM - Roundhill Memory ETF(DRAM)追蹤美光、三星和 SK 海力士等內存股票,已從高點下跌超過 20%。儘管出現回調,該基金受益於由人工智能推理驅動的高帶寬內存需求激增。預計供應限制將持續到 2030 年,並且公司正在鎖定長期合同,因此該 ETF 提供了對潛在多年的 DRAM 超級週期的集中投資機會
DRAM - Roundhill Memory ETF( DRAM 1.96%),首個專注於內存股票的交易所交易基金(ETF),在 4 月 2 日首次上市時以 27 美元的開盤價強勢起步,基金價值三倍增長。然而,最近該基金與內存股票一起回落,目前較高點下跌超過 20%。
在基金遠離高點的情況下,現在是購買該 ETF 的時機嗎?
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NYSEMKT: DRAM
Roundhill ETF Trust - Roundhill Memory ETF
今日變動
(-1.96%) $-1.26
當前價格
$63.10
關鍵數據點
資產管理規模(AUM)
$25B
費用比率
0.65%
主要持股
912797UP0
24.83%
000660.KS
16.58%
005930.KS
15.97%
對內存股票的集中投資
DRAM - Roundhill Memory ETF 並不是典型的多元化基金,甚至不是行業特定基金。它是對內存市場的高度集中投資,特別是動態隨機存取內存(DRAM),在一定程度上也包括閃存(NAND)。該 ETF 近 75% 的持股集中在三大 DRAM 製造商:美光( MU 1.05%)、三星 和 SK 海力士。這三者的權重目前相對均勻,美光最高為 25.8%,SK 海力士最低為 23.7%。
這三家 DRAM 製造商基本上都在同樣的順風中。由於對高帶寬內存(HBM)的需求激增,DRAM 價格飆升。HBM 與圖形處理單元(GPU)和其他人工智能芯片打包在一起,以幫助優化其性能。隨着 AI 推理 的興起,這種需求正在進一步增加,因為推理通常比計算更依賴內存。預計推理市場將超過訓練市場,因此對 HBM 的需求預計將保持強勁。
與此同時,HBM 所需的晶圓容量是普通 DRAM 的三倍以上,這加劇了當前的供應短缺。由於三大內存製造商專注於更高利潤的 HBM,導致所有 DRAM 價格因當前的供需失衡而飆升。
結果是這三家公司都見證了收入激增和 毛利率 飆升。預計這種情況不會很快減緩,SK 海力士首席執行官郭諾正最近表示,他預計明年將出現史上最嚴重的 DRAM 供應短缺。他預測市場將在 2030 年之後仍然受到供應限制。
圖片來源:Getty Images。
這通常是一個高度週期性的業務,三大 DRAM 製造商也首次鎖定了長期合同。這應該有助於減少業務的週期性,並可能幫助股票獲得更高的倍數。
DRAM ETF 是投資內存市場的絕佳方式,不僅讓你接觸到三大 DRAM 廠商,還包括像 閃迪 和日本公司 Kioxia 這樣的 NAND 公司,它們都在尋求開發高帶寬閃存(HBF)。值得注意的是,該 ETF 有時會使用槓桿和總回報掉期,但這主要是出於税務目的以及快速獲得股票敞口的方式。Roundhill 提供了一個獨特的槓桿版本 ETF,即 Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF,但我通常不推薦槓桿 ETF。
總的來説,這是一個我會更像對待個別股票的 ETF,我認為這是參與當前 DRAM 超級週期的不錯方式,這個週期在未來幾年看起來可能會持續。
