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title: "$英特爾(INTC.US)intel 宣稱下一代存儲技術，代替 HBM。創新點是用銅材料在芯片外圍 Z 角封裝堆疊，使用 intel 的 EMIB 封裝技術。銅的散熱性更好，相對 HBM 打孔凸出電阻"
description: "$英特爾(INTC.US)intel 宣稱下一代存儲技術，代替 HBM。創新點是用銅材料在芯片外圍 Z 角封裝堆疊，使用 intel 的 EMIB 封裝技術。銅的散熱性更好，相對 HBM 打孔凸出電阻更小，所以理論上可以比現在 HBM 堆的更多，功耗更小。"
type: "topic"
locale: "zh-HK"
url: "https://longbridge.com/zh-HK/topics/38628587.md"
published_at: "2026-02-10T07:22:38.000Z"
author: "[LipBu Tan](https://longbridge.com/zh-HK/profiles/14563506)"
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# $英特爾(INTC.US)intel 宣稱下一代存儲技術，代替 HBM。創新點是用銅材料在芯片外圍 Z 角封裝堆疊，使用 intel 的 EMIB 封裝技術。銅的散熱性更好，相對 HBM 打孔凸出電阻

$英特爾(INTC.US)intel 宣稱下一代存儲技術，代替 HBM。創新點是用銅材料在芯片外圍 Z 角封裝堆疊，使用 intel 的 EMIB 封裝技術。銅的散熱性更好，相對 HBM 打孔凸出電阻更小，所以理論上可以比現在 HBM 堆的更多，功耗更小。

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