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title: "ZAM 在性能指標上展現出對標甚至超越 HBM 的潛力。初步討論數據顯示，得益於 Z-Angle 互連技術，新內存的功耗相比現有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其單芯片存儲容量最高可達"
description: "ZAM 在性能指標上展現出對標甚至超越 HBM 的潛力。初步討論數據顯示，得益於 Z-Angle 互連技術，新內存的功耗相比現有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其單芯片存儲容量最高可達 512GB，這一數據遠超當前主流內存產品的規格。"
type: "topic"
locale: "zh-HK"
url: "https://longbridge.com/zh-HK/topics/38652098.md"
published_at: "2026-02-11T06:47:58.000Z"
author: "[冲动是魔鬼](https://longbridge.com/zh-HK/profiles/17766278)"
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# ZAM 在性能指標上展現出對標甚至超越 HBM 的潛力。初步討論數據顯示，得益於 Z-Angle 互連技術，新內存的功耗相比現有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其單芯片存儲容量最高可達

ZAM 在性能指標上展現出對標甚至超越 HBM 的潛力。初步討論數據顯示，得益於 Z-Angle 互連技術，新內存的功耗相比現有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其單芯片存儲容量最高可達 512GB，這一數據遠超當前主流內存產品的規格。

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